聚焦环高度控制装置及具备其基板蚀刻装置制造方法及图纸

技术编号:24332926 阅读:29 留言:0更新日期:2020-05-29 20:37
本发明专利技术提供一种利用通过电机而以上下方向运行的升降机顶升销而补偿聚焦环的倾斜度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。聚焦环高度控制装置包括:聚焦环;第一升降机顶升销,从一侧上升而与聚焦环接触;及第二升降机顶升销,从另一侧上升而与聚焦环接触,其中,第一升降机顶升销与第二升降机顶升销上升,直至全部与聚焦环接触时为止,而补偿聚焦环的倾斜度。

Focusing ring height control device and substrate etching device thereof

【技术实现步骤摘要】
聚焦环高度控制装置及具备其基板蚀刻装置
本专利技术涉及一种调节形成于基板的边缘的聚焦环的高度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。
技术介绍
半导体元件通过在晶片(wafer)上形成规定的图案而制造。在晶片上形成规定的图案时,连续执行沉积工艺(depositingprocess)、光刻工艺(lithographyprocess)、蚀刻工艺(etchingprocess)等各种工艺。现有技术文献【专利文献】韩国公开专利第10-2007-0008980号(公开日:2007.01.18.)专利技术的内容专利技术要解决的问题在蚀刻工艺中,在对安装在静电卡盘(ESC;Electro-StaticChuck)上的晶片进行蚀刻时,在晶片的边缘形成聚焦环(focusring)。聚焦环起到减少因不均匀的等离子体分布而产生的晶片的蚀刻不均匀度的作用。但因在晶片被蚀刻时,聚焦环也能够被蚀刻,由此,在晶片的蚀刻工艺之后,需要调节聚焦环的高度而按被蚀刻的聚焦环的高度程度进行补偿的技术。本专利技术中要解决的课题为提供一种聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置,利用通过电机(motor)而以上下方向运行的升降机顶升销(liftpin),而补偿聚焦环的倾斜度。本专利技术的课题并非通过上述言及的课题限制,未言及的或其它课题通过下面的记载而使本专利技术技术人员明确理解。用于解决问题的技术方案用于实现所述课题的本专利技术的聚焦环高度控制装置的一方面(aspect),包括:聚焦环(focusring);第一升降机顶升销,从一侧上升而与所述聚焦环接触;及第二升降机顶升销,从另一侧上升而与所述聚焦环接触,其中,使所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销上升,直至全部与所述聚焦环接触时为止,而补偿所述聚焦环的倾斜度。所述聚焦环,所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销由导电性物质形成。所述导电性物质为碳化硅(SiC)与二氧化钛(TiO2)中的任一个。所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销进行电连接,基于在所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销之间是否构成闭合电路,判断所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销是否全部与所述聚焦环接触。所述聚焦环高度控制装置还包括:电信号施加部,设置在电连接所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的配线上,施加电信号;及电信号测定部,设置在所述配线上,判断所述电信号是否流动,其中,利用所述电信号施加部与所述电信号测定部而判断所述闭合电路构成与否。所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销以相同的速度持续上升,直至判断构成为所述闭合电路时为止。所述聚焦环高度控制装置还包括:第一升降机顶升销运行控制部,以上下方向移动所述第一升降机顶升销;及第二升降机顶升销运行控制部,以上下方向移动所述第二升降机顶升销,其中,所述第一升降机顶升销运行控制部与所述第二升降机顶升销运行控制部具有步进式电机,并调节所述步进式电机的脉冲而控制所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的移动距离。用于实现所述课题的本专利技术的基板蚀刻装置的一方面包括:外壳;喷头,设置在所述外壳的内部,作为上部电极执行功能;基座,设置在所述外壳的内部,作为下部电极执行功能;静电卡盘(ESC),设置在所述基座上,供安装基板(wafer);及聚焦环高度控制装置,包括:聚焦环(focusring),以环绕所述基板的方式形成在所述基座上;第一升降机顶升销,从一侧上升而与所述聚焦环接触;及第二升降机顶升销,从另一侧上升而与所述聚焦环接触,其中,使所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销上升,直至全部与所述聚焦环接触时为止,而补偿所述聚焦环的倾斜度。其它实施例的具体事项包含于具体说明及附图中。附图说明图1为简要显示基板蚀刻设备的一个实施形式的概念图;图2为简要显示构成基板蚀刻设备的工艺腔体的一个实施形式的截面图;图3为简要显示本专利技术的一个实施例的聚焦环高度控制装置的概念图;图4为简要显示本专利技术的另一实施例的聚焦环高度控制装置的概念图;图5为简要显示本专利技术的又一实施例的聚焦环高度控制装置的概念图;图6为显示利用本专利技术的一个实施例的聚焦环高度控制装置而补偿聚焦环的高度的方法的流程图。附图标记说明100:基板蚀刻设备110:导件111:运送机器人112:FOUP113:有杆腔120:负载锁定室121:缓冲平台130:移送腔体131:运送机器人140:工艺腔体210:外壳220:基座230:静电卡盘240:聚焦环251:热媒体流路252:气体流路255:高频率电源256:排气环257:排气口261:喷头265:气体供应器300:聚焦环高度控制装置310:升降机顶升销320:升降机顶升销运行控制部330:电信号施加部340:电信号测定部351、352:开关元件具体实施方式下面,参照附图对本专利技术的优选的实施例进行具体说明。本专利技术的优点及特征以及实现其的方法参照同附图一起而说明的实施例而变得明确。但本专利技术并非限定于下面公开的实施例,而能够以相互不同的各种形式实现,仅本实施例完全公开本专利技术,用于向本专利技术所属
的普通技术人员完全告知专利技术的范围而提供,本专利技术仅通过权利要求范围定义。整个说明书相同的参照符号表示相同的构成要素。元件(elements)或层处于不同的元件或层的“上(on)”或“上面(on)”包含直接处于其它元件或层上或在中间介有其它层或其它元件的情况。而对于称元件为“直接处于上(directlyon)”或“直接处于上面”的情况,显示在中间未介有其它元件或层的情况。空间上相对的用语即“下(below)”、“下面(beneath)”、“下部(lower)”、“上(above)”、“上部(upper)”等如显示于附图上所示,用于容易记述一个元件或构成要素与其它元件或构成要素的相互关系而使用。空间上相对的用语在对于显示于附图中的方向而使用时或运行时,应以按包含元件的相互不同的方向的用语理解。例如,对于翻转显示于附图的元件的情况,记述为其它元件的“下(below)”或“下面(beneath)”的元件被放置在其它元件的“上(above)”。因此,例示的用语即“下”全部包含下与上的方向。元件也能够按其它方向配置,由此,空间上相对的用语按配向解释。即使用于叙述第一、第二等不同的元件、构成要素及/或部分而使用,但该多个元件、构成要素及/或部分未通过该多个用语限定。该用语仅将一个元件、构成要素或部分与其它元件、构成要素或部分区别而使用。因此,下面言及的第一元件、第一构成要素或第一部分在本专利技术的记述的思想内也能够指第二元件、第二构成要素或第二部分。在本说明书中使用的用语为用于说明实施例,并非限制本专利技术。在本说明书中,单数型在文中未作特别言本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种聚焦环高度控制装置,其特征在于,/n包括:/n聚焦环;/n第一升降机顶升销,从一侧上升而与所述聚焦环接触;及/n第二升降机顶升销,从另一侧上升而与所述聚焦环接触,/n上升所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销,直至全部与所述聚焦环接触时为止,而补偿所述聚焦环的倾斜度。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01457381.一种聚焦环高度控制装置,其特征在于,
包括:
聚焦环;
第一升降机顶升销,从一侧上升而与所述聚焦环接触;及
第二升降机顶升销,从另一侧上升而与所述聚焦环接触,
上升所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销,直至全部与所述聚焦环接触时为止,而补偿所述聚焦环的倾斜度。


2.根据权利要求1所述的聚焦环高度控制装置,其特征在于,
所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销由导电性物质形成。


3.根据权利要求2所述的聚焦环高度控制装置,其特征在于,
所述导电性物质为碳化硅与二氧化钛中的任一个。


4.根据权利要求1所述的聚焦环高度控制装置,其特征在于,
所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销电连接,
基于所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销之间是否构成闭合电路,而判断所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销是否全部与所述聚焦环接触。


5.根据权利要求4所述的聚焦环高度控制装置,其特征在于,
还包括:
电信号施加部,设置在电连接所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的配线上,而施加电信号;及
电信号测定部,设置在所述配线上,而判断所述电信号流动与否,
利用所述电信号施加部与所述电信号测定部而判断是否构成所述闭合电路。


6.根据权利要求4所述的聚焦环高度控制装置,其特征在于,
所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销以相同...

【专利技术属性】
技术研发人员:金炳奎孙德铉
申请(专利权)人:细美事有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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