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一种使用一气体挡板控制晶圆均匀性的装置及方法。在一范例中，公开有用于基于等离子体的制程的一装置。此装置包括：一壳体及一挡板。壳体定义一加工腔室。挡板安排在加工腔室中的一晶圆上方。挡板配置以控制在晶圆上的等离子体分布。挡板具有一圆环的一形状，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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