聚焦环高度控制装置及具备其基板蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种利用通过电机而以上下方向运行的升降机顶升销而补偿聚焦环的倾斜度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。聚焦环高度控制装置包括：聚焦环；第一升降机顶升销，从一侧上升而与聚焦环接触；及第二升降机顶升销，从另一侧上升而与聚焦环接触，其中，第一升降机顶升销与第二升降机顶升销上升，直至全部与聚焦环接触时为止，而补偿聚焦环的倾斜度。

Focusing ring height control device and substrate etching device thereof

【技术实现步骤摘要】
聚焦环高度控制装置及具备其基板蚀刻装置
本专利技术涉及一种调节形成于基板的边缘的聚焦环的高度的聚焦环高度控制装置及具备其的基板蚀刻装置。
技术介绍
半导体元件通过在晶片(wafer)上形成规定的图案而制造。在晶片上形成规定的图案时，连续执行沉积工艺(depositingprocess)、光刻工艺(lithographyprocess)、蚀刻工艺(etchingprocess)等各种工艺。现有技术文献【专利文献】韩国公开专利第10-2007-0008980号(公开日:2007.01.18.)专利技术的内容专利技术要解决的问题在蚀刻工艺中，在对安装在静电卡盘(ESC；Electro-StaticChuck)上的晶片进行蚀刻时，在晶片的边缘形成聚焦环(focusring)。聚焦环起到减少因不均匀的等离子体分布而产生的晶片的蚀刻不均匀度的作用。但因在晶片被蚀刻时，聚焦环也能够被蚀刻，由此，在晶片的蚀刻工艺之后，需要调节聚焦环的高度而按被蚀刻的聚焦环的高度程度进行补偿的技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚焦环高度控制装置，其特征在于，/n包括：/n聚焦环；/n第一升降机顶升销，从一侧上升而与所述聚焦环接触；及/n第二升降机顶升销，从另一侧上升而与所述聚焦环接触，/n上升所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销，直至全部与所述聚焦环接触时为止，而补偿所述聚焦环的倾斜度。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01457381.一种聚焦环高度控制装置，其特征在于，
包括：
聚焦环；
第一升降机顶升销，从一侧上升而与所述聚焦环接触；及
第二升降机顶升销，从另一侧上升而与所述聚焦环接触，
上升所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销，直至全部与所述聚焦环接触时为止，而补偿所述聚焦环的倾斜度。


2.根据权利要求1所述的聚焦环高度控制装置，其特征在于，
所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销由导电性物质形成。


3.根据权利要求2所述的聚焦环高度控制装置，其特征在于，
所述导电性物质为碳化硅与二氧化钛中的任一个。


4.根据权利要求1所述的聚焦环高度控制装置，其特征在于，
所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销电连接，
基于所述聚焦环、所述第一升降机顶升销及所述第二升降机顶升销之间是否构成闭合电路，而判断所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销是否全部与所述聚焦环接触。


5.根据权利要求4所述的聚焦环高度控制装置，其特征在于，
还包括：
电信号施加部，设置在电连接所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销的配线上，而施加电信号；及
电信号测定部，设置在所述配线上，而判断所述电信号流动与否，
利用所述电信号施加部与所述电信号测定部而判断是否构成所述闭合电路。


6.根据权利要求4所述的聚焦环高度控制装置，其特征在于，
所述第一升降机顶升销与所述第二升降机顶升销以相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：金炳奎，孙德铉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR