本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离...

本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：主刻蚀步骤，所述主刻蚀步骤用于在待刻蚀层上进行孔刻蚀；开口修饰步骤，所述开口修饰步骤用于去除所述主刻蚀步骤在所述孔的开口处形成的刻蚀沉积物；循环交替进行主刻蚀步骤和开口修饰步骤，以在所述待刻蚀层...

一种用于半导体加工的原子层刻蚀方法，包括：表面原子沉积步骤：向反应腔室中通入刻蚀气体以使所述刻蚀气体与晶圆的表面原子结合；表面修复步骤：通入修复气体以使所述修复气体吸附所述表面原子，其中，所述修复气体所包括的成分与制成所述晶圆的部分元素...

本发明提供一种设备配置方法及系统，所述设备包括设备端和界面端；该方法包括以下步骤：S1、启动界面端控制程序和设备端控制程序，并在所述界面端提供当前启动的所述设备端的程序配置是否需要修改的选项界面；S2、判断当前启动的所述程序配置是否需要...

本发明公开一种用于外延设备的基座以及外延生长设备，基座为圆盘状，在基座的上表面开设有凹槽，凹槽包括凹槽底面和凹槽侧壁；基座上开设有多个自基座的底面向上延伸至凹槽侧壁上的气道；气道的进气口开设在基座的底面上，气道的出气口开设在凹槽侧壁上。...

本发明提供的基座调节装置及腔室，基座调节装置包括：第一调节件、第二调节件以及推拉组件；推拉组件分别连接第一调节件和第二调节件，其中，第一调节件用于固定基座，第一调节件与第二调节件连接并且能在推拉组件的驱动下相对第二调节件沿第一水平方向移...

本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率...

本发明提供了一种溅射反应腔室的工艺组件及溅射反应腔室，其中，该工艺组件包括：内衬，内衬中设置有水道，内衬包括本体部和盖板部，本体部呈环状，盖板部由本体部的底部且沿本体部径向延伸，并与本体部一体成型设置，盖板部用于在进行工艺时固定晶圆；水...

本发明提供一种半导体设备工艺腔室的清洁装置以及清洁方法，该清洁装置包括：固定盘和套设在所述固定盘上的膨胀件，其中，所述固定盘上开设有通气孔，当所述固定盘放置在所述工艺腔室中的卡盘组件上时，所述通气孔与所述卡盘组件的气道连通；所述膨胀件的...

本发明提供一种晶圆清洗设备中的清洗喷头、晶圆清洗方法及设备，该清洗喷头包括喷头本体，所述喷头本体中设置有混合腔及均与所述混合腔连通的清洗液通道、至少两条气体通道、喷淋通道，所述清洗液通道用于向所述混合腔中通入清洗液，所述至少两条气体通道...

本发明公开了一种晶圆清洗设备的控制方法、控制装置及晶圆清洗设备，方法包括：根据每个工艺模块和机械手的状态以及工艺制程配方计算出新投入工件至完成整个工艺流程的过程中机械手的各种可行路径；根据机械手每个动作的当前的设定完成时间计算执行每种可...

本发明提供一种半导体处理设备及薄膜沉积方法，包括反应腔室、进气管路和吹扫管路，吹扫管路用于向进气管路和反应腔室通入吹扫气体，其特征在于，还包括混合装置、稀释管路和混合管路，其中，稀释管路与混合装置的进气端连接，用于将稀释气体通入混合装置...

本发明提供一种气体分配装置的表面处理方法及沉积设备，所述表面处理方法包括：在所述气体分配装置的母材的待处理表面上形成与所述母材的氧化物材质不同的氧化层，以保护所述母材；通过本发明，减小了化学清洗过程中对气体分配装置的母材的损伤，提高了气...

本发明提供一种药液配比方法及药液配比装置，所述药液配比方法包括：将第一药液注入到第一容器；在注入所述第一药液的同时，将第二药液注入所述第一容器；实时获取所述第一药液的第一流量值；根据所述第一流量值和预设的药液比例值计算获得所述第二药液的...

本发明提供一种半导体设备的晶片承载装置及半导体加工设备，其中，承载装置包括基座和顶针，且基座中设置有供顶针穿过的通孔，顶针与通孔之间设置有预设尺寸的间隙，形成可供气体通过的排气通道。本发明提供的承载装置及半导体加工设备，不仅能够提高晶片...

本发明提供一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。通过本发明，...

本发明提供一种用于调整基片位置的基座组件，和包括该基座组件的半导体加工设备。本发明的基座组件设置在基座的承载盘上，能够在机械手放置基片后，对基片再次进行对中，摆脱了基片的放置对机械手精度的依赖，对基片放置位置的允许偏差更大，提升了对中精...

本发明公开了一种电感耦合装置和半导体处理设备。所述电感耦合装置包括射频电源、介质筒以及环绕在所述介质筒的周向侧壁且沿其轴向依次并列设置的至少两组射频线圈及直流电源，每组所述射频线圈的输入端均与所述射频电源和所述直流电源的第一极电连接，每...

本发明提供的真空系统的调度方法及调度系统，包括：设定默认腔室，按等候队列次向各个等候腔室分配真空系统，判断等候队列是否有未抽真空的等候腔室，若是，继续按等候队列依次向各个等候腔室分配真空系统，若否，则根据默认腔室的状态对默认腔室进行抽真...

本发明提供一种气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备，该系统包括：第一气路，用于向反应腔室内通入第一工艺气体；在第一气路上设置有第一开关；第一旁路，其进气端与第一气路连接，用于排出第一气路中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室；在第一...