晶圆清洗设备中的清洗喷头、晶圆清洗方法及设备技术

本发明专利技术提供一种晶圆清洗设备中的清洗喷头、晶圆清洗方法及设备，该清洗喷头包括喷头本体，所述喷头本体中设置有混合腔及均与所述混合腔连通的清洗液通道、至少两条气体通道、喷淋通道，所述清洗液通道用于向所述混合腔中通入清洗液，所述至少两条气体通道用于向所述混合腔中通入清洗气体，所述清洗液和所述清洗气体在所述混合腔混合后通过所述喷淋通道喷出；所述喷淋通道的喷淋口位于所述喷头本体的喷淋面上，所述喷淋面为内锥面，所述喷淋口位于所述喷淋面的中心位置。应用本发明专利技术可以将少量清洗液打散成大量小液滴，以小液滴的形式向晶圆进行喷淋，可有效节省清洗液的用量，节约清洗成本。

Cleaning nozzle, wafer cleaning method and equipment in wafer cleaning equipment

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗设备中的清洗喷头、晶圆清洗方法及设备
本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种晶圆清洗设备中的清洗喷头、晶圆清洗方法及设备。
技术介绍
在半导体工艺制程中，通常采用稀释氟化氢(DHF)去除晶圆表面的氧化层，但是采用DHF去除晶圆表面的氧化层后裸露出的晶圆表面为疏水界面，疏水界面的表面张力大易产生水痕和颗粒。目前，为了防止水痕和颗粒的产生，通常采用具有表面活性剂的溶液清洗去除晶圆表面氧化层后的晶圆。具体地，应用槽式清洗设备，采用异丙醇(IsopropylAlcohol，IPA)雾化干燥机，把IPA液体加热至82.7℃，液体达到该温度后会气化，然后再利用石英缸顶部冷却盘管使它直接落在要清洗的硅片上，使硅片得以清洗干净，再利用设备的提升机构把花篮(或其它晶圆承载装置)中的晶圆提起来。但是，目前的槽式清洗方法由于每槽清洗药液(IPA)用量很大，槽中的清洗药液需要反复利用，这样就造成了后面清洗的晶圆没有前面清洗的晶圆效果好。而如果清洗一批晶圆就更换清洗药液，则会造成化学药液的浪费以及成本的增加；同时槽式清洗本身的微环境控制没本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗设备中的清洗喷头，其特征在于，包括喷头本体，所述喷头本体中设置有混合腔及均与所述混合腔连通的清洗液通道、至少两条气体通道、喷淋通道，所述清洗液通道用于向所述混合腔中通入清洗液，所述至少两条气体通道用于向所述混合腔中通入清洗气体，所述清洗液和所述清洗气体在所述混合腔混合后通过所述喷淋通道喷出；所述喷淋通道的喷淋口位于所述喷头本体的喷淋面上，所述喷淋面为内锥面，所述喷淋口位于所述喷淋面的中心位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗设备中的清洗喷头，其特征在于，包括喷头本体，所述喷头本体中设置有混合腔及均与所述混合腔连通的清洗液通道、至少两条气体通道、喷淋通道，所述清洗液通道用于向所述混合腔中通入清洗液，所述至少两条气体通道用于向所述混合腔中通入清洗气体，所述清洗液和所述清洗气体在所述混合腔混合后通过所述喷淋通道喷出；所述喷淋通道的喷淋口位于所述喷头本体的喷淋面上，所述喷淋面为内锥面，所述喷淋口位于所述喷淋面的中心位置。


2.根据权利要求1所述的清洗喷头，其特征在于，所述喷淋面与所述喷淋口的轴线的夹角的取值范围为50°～70°。


3.根据权利要求1所述的清洗喷头，其特征在于，所述喷淋通道与所述混合腔的连接部为曲面，所述喷淋通道与所述喷淋面的连接部为曲面。


4.根据权利要求1所述的清洗喷头，其特征在于，所述清洗液通道的直径的取值范围为2～3mm，所述气体通道的直径的取值范围为4～6mm，所述喷淋口的直径的取值范围为2～5mm。


5.根据权利要求1-4任一项所述的清洗喷头，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洁，巫双，张凇铭，裴立坤，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11