半导体设备制造技术

本发明专利技术提供一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。通过本发明专利技术，减小了工艺腔室之间由于电磁环境差异导致的干扰。

Semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备。
技术介绍
目前，高频电路工作时，会向外辐射电磁波从而对邻近的设备产生干扰，此外，空间的各种电磁波会感应到电路中，对电路本身造成干扰。电磁屏蔽的作用就是切断电磁波的传播途径，进而消除干扰。半导体设备中，采用共有气道、共有下电极结构的腔室能够节约成本，但是个工艺腔室并不是完全一致的，在进行工艺时，各工艺腔室中的电磁环境还是会有差异的。由于各工艺腔室之间有共有气道且公用下电极结构，会导致各工艺腔室互相造成干扰。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备。根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，还包括：电磁屏蔽组件，电磁屏蔽组件在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。优选地，所述工艺腔室中设置有下电极组件；所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。优选地，所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。优选地，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒；所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上。优选地，所述屏蔽筒完全覆盖所述下电极组件的外周壁。优选地，所述下电极屏蔽组件还包括：屏蔽环和屏蔽筒，其中，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外周壁上；所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述屏蔽筒的外周壁和所述腔室的内周壁相接触，并且，所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。优选地，所述屏蔽环的顶面、所述屏蔽筒的顶面和所述下电极组件的顶面相平齐。优选地，所述电磁屏蔽组件包括：屏蔽板，设置在所述共有气道的至少一个端口处，或者设置在所述共有气道内部，用于屏蔽通过所述共有气道的电磁波，所述屏蔽板上开设有多个通气孔。优选地，所述半导体设备还包括：匀流环，设置在所述屏蔽环的上方或下方，与所述屏蔽环同轴设置。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体设备，针对通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，在至少一个工艺腔室和/或所述共有气道中设置电磁屏蔽组件，且电磁屏蔽组件可屏蔽电磁波通过共有气道在工艺腔室之间传播。由此，可以使电磁屏蔽组件所在的工艺腔室在工作时，不会受到其他工艺腔室的干扰，也不会干扰到其他工艺腔室，减小了各工艺腔室之间的相互干扰。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体设备的结构示意图；图2为本专利技术第一个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图3为本专利技术第二个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图4为本专利技术第三个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图5为本专利技术第四个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图6为本专利技术第五个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图7为本专利技术第六个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图；图8为本专利技术优选实施例提供的半导体设备的结构示意图；图9为本专利技术实施例中通气孔相对屏蔽板的排布示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体设备进行详细描述。如上所述，各工艺腔室之间由于电磁环境差异会对互相造成干扰。特别的，由于晶片盒中晶片的数量与工艺腔室的数量并不是整数倍的关系，所以可能会出现共有气道、共有下电极的多个工艺腔室中的部分腔室工作、部分腔室不工作的情况，如单腔的工作情况。此时，由于共有气道的存在，一部分电磁波会进入与其相连的另外的腔室，造成功率的损失，影响到工艺的进行。如图1所示，为本专利技术实施例提供的半导体设备的结构示意图，本专利技术实施例中，半导体设备包括：通过共有气道1相连的两个工艺腔室2，还包括：电磁屏蔽组件3，电磁屏蔽组件3设置在工艺腔室2中，用于屏蔽电磁波通过共有气道1在工艺腔室2之间传播。如图1所示，通过共有气道1连接的两个工艺腔室2，共用一个匹配器且两个工艺腔室2共用相同的电源。在这个两个工艺腔室2中的电磁环境存在差异时，电磁屏蔽组件3可以减小两个工艺腔室2之间的相互干扰。特别的，当两个工艺腔室2中只有一个腔室起辉，即单腔起辉时，电磁屏蔽组件3可以屏蔽电磁波通过共有气道1在工艺腔室2之间传播，避免了功率的损失。本实施例提供的半导体设备，通过在共有气道相连的至少两个腔室中的至少一个腔室中设置电磁屏蔽组件，可屏蔽电磁波通过共有气道在工艺腔室之间传播。由此，可以避免工艺腔室之间的相互干扰，尤其可以使电磁屏蔽组件所在的工艺腔室在单腔工作时，不会通过共有气道向另外的腔室传播电磁波，减小了单腔工作时的功率损失。图1所示的电磁屏蔽组件的设置仅是本专利技术的一种实施方式，电磁屏蔽组件还可以同时设置在工艺腔室和共有气道中，或者仅设置在共有气道中，这些实施方式将在下面的实施例中进行说明。进一步的，如图1所示，本实施例中，工艺腔室2中设置有下电极组件21。电磁屏蔽组件3包括：环绕下电极组件21设置且接地的下电极屏蔽组件31，用于屏蔽下电极组件21辐射的电磁波。具体地，下电极组件21可以包括：卡盘211、以及包围在卡盘211外围的支撑环212、绝缘环213、聚焦环214。在卡盘的轴向方向，支撑环212、绝缘环213以及聚焦环214由下自上依次设置。需要说明的是，聚焦环214的材料可以采用陶瓷和石英，图1中聚焦环214的材料包括陶瓷和石英两种不同材料，支撑环212、绝缘环213的材料均为陶瓷。本实施例提供的半导体设备，针对通过共有气道相连的两个工艺腔室，环绕下电极组件设置了接地的下电极屏蔽组件，下电极屏蔽组件用于屏蔽下电极组件辐射的电磁波，使下电极组件向共有气道传播的电磁波减少，从而达到通过电磁屏蔽组件屏蔽由共有气道传播的电磁波的目的，避免了工艺腔室之间的相互干扰，减小了单腔起辉下造成的功率损失。可选地，如图2所示，为本专利技术第一个实施例中下电极屏蔽组件的结构示意图，在图2中，下电极屏蔽组件31包括：屏蔽环311，该屏蔽环311的内周壁和外周壁分别与下电极组件21的外周壁和工艺腔室2的内周壁相接触，可选的，屏蔽环311还可与工艺腔室2固定连接。并且，屏蔽环311上开设有多个沿其轴向的通孔312，用以供气体通过。可选的，上述屏蔽环311可兼用作匀流板，在这种情况下，可以使多个通孔312沿屏蔽环311的周向均匀分布，以起到匀流作用。在实际应用中，可以在工艺腔室中仅设置兼具匀流功能和屏蔽功能的屏蔽环311，或者也可以在设置屏蔽环311的同时，另外设置匀流板，该匀流板置在屏蔽环311的上方或下方，优选的，与屏蔽环311同轴设置。本实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，其特征在于，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：通过共有气道相连的至少两个工艺腔室，其特征在于，还包括：电磁屏蔽组件，所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中，所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室中设置有下电极组件；
所述电磁屏蔽组件包括：环绕所述下电极组件设置且接地的下电极屏蔽组件，用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。


3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽环，所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触，并且，在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。


4.根据权利要求3所述的半导体设备，其特征在于，
所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。


5.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述下电极屏蔽组件包括：屏蔽筒，所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽萍，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11