半导体设备制造技术

技术编号:24332928 阅读:26 留言:0更新日期:2020-05-29 20:37
本发明专利技术提供一种半导体设备,包括:通过共有气道相连的至少两个工艺腔室,还包括:电磁屏蔽组件,所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中,所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。通过本发明专利技术,减小了工艺腔室之间由于电磁环境差异导致的干扰。

Semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体设备
本专利技术涉及半导体制造领域,具体地,涉及一种半导体设备。
技术介绍
目前,高频电路工作时,会向外辐射电磁波从而对邻近的设备产生干扰,此外,空间的各种电磁波会感应到电路中,对电路本身造成干扰。电磁屏蔽的作用就是切断电磁波的传播途径,进而消除干扰。半导体设备中,采用共有气道、共有下电极结构的腔室能够节约成本,但是个工艺腔室并不是完全一致的,在进行工艺时,各工艺腔室中的电磁环境还是会有差异的。由于各工艺腔室之间有共有气道且公用下电极结构,会导致各工艺腔室互相造成干扰。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种半导体设备。根据本专利技术的一个方面,提供了一种半导体设备,包括:通过共有气道相连的至少两个工艺腔室,还包括:电磁屏蔽组件,电磁屏蔽组件在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中,所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。优选地,所述工艺腔室中设置有下电极组件;所述电磁屏蔽组件包括:环绕所述下电极组件且接地的下电极屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备,包括:通过共有气道相连的至少两个工艺腔室,其特征在于,还包括:电磁屏蔽组件,所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中,所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备,包括:通过共有气道相连的至少两个工艺腔室,其特征在于,还包括:电磁屏蔽组件,所述电磁屏蔽组件设置在至少一个所述工艺腔室和/或所述共有气道中,所述电磁屏蔽组件用于屏蔽电磁波通过所述共有气道在所述工艺腔室之间传播。


2.根据权利要求1所述的半导体设备,其特征在于,所述工艺腔室中设置有下电极组件;
所述电磁屏蔽组件包括:环绕所述下电极组件设置且接地的下电极屏蔽组件,用于屏蔽所述下电极组件辐射的电磁波。


3.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于,所述下电极屏蔽组件包括:屏蔽环,所述屏蔽环的内周壁和外周壁分别与所述下电极组件的外周壁和所述工艺腔室的内周壁相接触,并且,在所述屏蔽环上开设有多个沿其轴向的通孔。


4.根据权利要求3所述的半导体设备,其特征在于,
所述屏蔽环的顶面与所述下电极组件的顶面相平齐。


5.根据权利要求2所述的半导体设备,其特征在于,所述下电极屏蔽组件包括:屏蔽筒,所述屏蔽筒环绕设置在所述下电极组件的外...

【专利技术属性】
技术研发人员:王丽萍
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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