腔室内衬、下电极装置和半导体处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种腔室内衬、下电极装置和半导体处理设备。包括：环本体，包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；导电件，内嵌于第二表面；并且，环本体上设置有至少一个孔结构，孔结构能够将第一表面与导电件连通。在应用该腔室内衬的下电极装置中，腔室内衬可以有效保证电子迁移率不受外界影响，从而可以保证测到的射频自偏压的稳定性。此外，还可以有效避免导电件与腔室侧壁之间的打火现象，避免安全隐患，能够有效保证工艺的可重复性与稳定性。

Chamber lining, lower electrode device and semiconductor processing equipment

【技术实现步骤摘要】
腔室内衬、下电极装置和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种腔室内衬、一种包括该腔室内衬的下电极装置以及一种包括该下电极装置的半导体处理设备。
技术介绍
等离子体设备广泛用于当今的半导体芯片制造、封装、发光二极管(LightEmittingDiode，LED)及平板显示等制作工艺中。在目前的制造工艺中，已经使用等离子体设备类型，例如，直流放电类型，电容耦合等离子体(CapacitivelyCoupledPlasma，CCP)类型、电感耦合等离子体(InductiveCoupledPlasma，ICP)类型以及电子回旋共振等离子体(ElectronCyclotronResonance，ECR)等类型。目前这些类型的放电被广泛应用于物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)设备、等离子体刻蚀设备以及等离子体化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)设备等。在等离子体半导体设备中，通常要给晶圆加上一射频电极，以便在晶圆上形成一个射频自偏压，来控制轰击到晶圆表面的离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腔室内衬，其特征在于，包括环本体和导电件；/n所述环本体包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；/n所述导电件内嵌于所述第二表面；并且，/n所述环本体上设置有至少一个孔结构，所述孔结构能够将所述第一表面与所述导电件连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种腔室内衬，其特征在于，包括环本体和导电件；
所述环本体包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；
所述导电件内嵌于所述第二表面；并且，
所述环本体上设置有至少一个孔结构，所述孔结构能够将所述第一表面与所述导电件连通。


2.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述第二表面上设置有自所述第二表面向所述第一表面凹陷的安装槽，所述导电件内嵌在所述安装槽中。


3.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述导电件的材质包括碳化硅或钨。


4.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述导电件的外周壁与所述环本体的外周壁之间具有预定的间隙d。


5.根据权利要求4所述的腔室内衬，其特征在于，所述预定间隙d的取值范围为5mm～20mm。


6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐奎，陈鹏，张璐，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11