反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括基座，承载于基座上的托盘，盖板和内衬，其中，托盘包括用于承载基片的承载位，盖板用于覆盖托盘除承载位之外的区域；内衬环绕设置于反应腔室的侧壁内侧，且内衬上设置有支撑部，支撑部用于当基座自工艺位置下降时，支撑盖板使盖板与托盘分离。本发明专利技术提供的反应腔室能够避免工艺气体产生的离子对托盘进行轰击，防止污染物的产生，从而提高预清洗的刻蚀速率和均匀性，使工艺产能和工艺效果提高。

Reaction chamber and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
反应腔室及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体工艺设备
，具体地，涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
目前，半导体工艺中，基片(Wafer)在进行薄膜生长工艺前，一般需要进行预清洗(Preclean)工艺，将基片表层的污染物去除，以保证在后续生长的薄膜具有较好的粘附力和较高的薄膜质量，预清洗工艺的核心指标有刻蚀速率、均匀性及选择比，电容耦合等离子体预清洗装置(CCPPreclean，CapacitivelyCoupledPlasmasPreclean)是预清洗工艺的常用设备。如图1所示，现有的一种电容耦合等离子体预清洗装置包括基座11，下内衬12，上内衬13和金属托盘14，其中金属托盘14中设置有用于放置基片的凹槽，在进行预清洗工艺时，基片被置于凹槽中，随金属托盘14传入反应腔室内，并放置在基座11上，基座11承载金属托盘14上升至工艺位，反应腔室的工艺气体在电场的作用下形成离子，作用于基片表面将污染物轰击掉，产生的副产物被抽气系统抽走，使基片表面洁净平整，预清洗工艺结束后，金属托盘14承载基片传出，再进入镀膜腔室，进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反应腔室，包括基座和承载于所述基座上的托盘，且所述托盘包括用于承载基片的承载位，其特征在于，所述反应腔室还包括盖板和内衬，其中：/n所述盖板用于覆盖所述托盘除所述承载位之外的区域；/n所述内衬环绕设置于所述反应腔室的侧壁内侧，且所述内衬上设置有支撑部，所述支撑部用于当所述基座自工艺位置下降时，支撑所述盖板使所述盖板与所述托盘分离。/n

【技术特征摘要】
1.一种反应腔室，包括基座和承载于所述基座上的托盘，且所述托盘包括用于承载基片的承载位，其特征在于，所述反应腔室还包括盖板和内衬，其中：
所述盖板用于覆盖所述托盘除所述承载位之外的区域；
所述内衬环绕设置于所述反应腔室的侧壁内侧，且所述内衬上设置有支撑部，所述支撑部用于当所述基座自工艺位置下降时，支撑所述盖板使所述盖板与所述托盘分离。


2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述盖板包括镂空部，当承载有所述托盘的所述基座位于工艺位置时，所述镂空部在所述托盘上的正投影与所述承载位完全重合。


3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述承载位为一个或多个；所述镂空部的数量与所述承载位的数量相同且一一对应。


4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述承载位上设置有第一凹槽，所述基片放置在所述第一凹槽中。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海洋，赵磊，王文章，郭万国，刘菲菲，高晓丽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11