本发明提供一种晶圆承载托盘及半导体加工设备，该晶圆承载托盘设置于半导体工艺腔室的卡盘上，所述托盘包括顶面和底面；所述顶面上开设有多个用于容置晶圆的容置槽，所述托盘的底面上开设有多条冷却沟槽；所述冷却沟槽与所述卡盘的冷却通道连通；所述冷却...

本发明公开了一种进气系统和进气方法。进气系统包括载气管路、工艺气体源瓶、工艺气体出气管路、排气管路以及保护组件；载气管路的第一端用于与载气源瓶连接，第二端与排气管路的进气端连接，第三端用于向工艺气体源瓶中通入载气，排气管路的出气端用于向...

一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所...

本发明提供一种半导体设备控制系统的启动方法，所述半导体设备包括多个执行单元，所述方法包括：依次扫描所述多个执行单元；在扫描当前执行单元成功时，继续扫描下一所述执行单元；在扫描当前执行单元失败时，记录失败信息，并继续扫描下一所述执行单元；...

本发明提供一种外延反应腔室，包括上穹顶、下穹顶、遮挡件以及设置于上穹顶与下穹顶之间的腔室侧壁，腔室侧壁上设置有用于工艺气体通入的第一进气口以及用于工艺气体排出的第一出气口，遮挡件与上穹顶相对设置，且位于第一出气口的上方，用于阻挡工艺气体...

本发明提供一种进气装置，所述进气装置用于化学气相沉积设备，所述进气装置包括沿进气方向间隔设置的多级气体混合腔，相邻两级气体混合腔之间通过若干个间隔设置的通道相连通，其中，任意一级所述气体混合腔的腔壁上均设置有至少一个进气口，每个所述进气...

本发明提供的升降装置和清洗系统，用于驱动腔体进行升降运动，其包括主升降机构与辅助调节机构，主升降机构通过升降臂和支撑组件驱动腔体进行主升降，辅助调节机构与升降臂连接，用于调节腔体的水平中心线与水平面的夹角。借助本发明的升降装置，一方面，...

本发明提供一种喷淋装置及清洗设备，该喷淋装置包括第一喷嘴，该第一喷嘴包括：进液通道，用于输送清洗液体；雾化结构，与进液通道的出液端连接，用于将自进液通道流出的液体雾化形成液滴；进气通道，用于输送气体；以及喷气结构，与进气通道的出气端连接...

本申请涉及半导体设备的反应腔冷却装置。该装置包括：反应腔冷却装置包括液槽、液道隔板和挡液条：所述液槽包括液槽底板和液槽侧板；所述反应腔置于所述液槽中，且所述液槽用于容纳冷却液；所述液槽侧板分立于所述液槽底板的左右两侧；所述挡液条分立于所...

本发明公开了一种腔室用清洗装置、清洗方法及半导体处理设备。包括清洗等离子体源以及与清洗等离子体源连接的匀流件，匀流件上设置有加热带；加热带在匀流件的表面排列成若干个同心环状结构，并且，各同心环状结构的加热功率可调，以选择性地使得匀流件具...

本发明提供一种清洗方法及清洗设备，该清洗方法包括：第一清洗步骤，用于去除晶片表面的氧化膜；第二清洗步骤，用于去除在晶片表面残留的反应产物和废液，并在晶片表面上形成液膜；第三清洗步骤，分为多个清洗阶段，每个清洗阶段所采用的晶片转速不同，同...

本发明公开了一种线圈组件及半导体设备，线圈组件包括：多组感应线圈，多组感应线圈之间并联连接，且多组感应线圈呈放射状分布。有效避免线圈组件扩大线圈组件覆盖范围时出现驻波，有效保证采用线圈组件的半导体设备大面积均匀等离子体的产生。

本发明提供的温度控制系统和温度控制方法，包括可变电阻元件和控制模块，可变电阻元件与加热元件串联，控制模块用于根据加热元件的阻值变化调节可变电阻元件的阻值大小，以使加热元件的阻值与可变电阻元件的阻值之和维持在预定阻值。通过设置可变电阻元件...

本申请实施例提供了一种射频引入装置及半导体加工设备。该射频引入装置用于向位于半导体工艺炉内部的晶舟引入射频，包括：支撑机构、前射频机构及后射频机构；支撑机构包括支撑杆，且支撑杆的第一端与半导体工艺炉的炉口连接，支撑杆的第二端与半导体工艺...

本申请实施例提供了一种半导体加工设备的加热系统及其控制方法。基座包括第一加热区域和第二加热区域，该控制方法包括以下步骤：S1、检测并获取对应第一加热区域的第一实测温度和对应第二加热区域的第二实测温度；S2、根据第一实测温度、第二实测温度...

本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通...

一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与...

本发明提供一种热处理装置，热处理装置包括内围壁和外围壁，内围壁与外围壁间隔设置，且内围壁设置在外围壁围成的空间中，以在外围壁的内表面和内围壁的外表面之间形成夹层风道，夹层风道被划分为沿外围壁的高度方向依次排列的多个子夹层风道，多个子夹层...

本发明公开了一种谐振腔结构和半导体处理设备。包括：谐振腔体；保护壳体，罩设在谐振腔体的外部；第一支撑件，与保护壳体内壁固定连接；第二支撑件，与谐振腔体外壁固定连接，位于第一支撑件的上方，并可与第一支撑件相重叠，以在第一支撑件的带动下升降...

本发明提供一种共享干泵系统的控制方法，共享干泵系统包括干泵和多个具有工艺腔的设备模块，多个设备模块包括至少一个第一设备模块和至少一个第二设备模块，第一设备模块还包括冷泵，控制方法包括：确定多个设备模块的优先级；接收到申请使用干泵的多个申...