【技术实现步骤摘要】
一种多区控温等离子反应器
本专利技术涉及等离子反应器，特别涉及等离子反应器的中多区控温基座的控温装置。
技术介绍
半导体芯片生产过程中，需要进行大量的微观加工，常见的等离子刻蚀反应器能够在晶圆上形成各种微米甚至纳米级尺寸的通孔或沟槽，再结合其它化学气相沉积等工艺，最终形成各种半导体芯片成品。随着刻蚀工艺要求日益提高，等离子处理过程中对晶圆或基片温度的控制精度要求也越来越高。原有从内到外2到3个圆环的独立控温区域，对于同一个控制区域内不同部位存在的温度差已经无法满足工艺要求了。为了进一步提高对晶圆的温度控制能力，现有技术提出了矩阵式排布的独立控制的加热器阵列，集成在静电夹盘和作为下电极的导电基座之间。如图1所示为典型的等离子反应器，包括腔体100，腔体内底部为导电基座30，导电基座同时作为下电极连接到至少一个高频射频电源19，点燃晶圆(或其它形状的基片)上方的等离子体后，射频电源19可以调节等离子浓度或者能量。等离子反应器中还可以设置其它的射频电源，比如将射频电源连接到反应腔内顶部的气体喷头，或者一个电感线圈设置在反应...
【技术保护点】
1.一种等离子反应器，包括：/n反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；/n反应空间底部包括一个基座，用于支撑基片；/n一射频电源输出射频功率到反应腔体内，以产生并维持等离子体；/n基座中包括一个电极和位于电极上方的静电夹盘，所述静电夹盘包括多层绝缘材料层，至少一层绝缘材料层中包括一加热器组，加热器组中包括多个加热模块，每个加热模块与上方基片的不同部位对应，/n其中每个加热模块包括串联的一个加热器和一个电子开关，所述加热模块的一端连接到加热电源另一端连接到接地端；/n一加热控制器包括一接收端用于接收温度控制信号，还包括一驱动信号输出端连接到所述电子开关，用于输出所述电子开关...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种等离子反应器，包括：
反应腔体，所述反应腔体围绕形成反应空间；
反应空间底部包括一个基座，用于支撑基片；
一射频电源输出射频功率到反应腔体内，以产生并维持等离子体；
基座中包括一个电极和位于电极上方的静电夹盘，所述静电夹盘包括多层绝缘材料层，至少一层绝缘材料层中包括一加热器组，加热器组中包括多个加热模块，每个加热模块与上方基片的不同部位对应，
其中每个加热模块包括串联的一个加热器和一个电子开关，所述加热模块的一端连接到加热电源另一端连接到接地端；
一加热控制器包括一接收端用于接收温度控制信号，还包括一驱动信号输出端连接到所述电子开关，用于输出所述电子开关的驱动信号；所述加热控制器中还包括至少一光电驱动电路，使得所述加热控制器的接收端与所述驱动信号输出端之间互相电隔离。
2.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述接收端通过一光缆接收温度控制信号。
3.一种使用权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述光电驱动电路包括一光耦。
4.如权利要求1所述的等离子反应器，其特征在于，所述加热器组中的多个加热模块固定连接到加热电源或者接地端。
技术研发人员：倪图强，李天笑，谢林，周晓锋，梅锐，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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