本发明提供一种反应腔室、原子层沉积方法及半导体加工设备，包括腔室本体，还包括第一抽气管路和分子泵，其中，第一抽气管路的一端与腔室本体连接，第一抽气管路的另一端与分子泵的进气口连接，分子泵用于通过第一抽气管路将腔室本体抽真空至第一预设真空...

本发明提供一种腔室清洁方法及装置，该腔室清洁方法包括：S1、当目标晶圆离开工艺腔室，判断所述工艺腔室是否满足预设的清洁条件，若是，则对所述工艺腔室进行待清洁标记并执行步骤S2，若否，则在下一片目标晶圆离开所述工艺腔室后，继续判断所述工艺...

本发明提供一种对基片进行钝化的方法，该方法包括：在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述...

本发明提供一种电气小车系统，用于半导体设备，包括整机支架、电气车体，该电气小车系统还包括：导向轴；第一连接结构，分别与导向轴和整机支架连接；第二连接结构，分别与导向轴和电气车体连接；并且，第一连接结构和第二连接结构被设置为使电气车体能够...

本发明提供一种半导体设备反应腔室。半导体设备反应腔室包括：主体腔室和抽气腔室；主体腔室内设置有内衬，内衬将主体腔室的内部空间分隔为进气腔和出气腔；进气腔与出气腔分别为圆柱状腔体，且出气腔的内径大于进气腔的内径；下电极设置于出气腔内，且下...

本发明提供一种光信号采集装置，所述光信号采集装置包括安装套筒、光信号收集件和透光件。所述光信号收集件包括导光腔，所述光信号收集件的导光腔的入口形成在所述光信号收集件的一端。所述安装套筒与所述光信号收集件上形成有所述导光腔的入口的一端固定...

本发明提供的基于设备状态的物料调度方法及物料调度系统，在步骤S1中根据晶片的数量和每一晶片经历的工序的数量建立工序集合，并在步骤S2中计算工序集合中每一未执行工序的等待时间，并确定等待时间最短的执行序列，由于每次执行的工序都是在步骤S2...

本发明公开了一种匀气装置和半导体处理设备。包括进气件、匀流件和排气件，进气件上设置有至少两个进气通道；匀流件的第一表面上设置有至少一个第一分配部以及若干个第一匀流部，第一分配部分别连通对应的进气通道和第一匀流部；第二表面上设置有至少一个...

本发明公开了一种工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。包括：至少两个工艺气体源；至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择...

本发明提供一种气路切换装置及其控制方法、半导体加工设备，属于半导体加工设备技术领域，其可至少部分解决现有的半导体加工设备中压力波动的技术问题。本发明的气路切换装置包括可编程逻辑控制器和至少一个气路切换件，所述气路切换件包括控制信号输入端...

本发明公开了一种进气集成结构、工艺腔室和半导体处理设备。进气集成结构包括：进气件，设置有工艺气体通道；封堵件，所述封堵件与所述进气件可转动地连接；磁性组件，所述磁性组件包括第一磁性件和第二磁性件，所述第一磁性件与所述封堵件连接，所述第二...

本发明提供的反应腔室和薄膜沉积设备，包括基座和环绕基座设置的偏置磁体组件，还包括偏置磁体升降机构，其用于驱动偏置磁体组件进行升降运动，因此，偏置磁体组件与靶材之间的距离是可调节的，当进行不同材料及不同工艺要求的沉积时，可以通过调节偏置磁...

本发明提供一种籽晶与石墨盖粘接固定方法，包括：粘接步骤，在籽晶的背面粘接预设厚度的石墨层，并将粘接有石墨层的籽晶粘接在石墨盖上，且石墨层位于籽晶与石墨盖之间；碳化步骤，对石墨盖进行加热，以将籽晶固定在石墨盖上。本发明提供的籽晶与石墨盖粘...

本发明提供一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，所述晶圆清洗设备包括：清洗槽和设置在所述清洗槽中两个支撑组件，其中，所述清洗槽用于盛放清洗液体；两个所述支撑组件用于交替支撑晶圆。通过本发明，提高了晶圆清洗效果。

本发明提供一种半导体设备的调度方法、调度装置及系统，属于半导体设备技术领域，其可至少部分解决现有的半导体设备中晶圆的传输动作序列计算失败的问题。本发明的调度方法包括:当前一任务中最后一片晶圆被传输至第一个所述功能模块时，获取前一任务涉及...

本发明提供的反应腔室及半导体加工设备，其中，反应腔室包括离子释放单元，离子释放单元用于向反应腔室内输送离子，该离子能够与晶片上残余电荷的电性中和，从而将聚集在晶片上的残余电荷释放，避免在顶针将晶片顶起时，晶片的残余电荷产生局部放电进而导...

本发明提供一种喷淋装置及清洗设备，该喷淋装置包括喷淋组件，用于朝向被加工工件的待清洗表面喷出清洗液体，且喷淋组件对应待清洗表面的径向上的不同位置处喷出的清洗液体的浓度、温度和/或流量不同，以使清洗液体对待清洗表面的径向上的不同位置处的清...

本发明提供一种主体形貌顶部圆角刻蚀方法，其包括：主体形貌刻蚀步骤，利用掩膜对衬底刻蚀形成主体形貌；掩膜修饰步骤，对掩膜进行刻蚀，以增加掩膜的开口大小圆角刻蚀步骤，对主体形貌的顶部进行刻蚀，以形成圆角。本发明提供的主体形貌顶部圆角刻蚀方法...

本发明提供一种介质筒，包括一筒状导流结构，筒状导流结构的侧壁向内倾斜或者凸起，以使流入筒状导流结构的气体能够紧贴筒状导流结构的内壁流动。本发明提供的介质筒，能够减少灭辉现象的产生，提高等离子体的稳定性，从而提高工艺结果。

本发明公开一种立式点火装置及热处理设备；所公开的立式点火装置包括定位调节机构和点火机构；定位调节机构包括底座、第一滑动座、第二滑动座、升降组件和安装座；点火机构竖直设置于安装座上、并可通过定位调节机构移动调节空间位置；第一滑动座滑动设置...