【技术实现步骤摘要】
进气系统和进气方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种进气系统以及一种进气方法。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，一般需要在硅片表面生长氧化层以实现器件保护和隔离沾污、表面钝化、掺杂中的注入掩蔽、金属导电层间的介质层等功能，二氧化硅具有良好的电绝缘性，化学性质非常稳定，是作为氧化层十分理想的材料。将硅暴露在通入高纯氧的高温气氛里可以完成均匀氧化层的生长。在氧化工艺中，通常使用掺氯氧化工艺，在反应过程中带入氯离子，能减少SiO2中钠离子沾污，提高器件的电性能和可靠性，可加快氧化速率，改善氧化层质量。目前常用的掺氯氧化工艺中所用的含氯离子气体为C2H2Cl2(DCE，二氯乙烯)。设备中常使用石英源瓶(Bubbler)灌装DCE，维持温度为20℃左右时DCE为稳定液态。工艺时，常使用氮气N2作为载气，通入装有液态DCE的源瓶中带出DCE并与氧气混合后进入工艺腔室(TUBE)。在工艺过程中，N2进入石英源瓶并带出DCE的时候，由于石英源瓶耐压性能有限，为防止过压，要求进入石英源瓶的载气压力在一定值以下。...
【技术保护点】
1.一种进气系统，用于向半导体设备的工艺腔室输送工艺气体，其特征在于，所述进气系统包括载气管路、工艺气体源瓶、工艺气体出气管路、排气管路以及保护组件；其中，/n所述载气管路的第一端用于与载气源瓶连接，所述载气管路的第二端与所述排气管路的进气端连接，所述载气管路的第三端用于向所述工艺气体源瓶中通入载气；所述排气管路的出气端用于向尾气处理装置排放气体；/n所述工艺气体出气管路的第一端插置在所述工艺气体源瓶中，所述工艺气体出气管路的第二端与所述工艺腔室进气口连通；/n所述保护组件串接在所述载气管路的第二端与所述排气管路的进气端之间，所述保护组件用于在所述载气管路内的压力不小于所述...
【技术特征摘要】
1.一种进气系统，用于向半导体设备的工艺腔室输送工艺气体，其特征在于，所述进气系统包括载气管路、工艺气体源瓶、工艺气体出气管路、排气管路以及保护组件；其中，
所述载气管路的第一端用于与载气源瓶连接，所述载气管路的第二端与所述排气管路的进气端连接，所述载气管路的第三端用于向所述工艺气体源瓶中通入载气；所述排气管路的出气端用于向尾气处理装置排放气体；
所述工艺气体出气管路的第一端插置在所述工艺气体源瓶中，所述工艺气体出气管路的第二端与所述工艺腔室进气口连通；
所述保护组件串接在所述载气管路的第二端与所述排气管路的进气端之间，所述保护组件用于在所述载气管路内的压力不小于所述工艺气体源瓶的耐压阈值时，将所述载气管路与所述排气管路导通，并发出报警提示。
2.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述保护组件包括单向导通件和流量检测件；其中，
所述单向导通件的第一端与所述载气管路的第二端连接，所述单向导通件的第二端与所述流量检测件的第一端连接；
所述流量检测件的第二端与所述排气管路的进气端连接；
所述单向导通件和所述流量检测件用于当所述载气管路内的压力不小于所述工艺气体源瓶的耐压阈值时，将所述载气管路与所述排气管路导通，且所述流量检测件用于在检测其所在的管路有气体流过时，发出报警信号。
3.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述单向导通件为第一单向阀，所述第一单向阀的开启压力值等于所述工艺气体源瓶的耐压阈值。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括辅助工艺气体进气管路；其中，
所述辅助工艺气体进气管路的第一端用于输入辅助工艺气体，所述辅助工艺气体进气管路的第二端分别与所述工艺气体出气管路的第二端以及所述工艺腔室连接。
5.根据权利要求4所述的进气系统，其特征在于，所述进气系统还包括第一清扫管路和第二清扫管路；其中，
所述第一清扫管路的一端连接于所述载气管路靠...
【专利技术属性】
技术研发人员：周厉颖，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。