内衬及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种内衬及反应腔室，包括遮挡结构、本体和与本体连接的环体，其中，环体用于环绕在基座的周围，且环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，遮挡结构设置在环体的下方，且能够遮挡至少部分环体的缝隙。本发明专利技术提供的内衬及反应腔室，能够提高工艺气体在反应腔室中的分布均匀性，从而提高反应腔室内半导体加工工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
内衬及反应腔室
本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种内衬及反应腔室。
技术介绍
目前，在半导体加工工艺中，基片加工后的均匀性是衡量等离子体刻蚀系统的一个重要标准。在如图1所示的现有技术的腔室中，设置有喷嘴11、内衬12、狭缝门13、内门14、静电卡盘15、悬臂16和抽气装置17，其中，悬臂16与腔室侧壁连接，用于支撑静电卡盘15，在工艺开始时，狭缝门13和内门14开启，基片经过狭缝门13和内门14传入到静电卡盘15上，然后狭缝门13和内门14关闭，在工艺过程中，喷嘴11向腔室中喷入工艺气体，从而对基片进行加工，并通过抽气装置17对腔室进行抽气，以维持腔室内气压的稳定，内衬12套设在静电卡盘15的外周，以防止工艺气体污染腔室壁或其它器件，且内衬12底部设有供工艺气体通过的缝隙，工艺气体经过这些缝隙被抽气装置17抽走。但是，在现有技术中，狭缝门13、内门14和悬臂16，都会阻碍抽气装置17对于工艺气体的抽气气流，且狭缝门13和内门14之间的空间，以及悬臂16在腔室中都是非对称的，这就使得工艺气体在腔室内各处的气流分布不均，从而导致对于基片的加工也是不均匀的，影响加工效果，以及后续的使用。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种内衬及反应腔室，其能够提高工艺气体在反应腔室中的分布均匀性，从而提高反应腔室内半导体加工工艺的均匀性。为实现本专利技术的目的而提供一种内衬，包括本体和与所述本体连接的环体，所述环体用于环绕在基座的周围，且所述环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，所述内衬还包括遮挡结构，所述遮挡结构设置在所述环体的下方，且能够遮挡至少部分所述环体的所述缝隙。优选的，所述遮挡结构包括多个遮挡片，所述遮挡片平行设置在所述环体的下方，且每个遮挡片均能相对所述环体平行移动，以调整遮挡所述缝隙的区域。优选的，所述环体为圆环形，所述遮挡片为扇环形，且所述遮挡片在所述环体底面的正投影与所述环体重合；每个所述遮挡片均能绕所述环体的中心转动。优选的，所述遮挡片设有沿周向相间设置的多个镂空部，多个所述镂空部形成的图案与至少部分所述缝隙形成的图案相同。优选的，所述环体和所述遮挡片均为圆环形，多个所述遮挡片依次同心套设并与所述环体同心，多个所述遮挡片在所述环体底面的正投影与所述环体重合；每个所述遮挡片均能绕所述环体的中心转动。优选的，所述遮挡片设有沿周向相间设置的多个镂空部，多个所述镂空部形成的图案与所述环体的对应环形区域的所述缝隙形成的图案相同。优选的，所述遮挡片设有弧形长通孔，螺钉或螺栓穿过所述弧形长通孔将所述遮挡片连接到所述环体。优选的，所述遮挡结构还包括与所述遮挡片数量对应的连接件，每个连接件的一端连接所述遮挡片，另一端连接所述基座；所述连接件上与所述基座连接处设有长通孔，螺钉或螺栓穿过所述长通孔将所述连接件连接到所述基座。优选的，所述内衬还包括调节结构，所述调节结构与所述遮挡片连接，用于驱动所述遮挡片相对于所述环体移动。优选的，所述调节结构包括电机，所述电机的输出轴垂直于所述遮挡片并与所述遮挡片连接，用于驱动所述遮挡片相对于所述环体转动。优选的，所述环体的边缘处设有用于指示所述遮挡片转动角度的标记和/或刻度。本专利技术还提供一种反应腔室，其特征在于，包括基座和上述的所述内衬。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的内衬，包括遮挡结构、本体和与本体连接的环体，其中，环体用于环绕在基座的周围，且环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，借助设置在环体下方的遮挡结构，能够遮挡至少部分环体的缝隙，能够提高工艺气体在反应腔室中的分布均匀性，从而提高反应腔室内半导体加工工艺的均匀性。本专利技术提供的反应腔室，借助本专利技术提供的内衬，能够提高工艺气体在反应腔室中的分布均匀性，从而提高反应腔室内半导体加工工艺的均匀性。附图说明图1为现有技术中水槽及下部冷却液分配系统的结构示意图；图2为本专利技术提供的环体和遮挡结构的结构示意图；图3为本专利技术提供的环体的结构示意图；图4为本专利技术提供的遮挡结构的结构示意图；图5为本专利技术提供的遮挡结构至少部分遮挡环体中至少部分缝隙时的结构示意图；图6为本专利技术提供的遮挡结构完全遮挡环体中至少部分缝隙时的结构示意图；图7为本专利技术提供的遮挡结构完全遮挡环体中至少部分缝隙时的结构示意图；图8为本专利技术提供的遮挡结构完全遮挡环体中至少部分缝隙时的结构示意图；图9为本专利技术提供的遮挡结构完全遮挡环体中所有缝隙时的结构示意图；图10为本专利技术提供的另一种环体的结构示意图；图11为本专利技术提供的内衬与基座的结构示意图；图12为本专利技术提供的遮挡机构未遮挡环体中的缝隙时的基片表面的刻蚀速率图；图13为本专利技术提供的遮挡机构至少部分遮挡环体中至少部分缝隙时的基片表面的刻蚀速率图；附图标记说明：11-喷嘴；12-内衬；13-狭缝门；14-内门；15-静电卡盘；16-悬臂；17-抽气装置；21-本体；22-环体；221-缝隙；23-遮挡结构；231-镂空部；232-遮挡片；233-长通孔；24-连接件；31-基座；32-卡盘。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的内衬及反应腔室进行详细描述。如图2-图11所示，本实施例提供一种内衬，包括遮挡结构23、本体21和与本体21连接的环体22，其中，环体22用于环绕在基座31的周围，且环体22沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙221，遮挡结构23设置在环体22的下方，且能够遮挡至少部分环体22的缝隙221。本实施例提供的内衬，借助设置在环体22下方的遮挡结构23，能够遮挡至少部分环体22的缝隙221，以使基座31周围的气流在基座31的周向上分布均匀，从而能够提高工艺气体在反应腔室中的分布均匀性，进而提高反应腔室内半导体加工工艺的均匀性。在实际应用中，基片通常是与基座31对中放置在基座31上的，因此，基座31周围的气流在基座31周向上的分布情况，对放置在基座31上的基片的加工结果有直接的影响。当工艺气体在基座31周围的周向上分布不均匀时，在基片的表面会出现不均匀的加工结果，通过观察基片表面的加工结果，可以了解工艺气体在反应腔室中的分布情况，以此来确定在基座31周围的周向上，需要对工艺气体分布进行调整的区域，从而可以确定遮挡结构23需要遮挡的环体22的缝隙221，借助遮挡结构23对需要遮挡的缝隙221进行遮挡，从而对需要对工艺气体分布进行调整的区域进行调整，使工艺气体在基座31周围的周向均匀分布，进而使基片表面的加工加结果均匀。例如，在反应腔室中环体22的下方设置有悬臂，当有抽气装置对反应腔室进行抽气时，悬臂会阻挡部分抽气气流，使悬臂对应的环体22的上方的工艺气体的流速小于除悬臂所在区域的环体22的上方的工艺气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内衬，包括本体和与所述本体连接的环体，所述环体用于环绕在基座的周围，且所述环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，其特征在于，所述内衬还包括遮挡结构，所述遮挡结构设置在所述环体的下方，且能够遮挡至少部分所述环体的所述缝隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种内衬，包括本体和与所述本体连接的环体，所述环体用于环绕在基座的周围，且所述环体沿其周向间隔设置有多个供工艺气体通过的缝隙，其特征在于，所述内衬还包括遮挡结构，所述遮挡结构设置在所述环体的下方，且能够遮挡至少部分所述环体的所述缝隙。


2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述遮挡结构包括多个遮挡片，所述遮挡片平行设置在所述环体的下方，且每个遮挡片均能相对所述环体平行移动，以调整遮挡所述缝隙的区域。


3.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述环体为圆环形，所述遮挡片为扇环形，且所述遮挡片在所述环体底面的正投影与所述环体重合；每个所述遮挡片均能绕所述环体的中心转动。


4.根据权利要求3所述的内衬，其特征在于，所述遮挡片设有沿周向相间设置的多个镂空部，多个所述镂空部形成的图案与至少部分所述缝隙形成的图案相同。


5.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述环体和所述遮挡片均为圆环形，多个所述遮挡片依次同心套设并与所述环体同心，多个所述遮挡片在所述环体底面的正投影与所述环体重合；每个所述遮挡片均能绕所述环体的中心转动。


6.根据权利要求5所述的内衬，其特征在于，所述遮挡片设有沿周向...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，陈国动，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11