用于基于等离子体的制程的装置制造方法及图纸

一种使用一气体挡板控制晶圆均匀性的装置及方法。在一范例中，公开有用于基于等离子体的制程的一装置。此装置包括：一壳体及一挡板。壳体定义一加工腔室。挡板安排在加工腔室中的一晶圆上方。挡板配置以控制在晶圆上的等离子体分布。挡板具有一圆环的一形状，包括一第一圆环区及一第二圆环区。第一圆环区具有一第一内半径。第二圆环区具有不同于第一内半径的一第二内半径。

Device for plasma based process

【技术实现步骤摘要】
用于基于等离子体的制程的装置
本公开涉及用于晶圆的气体挡板，特别涉及控制晶圆均匀性的气体挡板。
技术介绍
基于等离子体的加工技术已经在各种应用的装置(例如半导体集成装置、微电子装置、及微机电装置)的制造中获得广泛使用。当使用例如光刻、沉积、及蚀刻的图案化技术以在半导体加工腔室中的晶圆上形成各种特征时，在晶圆内的图案化的特征具有均匀的临界尺寸(criticaldimensions，CD)为一重要的目标。在基于等离子体的制程(例如蚀刻、沉积、或研磨(polishing))期间的晶圆均匀性的关键因素为在晶圆表面上的等离子体分布。晶圆加工腔室可包括气体挡板、气体入口、气体出口、及射频(radiofrequency，(RF))入口。每一此些组件可影响在晶圆加工腔室中的等离子体分布，因此亦影响晶圆的临界尺寸均匀性。气体挡板的现有设计为等向的(isotropic)，亦即对板表面上的全部的方位的处理为相同的，且具有独立于气体入口、气体出口、及射频入口的布局(layout)的内径，其不可满足均匀性要求，尤其在具有高标准的蚀刻均匀性的硅穿孔(through本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基于等离子体的制程的装置，包括：/n一壳体，定义一加工腔室；以及/n一挡板，安排在该加工腔室中的一晶圆上方，且配置以控制在该晶圆上的等离子体分布，其中：/n该挡板具有一圆环的一形状，该圆环包括一第一圆环区及一第二圆环区；/n该第一圆环区具有一第一内半径；以及/n该第二圆环区具有不同于该第一内径的一第二内半径。/n

【技术特征摘要】
20180731 US 62/712,673;20190524 US 16/422,0711.一种用于基于等离子体的制程的装置，包括：
一壳体，定义一加工腔室；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李安基，陈智圣，黄士哲，许志贤，黄志豪，王明治，江煜培，陈俊彦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71