本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备，静电卡盘包括卡盘本体、电极组件、电源和射频组件，卡盘本体包括用于承载晶片的承载面；射频组件包括用于提供射频功率的射频源；电极组件设置在卡盘本体中，并可选择的与电源或射频源电连接，在进行加工工艺时，...

本发明提供的晶圆清洗设备，包括多层清洗结构、装载腔、传输通道、第一传输机构以及第二传输机构，其中，多层清洗结构在竖直方向上依次设置，每层清洗结构包括多个清洗腔；装载腔位于晶圆清洗设备的一侧，用于存放晶圆；第一传输机构和第二传输机构位于传...

一种等离子体系统，包括腔室及下电极组件。所述腔室包括第一进气通路与抽气通路，所述第一进气通路用于通入第一气体，所述抽气通路用于排出所述第一气体。所述下电极组件设置于所述腔室中用于承载待加工工件，且所述下电极组件位于所述第一进气通路下方。...

本发明公开了一种射频结构、工艺腔室和等离子体的生成方法。该射频结构包括射频电源、射频线圈和匹配器：匹配器包括负载电容和调谐电容；负载电容的第一端与射频电源的输出端电连接，负载电容的第二端与射频线圈的输入端电连接；调谐电容的第一端与射频电...

本发明提供一种自动对位装置、对位方法及反应腔室，包括测距单元、控制单元和驱动单元，其中，测距单元设置在测温元件上，用于朝向观察孔的方向发射测距光束且进行实时距离检测，并将检测到的距离值发送至控制单元；驱动单元用于驱动测温元件在平行于观察...

本发明提供了一种匹配网络，匹配网络包括信号输入端、信号输出端、第一匹配单元、第二匹配单元以及开关元件，其中，第一匹配单元的输入端与信号输入端电连接，第一匹配单元的输出端与信号输出端电连接；第二匹配单元的输入端与开关元件的一端电连接，第二...

本发明提供一种冷却水路预警方法及系统、半导体加工设备，在冷却水路上设置有通断阀；冷却水路包括用于控制通断阀的控制单元，冷却水路预警方法包括：在作业设备开启时，分别对作业设备的内部温度、控制单元对通断阀的控制信号以及冷却水路的流量进行监测...

本发明提供了一种工艺腔室，涉及半导体工艺技术领域，所述腔室包括：腔体以及设置在所述腔体内的进气机构；所述腔体的侧壁的内表面为圆周面，所述腔体底部设置有排气口，所述进气机构设置在所述腔体的顶部；其中，所述进气机构包括：多个第一输气管路，且...

本申请实施例提供了一种半导体设备及其加热装置。该加热装置设置于半导体设备的工艺腔室内用于对基座进行加热，包括：固定架、安装板、限位机构及加热灯；固定架与工艺腔室连接，安装板套设于固定架上，多个加热灯设置于安装板上；限位机构包括第一套筒及...

本发明公开了一种冷却晶圆的方法、装置和半导体处理设备。包括：步骤S110、实时获取已完成工艺且待冷却的当前晶圆与正在进行工艺的制程晶圆的工艺时间差值；步骤S120、基于工艺时间差值与冷却气体流量值之间的预设函数关系式，通过实时工艺时间差...

本发明提供一种腔体内衬、等离子体反应腔室和等离子体设备。该腔体内衬包括底壁衬体和侧壁衬体，所述侧壁衬体环绕所述底壁衬体设置以形成工艺腔，所述底壁衬体的中部形成用于设置偏置电极的容置口，所述底壁衬体上设置有多个沿所述底壁衬体厚度方向贯穿所...

本发明提供一种含氯化合物的输送方法及装置，该方法包括：对含氯化合物溶液进行加热，以使含氯化合物溶液转化为含氯化合物气体；将含氯化合物气体的流量调节至设定值；将含氯化合物气体与氧气混合后输送至反应腔室中，以进行工艺。本发明提供的含氯化合物...

本发明公开了一种阻变存储器件制备方法和阻变存储器件。包括在沉积有第一电极的衬底上形成含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层；将所述阻变材料层进行退火处理。通过诸如磁控溅射技术等工艺沉积得到包含有多种金属元素和氧元素的阻变材料层，能够很好地...

本发明提供一种晶片处理方法，包括：步骤S1，对承载于基座上的所述晶片加热至预定温度；步骤S2，升针，使所述晶片离开所述基座表面；步骤S3，判断预定时间内是否接收到取片信号，如是，则执行取片操作；如否，降针，使所述晶片承载于所述基座表面，...

本发明提供一种下电极装置及反应腔室，包括电极板，电极板包括多个子极板，通过向多个子极板加载不同的偏压功率，以调整与多个子极板对应的衬底的多个区域的刻蚀均匀性。本发明提供的下电极装置在满足刻蚀均匀性要求的同时，还能够适用于不同的工艺需求。

本发明提供一种等离子体设备和等离子体系统。所述等离子体设备包括多个子腔室，多个所述子腔室沿竖直方向堆叠设置。可提高等离子体设备所在厂房的空间利用率，提高产能，降低成本。

本发明公开了一种腔室内衬、下电极装置和半导体处理设备。包括：环本体，包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；导电件，内嵌于第二表面；并且，环本体上设置有至少一个孔结构，孔结构能够将第一表面与导电件连通。在应用该腔室内衬的下电极装置...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括基座，承载于基座上的托盘，盖板和内衬，其中，托盘包括用于承载基片的承载位，盖板用于覆盖托盘除承载位之外的区域；内衬环绕设置于反应腔室的侧壁内侧，且内衬上设置有支撑部，支撑部用于当基座自工艺位置...

本发明公开了一种半导体设备报警管理系统，包括：多个报警客户端、报警服务器端，其中所述多个报警客户端分别配置于半导体设备的多个功能控制模块中，用于在所述半导体设备出现异常时产生报警信息，并通过统一的报警接口将所述报警信息发送至所述报警服务...

本发明提供一种机台控制系统及方法，该系统包括：下位机；上位机，包括控制单元、服务配置单元和功能流程单元，其中，控制单元用于控制下位机执行所述机台的功能流程；服务配置单元配置有用于执行机台的功能流程的动作指令信息，且能够与控制单元进行交互...