表面波等离子体加工设备制造技术

本发明专利技术提供一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在反应腔室顶部的谐振腔，谐振腔的底壁设置有介质窗，还包括介质板，介质板设置于谐振腔的底壁的下方，其中，介质板在谐振腔的底壁上的正投影遮挡至少部分介质窗以及至少部分介质窗以外的区域。本发明专利技术提供的表面波等离子体加工设备能够使反应腔室中的等离子体的密度分布更加均匀，从而提高刻蚀均匀性。

Surface wave plasma processing equipment

【技术实现步骤摘要】
表面波等离子体加工设备
本专利技术涉及半导体工艺设备
，具体地，涉及一种表面波等离子体加工设备。
技术介绍
目前，随着半导体技术的快速发展，尤其是国际主流集成电路(IC)制造工艺已进入14nm甚至10nm时代，对于等离子体源的性能要求也随之提高，而表面波等离子体(SWP)源与传统等离子体源相比具有诸多优点，如能产生高等离子体密度，具有低电子温度和低损伤的特点，并且无需外加磁场，结构简单，反应腔室中无需引入电极，减少污染，因此，表面波等离子体(SWP)源设备是半导体设备制造商的理想选择。现有技术中，表面波等离子体源设备包括谐振腔，多个石英窗和反应腔室，其中，谐振腔设置在反应腔室上，多个石英窗均匀分布在谐振腔底壁的固定孔中，微波能量自外部发生装置馈入谐振腔，并通过多个石英窗耦合进入反应腔室产生等离子体。但是，由于表面波产生于石英窗与其下方形成的等离子体之间的交界面上，导致高密度表面波等离子体集中在石英窗口下方的区域，而其它区域只能依赖等离子体的自由扩散，使等离子体的密度在反应腔室中分布不均匀，这就必然会影响到刻蚀均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在所述反应腔室顶部的谐振腔，所述谐振腔的底壁设置有介质窗，其特征在于，还包括介质板，所述介质板设置于所述谐振腔的底壁的下方，其中，所述介质板在所述谐振腔的底壁上的正投影遮挡至少部分所述介质窗以及至少部分所述介质窗以外的区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种表面波等离子体加工设备，包括反应腔室和设置在所述反应腔室顶部的谐振腔，所述谐振腔的底壁设置有介质窗，其特征在于，还包括介质板，所述介质板设置于所述谐振腔的底壁的下方，其中，所述介质板在所述谐振腔的底壁上的正投影遮挡至少部分所述介质窗以及至少部分所述介质窗以外的区域。


2.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述介质板采用能够将微波耦合至所述反应腔室中的介质材料制作。


3.根据权利要求2所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述介质板采用石英或者陶瓷材料制作。


4.根据权利要求1所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述介质板设置有贯穿其厚度的通孔。


5.根据权利要求4所述的表面波等离子体加工设备，其特征在于，所述通孔的内径的取值范围为30mm-100mm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王桂滨，韦刚，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11