本发明公开了一种上位机下位机时间同步的方法、装置和半导体处理设备。每个所述上位机对应至少一个所述下位机，所述方法包括：步骤S110、记录动态接入网络的每个上位机的IP地址；步骤S120、根据每个所述上位机的接入顺序对所述IP地址进行排序...

本发明提供一种滤波电路以及半导体设备，该滤波电路包括阻抗传感器、可调电感、可调电感控制器，其中，所述可调电感包括：磁芯、线圈、第一调节结构、第二调节结构，所述线圈缠绕在所述磁芯上，所述第一调节结构用于调节所述线圈接入所述滤波电路的长度，...

本发明提供了一种热处理装置，涉及半导体制造技术领域，该热处理装置包括：反应腔室，反应腔室包括腔体和设置在腔体底部的工艺门，其中，工艺门上设置有边缘匀流通道，边缘匀流通道具有至少一个进气口和多个出气口，多个出气口位于工艺门朝向反应腔室内部...

本发明提供一种支撑装置及反应腔室，包括支撑部件、设置于支撑部件上的卡紧部件、以及限位结构，卡紧部件能够相对于支撑部件转动，限位结构用于限定卡紧部件在第一角度与第二角度之间转动，其中，卡紧部件包括卡槽，卡槽用于承载并卡紧衬底；当卡紧部件转...

本发明提供一种炉体冷却装置及半导体加工设备，炉体冷却装置设置于炉体外部，且与炉体相连通；冷却装置包括抽气机构、冷却机构、风机以及气体回送机构；抽气机构，用于将炉体中的待处理气体抽出并输送至冷却机构；冷却机构，用于接收来自抽气机构的待处理...

本申请实施例提供了一种高温真空炉及半导体加工设备。该高温真空炉包括：炉体、工艺管、加热器组件及电极组件，工艺管沿竖直方向设置于炉体内，且工艺管的开口位于炉体的底部，工艺管内的恒温区远离开口设置；加热器组件位于炉体内，并且套设于工艺管的外...

本发明提供一种含氟残留物去除方法、刻蚀方法和氧化层清洗方法，该去除方法包括以下步骤：S1，将工艺后的晶片传入退火腔室；S2，向退火腔室内通入吹扫气体和氨气，以去除晶片上的含氟残留物。本发明提供的含氟残留物去除方法、刻蚀方法和氧化层清洗方...

本发明提供一种晶圆清洗方法及晶圆清洗装置，该晶圆清洗方法包括：使用固定管路向晶圆表面输送第一清洗介质；在使用所述固定管路向所述晶圆表面输送所述第一清洗介质第一预设时间后，同时使用可移动管路向所述晶圆表面输送第二清洗介质；在使用所述可移动...

本申请实施例提供了一种电极组件及高温真空炉。电极组件设置于高温真空炉上，用于连接供电电缆及炉体内的加热器，包括：电极、冷却机构、密封机构及电极杆；电极位于炉体的外部，电极的上部与供电电缆连接，电极的底端与电极杆连接，电极杆穿过炉体的炉壁...

本发明提供一种感应加热装置和半导体加工设备，感应加热装置用于半导体设备中对待加热件进行加热，包括感应线圈和磁场屏蔽结构，其中，磁场屏蔽结构与感应线圈之间电绝缘设置，且磁场屏蔽结构至少对应设置在感应线圈的背离待加热件的一侧，用于将感应线圈...

本公开提供了一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置、晶片承载组件，其中，升降装置包括：承载基座，设置于装卸料腔室内，用于承载晶片承载组件；升降组件，贯穿装卸料腔室的顶壁且与顶壁密封设置，升降组件与承载基座连接，用于驱...

本发明提供一种温控装置及半导体加工设备，温控装置包括冷却组件、测温元件和调控组件；冷却组件的进液口与工艺槽的出液口连接，出液口与调控组件的第一入口连接，用于将工艺槽的出液口输出的部分工艺液体进行冷却，并将冷却后的工艺液体输出到调控组件的...

本发明提供一种工件缓存装置、设备前端模块及半导体设备，该工件缓存装置挂设于设备前端模块的外壁上，与设备前端模块的内部空间连通，工件缓存装置包括承载组件、固定组件及外壳，其中，外壳与设备前端模块的外壁密封连接，其内部形成有可容置承载组件的...

本发明提供了一种刻蚀方法，用于在形成于晶圆表面上的氮化硅膜区和氧化硅膜区之间选择性地蚀刻氧化硅膜区。刻蚀方法包括：表面去除步骤：以第一刻蚀速率刻蚀所述氧化硅膜区，并清除覆于氮化硅膜区表面上的表面变性层；以及刻蚀步骤：以第二刻蚀速率选择性...

本申请实施例提供了一种远程等离子体源产生装置及半导体加工设备。该远程等离子体源产生装置用于为工艺腔提供等离子体，包括：微波源、微波天线以及发生腔；微波源通过波导与发生腔连接，波导与发生腔通过介质窗密封连接；微波天线的第一端穿过介质窗延伸...

本发明提供一种脉冲电源控制电路及半导体加工设备，该脉冲电源控制电路包括脉冲电源模块、储能模块和开关模块，其中，开关模块用于在第一控制端和第二控制端输入脉冲开启信号时，接通脉冲电源模块与变压器之间的电路，断开储能模块与所述变压器之间的电路...

本发明提供一种碳化硅原料加工方法，包括：采用清洗溶液对碳化硅原料进行清洗；对清洗后的碳化硅原料进行干燥，得到干燥的碳化硅原料；其中，所述清洗溶液为包含悬浮剂和水的混合液体，所述悬浮剂与水的体积比为预定值。应用本发明，可以去除碳化硅原料中...

本申请实施例提供了一种尾气处理装置及半导体加工设备。该尾气处理装置，用于对工艺腔室的尾气进行处理，包括：壳体、进气管、抽气管及处理机构；壳体内形成有容置腔，用于容置工艺腔室排出的尾气；进气管及抽气管均设置于壳体上，并且与容置腔连通设置；...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其供气系统。该供气系统的载气管路与前驱物主容器连通，前驱物主容器用于容纳前驱物并生成前驱物气体，前驱物气体与载气在前驱物主容器中混合形成混合气体；前驱物管路与半导体设备的工艺腔室连通，混合气体通过前驱物...

本发明提供一种氮化钛薄膜沉积方法，包括：向反应腔室通入工艺气体；向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜；其中，所述工艺气体包括氮气和惰性气体，所述直流功率与所述氮气的流量的...