半导体结构的制造方法及电浆处理设备技术

一种半导体结构的制造方法及电浆处理设备。半导体结构的制造方法包括在制程腔室中放置晶圆。在制程腔室中形成电浆以处理晶圆。侦测晶圆周边区域上方的电浆浓度。根据侦测到的电浆浓度调整晶圆周边区域上的电浆分布。

Manufacturing method of semiconductor structure and plasma processing equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法及电浆处理设备
本揭露是关于一种制造半导体结构的方法及电浆处理设备。
技术介绍
在制造集成电路中，使用图案化技术，例如微影及蚀刻，在晶圆上的元件晶粒中形成各种特征，例如多晶硅线、元件(例如晶体管、二极管等)、互连结构、接触焊垫等。随着集成电路中的设计特征变得日益复杂(例如，具有更小的临界尺寸及/或更复杂的形状)，复杂的图案化制程可用于形成单个特征。然而，由于制程限制，晶圆内各种图案化特征的临界尺寸可能不均匀，此可能降低元件/晶粒的效能。
技术实现思路
一种半导体结构的制造方法，包括：放置晶圆在制程腔室中；形成电浆在制程腔室中以处理晶圆；侦测晶圆的周边区域上的电浆浓度；以及根据侦测到的电浆浓度调节晶圆的周边区域上方的电浆分布。一种半导体结构的制造方法，包括：决定制程腔室中期望的电浆分布；根据所述期望的电浆分布设置顶部框架在制程腔室中；设置晶圆在制程腔室中的基座上，其中所述顶部框架围绕晶圆；以及形成电浆在制程腔室中以处理晶圆。一种电浆处理设备，包括：制程腔室、基座、顶部电极、第一直流电/交流电射频源、感测器、控制模块以及电场。基座位于制程腔室中，其包括顶部框架及边缘电场产生器，其中边缘电场产生器配置以在顶部框架处产生电场；顶部电极位于制程腔室中及基座上方；第一直流电/交流电射频源，连接到基座及顶部电极，以在基座及顶部电极之间产生射频电磁场；感测器位于基座上方，配置以侦测顶部框架上的电浆浓度；控制模块，连接到感测器及边缘电场产生器，以及配置以根据侦测到的电浆浓度控制边缘电场产生器的电场。附图说明本揭露的一实施例的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。图1是根据一些实施例的电浆处理设备的一示意图；图2A至图2E是根据一些实施例的图1中基座的区域横截面视图；图3是为图1的底部介电片材的俯视图；图4是根据一些实施例的电浆处理设备的一示意图；图5A至图5E是根据一些实施例的图4中基座的区域横截面视图；图6是图4的底部介电片材的俯视图；图7A至图7F绘示根据一些实施例处于各个阶段的半导体结构；图8A是依据本揭露的一些实施例的蚀刻制程的一方法的流程图；图8B是依据本揭露的一些实施例的蚀刻制程的一方法的流程图；图9A是依据本揭露的一些实施例的沉积制程的一方法的流程图；图9B是依据本揭露的一些实施例的沉积制程的一方法的流程图；图10A是根据一些实施例的图1的基座顶部框架的一示意图；图10B至图10C是根据一些实施例的图10A中线A-A的横截面视图；图10D是根据一些实施例的图1的基座顶部框架的一示意图；图11是依据本揭露的一些实施例的蚀刻制程的一方法的流程图；图12A是根据一些实施例的图4的基座顶部框架的一示意图；图12B至图12C是根据一些实施例的图10A中线A-A的横截面视图；图12D是根据一些实施例的图4的基座顶部框架的一示意图；图13是依据本揭露的一些实施例的沉积制程的一方法的流程图；图14A至图14G绘示根据一些实施例处于各个阶段的半导体结构；图15A至图15E绘示根据一些实施例处于各个阶段的半导体结构。【符号说明】12操作14操作16操作18操作20操作22操作24操作28操作32操作34操作36操作38操作40操作42操作44操作48操作52操作54操作56操作58操作72操作74操作76操作78操作100电浆处理设备102外部制程气体源110制程腔室112侧壁114容纳空间116入口端口120基座122顶部介电片材124底部介电片材124A内部区域124B中间区域124C中间区域124D外部区域125导电片材126顶部框架126a第一部分126a'第一部分126b第二部分126b'第二部分126c'第三部分128底部框架129边缘电场产生器129a导电元件129b第二直流电/交流电射频源150顶部电极170感测模块162(160)射频源164(160)偏压元件180控制模块190温度控制器200电浆处理设备202外部前驱气体源210制程腔室212侧壁214容纳空间218泵送通道220基座222顶部介电片材224底部介电片材224A内部区域224B中间区域224C中间区域224D外部区域225导电片材226顶部框架226a第一部分226a'第一部分226b第二部分226b'第二部分226c'第三部分228底部框架229边缘电场产生器229a导电元件229b第二直流电/交流电射频源250喷淋头252入口路径254孔262(260)射频源264(260)偏压元件270感测模块280控制模块290温度控制器310基板312顶表面314c沟槽314p沟槽316半导体鳍320遮罩层322开口330保护层332开口340衬垫层340'衬垫层350介电材料350'隔离材料410基板412半导体鳍414通道部分416未覆盖部分430栅电介质440虚设层442虚设栅极443侧壁445开口450栅极间隔物460磊晶结构470层间电介质480栅电极482高κ介电层484功函数金属层486填充金属490遮罩层492氮化硅层494氧化物层510晶圆512第一层间电介质(ILD)514导体515蚀刻停止层520第二ILD522开口524沟槽532通孔534导线560抗反射涂层570硬遮罩层P电浆W晶圆Wc中心区域Wp周边区域M10方法M10'方法M30方法M30'方法M50方法M70方法具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n放置一晶圆在一制程腔室中；/n形成一电浆在该制程腔室中以处理该晶圆；/n侦测该晶圆的一周边区域上的一电浆浓度；以及/n根据侦测到的该电浆浓度调节该晶圆的该周边区域上方的一电浆分布。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,678;20190724 US 16/520,5681.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
放置一晶圆在一制程腔室中；
形成一电浆在该制程腔室中以处理该晶圆；
侦测该晶圆的一周边区域上的一电浆浓度；以及
根据侦测到的该电浆浓度调节该晶圆的该周边区域上方的一电浆分布。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，调节该晶圆的该周边区域上的该电浆分布包括根据侦测到的该电浆浓度在该晶圆的该周边区域产生一电场。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成该电浆在该制程腔室中以处理该晶圆包括在该制程腔室中产生一射频电磁场。


4.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
决定一制程腔室中一期望的电浆分布；
根据该期望的电浆分布设置一顶部框架在该制程腔室中；
设置一晶圆在该制程腔室中的一基座上，其中该顶部框架围绕该晶圆；以及
形成一电浆在该制程腔室中以处理该晶圆。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，该顶部框架包括一第一部分及具有不同于该第一部分的一带隙的一第二部分，以及该第一部分及...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖汉文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71