【技术实现步骤摘要】
喷淋装置及清洗设备
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种喷淋装置及清洗设备。
技术介绍
随着集成电路特征尺寸的不断缩小，对晶片表面的清洁度和平整度的要求越来越高，一般需要对晶片表面进行清洗，以去除晶片表面图形上的杂质和污染物。传统的清洗喷射技术是液相流体由位于晶片上方的喷头喷射于晶片表面上，但是，由于自喷头喷射出的是大尺寸的液滴或喷射流，而且液滴尺寸不均匀，且会以很高的流量冲击晶片表面，这对65nm及其以下工艺的晶片表面图形造成严重损伤，同时液相流体的利用率较低，导致资源的极度浪费。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种喷淋装置及清洗设备，其不仅可以提高清洗均匀性和清洗效率，改善清洗工艺结果，而且可以在一定程度上减小液滴对待清洗表面的冲击力，从而可以减少对晶片表面图形的损伤。为实现本专利技术的目的而提供一种喷淋装置，包括第一喷嘴，所述第一喷嘴包括：进液通道，用于输送清洗液体；雾化结构，与所述进液通道的出液端连接，用于将自所述...
【技术保护点】
1.一种喷淋装置，其特征在于，包括第一喷嘴，所述第一喷嘴包括：/n进液通道，用于输送清洗液体；/n雾化结构，与所述进液通道的出液端连接，用于将自所述进液通道流出的液体雾化形成液滴；/n进气通道，用于输送气体；以及/n喷气结构，与所述进气通道的出气端连接，用于喷出气体，以能够与所述液滴碰撞形成雾化颗粒。/n
【技术特征摘要】
1.一种喷淋装置，其特征在于，包括第一喷嘴，所述第一喷嘴包括：
进液通道，用于输送清洗液体；
雾化结构，与所述进液通道的出液端连接，用于将自所述进液通道流出的液体雾化形成液滴；
进气通道，用于输送气体；以及
喷气结构，与所述进气通道的出气端连接，用于喷出气体，以能够与所述液滴碰撞形成雾化颗粒。
2.根据权利要求1所述的喷淋装置，其特征在于，所述雾化结构包括雾化本体，在所述雾化本体中设置有雾化通道，所述雾化通道的进液端与所述进液通道的出液端连接；所述雾化通道的出液端沿第一方向贯通所述雾化本体；并且，所述雾化本体的构成所述雾化通道的部分采用半导体晶体材料制作；
所述喷淋装置还包括电极脉冲系统，用于向所述半导体晶体材料加载脉冲电压，以使所述半导体晶体材料产生能够使所述雾化通道中的液体在喷出时形成液滴的电致伸缩效应。
3.根据权利要求2所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷气结构包括喷气本体，在所述喷气本体中设置有喷气通道，所述喷气通道的进气端与所述进气通道的出气端连接；所述喷气通道的出气端沿第二方向贯通所述喷气本体，所述第二方向被设置为能够使所述气体与所述液滴碰撞形成雾化颗粒。
4.根据权利要求3所述的喷淋装置，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向之间具有预设夹角。
5.根据权利要求4所述的喷淋装置，其特征在于，所述第一方向与待清洗表面相互垂直。
6.根据权利要求3所述的喷淋装置，其特征在于，所述雾化本体包括中心部分和多个边缘部分，其中，
在所述中心部分中设置有中心通道，所述中心通道的进液端与所述进液通道的出液端连接；
多个所述边缘部分间隔环绕在所述中心部分的周围，且与所述中心部分连接；并且，在每个所述边缘部分中设置有边缘通道，所述边缘通道的进液端与所述中心通道的出液端连接；所述雾化通道设置在每个所述边缘部分中，并且每个所述边缘部分中的所述雾化通道包括多个雾化孔，每个所述雾化孔的进液端与所述边缘通道的出液端连接；每个所述雾化孔的出液端沿所述第一方向贯通所述边缘部分。
7.根据权利要求6所述的喷淋装置，其特征在于，对于每个所述边缘部分，多个所述雾化孔沿以所述中心部分的中心为圆心的圆周的径向间隔排列至少一排。
8.根据权利要求6所述的喷淋装置，其特征在于，所述喷气本体包括多个喷气分体，且每相邻的两个所述边缘部分之间设置有一个所述喷气分体；并且，所述喷气通道设置在每个所述喷气分体中，并且每个所述喷气分体中的所述喷气通道包括多个喷气孔，每个所述喷气孔的进气端与所述进气通道的出气端连接；每个所述喷气孔的出液端沿所述第二方向贯通所述喷气分体。
9.根据权利要求8所述的喷淋装置，其特征在于，对于每个所述喷气分体，多个所述喷气孔在所述喷气分体的垂...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，刘效岩，吴仪，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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