电感耦合装置和半导体处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电感耦合装置和半导体处理设备。所述电感耦合装置包括射频电源、介质筒以及环绕在所述介质筒的周向侧壁且沿其轴向依次并列设置的至少两组射频线圈及直流电源，每组所述射频线圈的输入端均与所述射频电源和所述直流电源的第一极电连接，每组所述射频线圈的输出端均与所述直流电源的第二极电连接并接地设置，以在介质筒内形成对应每组所述射频线圈的电离区。借助所设计的多组射频线圈的结构，在同样射频功率条件下，通过每组射频线圈的电流降低，从而有效减小了高功率密度导致的趋肤效应问题，并且，工艺气体可以依次经过两个电离区，实现多次电离，可以有效提高感应耦合功率利用效率，最终可以提高等离子体密度。

Inductive coupling device and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
电感耦合装置和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种电感耦合装置和一种包括该电感耦合装置的半导体处理设备。
技术介绍
随着三维叠层封装、微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)封装、垂直集成传感器阵列以及台面金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)功率器件倒装焊接技术的开发，硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。为了实现较高的刻蚀选择比及刻蚀速率，往往采用远程高密度等离子体(RemoteHighDensityPlasma，RemoteHDP)，此时基片位于等离子体下游，自由基浓度高，离子密度低，可以减少离子轰击导致的掩膜层的损失，因此可以兼顾实现高刻蚀速率及选择比。在远程等离子体中，通常采用螺线管线圈感应耦合等离子体源，其中，等离子体通过螺线管天线产生，并在下电极偏压的作用下，实现等离子体密度与能量的独立控制。对螺线管感应耦合等离子体源，线圈与等离子体之间存在容性耦合和感性耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电感耦合装置，用于半导体处理设备中电离工艺气体形成等离子体，所述电感耦合装置包括射频电源以及介质筒，其特征在于，所述电感耦合装置还包括环绕在所述介质筒的周向侧壁且沿其轴向依次并列设置的至少两组射频线圈以及直流电源；其中，/n每组所述射频线圈的输入端均与所述射频电源和所述直流电源的第一极电连接，每组所述射频线圈的输出端均与所述直流电源的第二极电连接并接地设置，以在所述介质筒内形成对应每组所述射频线圈的电离区。/n

【技术特征摘要】
1.一种电感耦合装置，用于半导体处理设备中电离工艺气体形成等离子体，所述电感耦合装置包括射频电源以及介质筒，其特征在于，所述电感耦合装置还包括环绕在所述介质筒的周向侧壁且沿其轴向依次并列设置的至少两组射频线圈以及直流电源；其中，
每组所述射频线圈的输入端均与所述射频电源和所述直流电源的第一极电连接，每组所述射频线圈的输出端均与所述直流电源的第二极电连接并接地设置，以在所述介质筒内形成对应每组所述射频线圈的电离区。


2.根据权利要求1所述的电感耦合装置，其特征在于，所述电感耦合装置还包括第一滤波器和第二滤波器，其中，
各所述射频线圈的输入端经由所述第一滤波器与所述直流电源的第一极电连接，各所述射频线圈的输出端经由所述第二滤波器与所述直流电源的第二极电连接。


3.根据权利要求2所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第一滤波器和所述第二滤波器均为低通滤波器。


4.根据权利要求2所述的电感耦合装置，其特征在于，所述第一滤波器包括第一电感和第一电容，所述第二滤波器包括第二电感和第二电容；其中，
所述第一电感的第一端分别与所述直流电源的第一极以及所述第一电容的第一端电连接，所述第一电感的第二端分别与各所述射频线圈的输入端电连接，所述第一电容的第二端接地；
所述第二电感的第一端分别与各所述射频线圈的输出端电连接，所述第二电感的第二端分别与所述直流电源的第二极以及所述第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端接地。


5.根据权利要求4所述的电感耦合装置，其特征在于，所述电感耦合装置还包括隔直电容、匹配器和接地电容；其中，
所述隔直电容的第一端通过所述匹配器与所述射频电源电连接，所述隔直电容的第二端分别与各所述射...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴存，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11