本发明公开了一种调平装置及其调平方法、半导体处理设备。该调平装置，用于对基座相对于腔室的平行度和同轴度进行调节，其包括调平工装，调平工装包括水平安装部、竖直安装部以及连接水平安装部与竖直安装部的竖直连接部；其中，水平安装部的下表面用于与...

本发明提供一种进气装置、进气方法及半导体加工设备，包括用于向反应腔室内通入第一前驱体的第一进气管路，进气装置还包括等离子体发生器和第二进气管路，等离子体发生器通过第二进气管路与反应腔室连接，用于向反应腔室提供等离子体，等离子体能够与第一...

一种单晶生长设备，包括反应腔室(106)、上盖(110)、上开盖组件(111)、下盖(113)和下开盖组件(114)，上盖(110)和下盖(113)分别可开闭地设于反应腔室(106)的顶部和底部，分别用于密封反应腔室(106)的顶部开口...

本实用新型提供的磁控管，包括极性相反的内磁极和外磁极，外磁极包围内磁极设置，且内磁极和外磁极之间具有间隙，并且，在内磁极的延伸方向上不同位置处至旋转中心的距离不同。在本实用新型中，对内磁极的分部半径进行调整，使内磁极不同分部至旋转中心的...

本发明公开了一种原位清洗装置和半导体处理设备。包括等离子体产生组件以及依次串接设置在排气管道上的第一开关件和介质筒，其中，所述开关件用于控制所述介质筒与所述排气管道的通断；所述等离子体产生组件能够激发位于所述介质筒内的清洗气体产生清洗等...

本申请实施例提供了一种顶针机构及半导加工设备。该顶针机构包括弹性套筒、固定套筒、中心导杆及顶针；弹性套筒设置在中心导杆的顶部，中心导杆的顶部设置有容置顶针端部的容置孔；顶针的端部可穿过弹性套筒延伸至容置孔；固定套筒套设于弹性套筒和中心导...

本发明提供一种用于半导体加工设备的卸料装置及半导体加工设备，用于半导体加工设备的卸料装置包括台架、驱动模块和传送模块；其中，传送模块设置于台架上，驱动模块设置于台架的一端；台架的两端分别用作下料端和取料端，下料端供机械手放置待取件，取料...

本发明提供一种清洗机及其卡盘，该卡盘应用于清洗晶圆的清洗机，包括基体和多个卡合件；各所述卡合件位于所述基体表面上且呈同心的多个圆环分布，位于同一圆环上的各所述卡合件间隔分布，以能够卡紧或释放与所述圆环直径相同的晶圆。应用本发明可以固定多...

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括：工艺腔室、介质窗组件及加热装置；介质窗组件设置于工艺腔室顶部，且介质窗组件内具有容置腔，容置腔用于容纳加热介质；加热装置与介质窗组件连接，用于向容置腔内通入加热介质。本申请实施...

本发明提供一种参数设置方法及参数设置系统，所述参数设置方法包括：采集并记录循环进行工艺中的指定参数的实际值；在工艺每经过N次循环之后，对自当前循环次数算起，前M次循环对应的所述指定参数的实际值进行统计和计算，至少得到所述指定参数的第一统...

本发明提供一种卡盘校温装置及方法，该卡盘校温装置用于对卡盘中的第一温度传感器组进行校准；包括支架、第二温度传感器组、温控器和校温单元；卡盘包括一承载面，支架可拆卸的安装在卡盘上；第二温度传感器组设置在支架上，用于采集承载面的温度值；温控...

本发明提供一种腔室密封组件及生长炉，该腔室密封组件环绕设置在炉膛法兰与反应腔体之间，其包括：密封圈；以及密封隔环，所述密封隔环的轴向两侧均设置有密封圈，用于分隔并支撑密封圈；并且，在密封隔环中设置有第一抽气通道，第一抽气通道的第一端和第...

本发明提供的应力可调的金属氮化物硬掩膜的制备方法，通过使用合金靶材进行溅射工艺，可以使沉积在晶圆上的所述金属氮化物硬掩膜达到预设厚度，且使得所述金属氮化物硬掩膜的晶体的生长晶向为预设方向。与现有技术使用单一金属材料靶材溅射相比，上述制备...

本发明提供一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，半导体工艺炉的电极机构包括连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，连接板与半导体工艺炉的炉门连接；悬臂组件穿过连接板及炉门向半导体工艺炉炉体的方向延...

本发明提供一种进气装置及半导体加工设备，包括进气件、第一进气管路和第二进气管路，其中，进气件用于向反应腔室内喷入气体的进气件，第一进气管路与进气件连接，用于通过进气件向反应腔室内通入第一前驱体；第二进气管路与反应腔室连通，用于直接向反应...

本申请实施例提供了一种晶圆夹持装置。该晶圆夹持装置包括：基体、顶盖、卡爪、柔性件及限位结构；所述顶盖设置于所述基体上方，所述顶盖上有一承载部；多个所述卡爪均设置于所述基体的周缘，且多个所述卡爪均向上延伸并穿过所述顶盖的承载部；所述柔性件...

本发明提供一种静电卡盘及反应腔室，该静电卡盘包括绝缘层和设置在绝缘层底部的加热体，还包括：冷却结构，设置在加热体的下方，且与加热体间隔设置，冷却结构用于通过冷却液体来将加热体的热量传递出去。本发明提供的静电卡盘，其可以在工艺过程中实现对...

一种半导体设备的介质窗的清洗方法,该半导体设备包括：反应腔室、介质窗、感应线圈、清洗电极、射频源组件以及阻抗调节组件。射频源组件用于向感应线圈以及清洗电极加载射频功率；阻抗调节组件与清洗电极电连接，并与射频源的输出端可通断地连接。该清洗...

本发明提供一种等离子工艺设备，该等离子工艺设备包括电磁波转换组件和工艺腔，电磁波转换组件包括天线板，天线板用于接收电磁波，以将接收到的电磁波以电磁场的形式馈入工艺腔中，天线板包括中央区域和环绕其设置的边缘区域，天线板的边缘区域形成有至少...

本发明公开了一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置，方法包括：检测上射频电源的反射功率值，判断反射功率值是否大于第一预设阈值并持续第一预设时长；若是，则关闭上射频电源并持续第二预设时长；关闭上射频电源第二预设时长后，开启上射频电源...