基底加工设备和基底加工方法技术

基底加工设备的示例包括：台板；用于使所述台板旋转的驱动单元；仅面对所述台板的外边缘的一部分的电极；用于向所述电极供应高频功率的高频功率供应单元；以及用于向所述电极与所述台板之间的间隙供应气体的气体供应装置。

Base processing equipment and base processing method

【技术实现步骤摘要】
基底加工设备和基底加工方法
描述了涉及基底加工设备和使用所述基底加工设备的基底加工方法的示例。
技术介绍
在半导体或液晶制造过程中，基底的外周部或者背面与搬运机器人的手机械接触。当搬运机器人的手例如与布置在基底的侧表面部上的薄膜接触时，薄膜剥落，导致颗粒的产生。这些微小的颗粒给高度集成的装置带来电故障，并且引起严重的减产。另外，形成为以便围绕基底的背面的外周部蔓延的导电膜干扰基底的静电吸引，或者产生竖直地穿过基底的直流电流，由此引起随后的过程中的元件的损坏。基底的外周上的膜的选择性的去除被认为是防止由于与基底的外周部机械接触而产生颗粒的方法。例如，使反应气体流向基底的外周部，并且将高频功率施加至设置在外周部上方的电极以在外周部周围产生等离子体。在该方法中，在电极之间设定了非常小的间隔，从而防止导向基底的中心的气体的扩散以及等离子体的包着。等离子体的引燃电压由反应器的内部压力p与电极间隔d的根据帕邢定律的乘积p*d的函数表示。由于等离子体的引燃电压与1/d成比例，所以当d非常小时引燃电压增加，使得难以获得均匀和稳定的等离子体。因此，基底的外周部处的膜形成和膜去除是非均匀的，这不利地影响了产量。
技术实现思路
本文描述的一些示例可以解决上述问题。本文描述的一些示例可以提供一种基底加工设备和基底加工方法，其能够在基底的边缘上或者在所述边缘附近的部分上执行稳定的等离子体加工。在一些示例中，基底加工设备包括：台板；用于使台板旋转的驱动单元；只面对台板的外边缘的一部分的电极；用于向电极提供高频功率的高频功率供应单元；以及用于向电极与台板之间的间隙供应气体的气体供应装置。附图说明图1为示出了基底加工设备的构造示例的简图；图2为台板和电极的平面图；图3为示出了电极的形状对加工结果的影响的图表；图4为示出了根据另一个示例的基底加工设备的构造示例的简图；图5为示出了根据另一个示例的基底加工设备的构造示例的简图；图6为示出了根据另一个示例的基底加工设备的构造示例的简图。具体实施方式将参照附图描述根据一些示例的基底加工设备和基底加工方法。相同或对应的组成元件由相同的附图标记表示，并且可以省略其重复的描述。图1为示出了基底加工设备2的构造示例的简图。基底加工设备包括容纳在腔室11中的台板10。台板10可以为电极，诸如静电卡盘电极(ESC电极)。台板10可以为温度可调节的基座。该台板10可以通过驱动单元12旋转。驱动单元12以y轴作为旋转轴而使台板10旋转。在示例中，驱动单元12可以为电动机。台板10可以通过各种方法旋转。作为基底加工的目标的基底14放置在台板10上。基底14的直径大于台板10的直径。例如，基底14的直径能够为300mm并且比台板10大。因此，基底的边缘及其从边缘延伸的外周部14a没有被台板10支撑。基底14能够为用于制造半导体装置或者液晶的材料。基底加工设备2能够包括设置在台板10旁边的电极16。电极16的形状能够为弧形。基底加工设备2还能够包括向电极16供应高频功率、能够连接至电极16的交流电源18。图2为图1的基底加工设备2的一部分的平面图，至少示出了台板10、基底14以及电极16。台板10的外边缘由虚线指示。电极16只面对台板10的外边缘的一部分。换言之，电极16不包围台板10。电极16与台板10之间的距离可以等于或大于10mm。在一些示例中，电极16面对台板10的外边缘的1/20或更少。例如，图2示出了基底加工设备2还能够包括系统17、交流电源18(例如，射频发生器)，并且匹配电路19设置为向电极16施加高频功率。交流电源18能够从系统17接收指令，从而经由匹配电路19向电极16供应高频功率。注意到的是，系统17、交流电源18以及匹配电路19为向电极16供应高频功率的高频电源单元的一个示例，并且基底加工设备2能够包括任何其他合适的高频电源单元来代替或结合系统17、交流电源18以及匹配电路19中的至少一个。回顾图1，基底加工设备10能够包括掩模块(maskblock)20，以防止操作期间材料从基底14的一部分的去除。掩模块20设置在台板10上方，以便与台板10分开。掩模块20的材料可以是绝缘体(例如，陶瓷材料)或者任何其他合适的材料。掩模块20与台板10之间的距离大于基底14的厚度。在示例中，掩模块20与台板10之间的距离可以至少为1mm、1至3mm、或者1至5mm。掩模块20能够限定竖直地穿过其而延伸的通孔20a。通孔20a例如经由将净化气体供应装置22联接至通孔20a的管而被供应有来自净化气体供应装置22的净化气体。结果，净化气体经由通孔20a而被供应到形成在台板10、基底14或者掩模块20中的至少两个之间、并且由台板10、基底14或者掩模块20中的至少两个限定的空间20b中。净化气体可以相对于台板10沿径向流过空间20b。由净化气体供应装置22供应的净化气体能够为氩气、氮气或者氦气。基底加工设备2能够包括气体供应装置24以例如经由管将气体供应到形成在电极16与台板10之间、并且由电极16和台板10形成的间隙23中。气体供应装置24能够将用于膜形成的蚀刻气体(例如，氧气、三氟化氮、氦气或者氩气)或者材料气体供应至间隙23。来自气体供应装置24的气体以及来自净化气体供应装置22的净化气体的气体流速能够由质量流控制器(未示出)、系统17、控制器26或者任何其他合适的控制器来控制。质量流控制器可以能够连通地联接至气体供应装置24或净化气体供应装置22，并且至少部分地控制气体供应装置24或净化气体供应装置22的运行。基底加工设备2能够包括排放管道25，所述排放管道25可以排出从净化气体供应装置22供应的净化气体以及从气体供应装置24供应的气体。基底加工设备2还能够包括控制阀27和排放泵28，所述控制阀27和排放泵28至少部分地由控制器26控制，由此优化腔室11中的压力。例如，控制阀27和排放泵28被控制，使得从气体供应装置24供应的气体主要填充在腔室11中。排放管道25、控制阀27以及排放泵28能够共同地形成排放通道。基底加工设备2能够包括设置为面对电极16的阻抗调节电极30。阻抗调节电极30经由变容器32而接地。阻抗调节电极30能够设置在台板10上方或下方。阻抗调节电极30提供不同于台板10、接近于电极16并且用作放电插头的接地线。能够通过调节变容器32的容量来创建能够被修改(例如，优化)为提高放电稳定性的高频阻抗。基底加工设备2能够包括设置在台板10上方的测量装置34。测量装置34能够为照相机、温度计或者膜厚度测量装置中的至少一种。测量装置34设置为从上侧观察基底14的外周部14a。基底14的外周部为沿着基底14中的边缘延伸的环形部分。例如，外周部14a处的膜去除的完成或者膜形成的完成由测量装置34实时监控。使用图1和图2的基底加工设备2的基底加工方法的示例能够包括将具有比台板10大的直径的基底14放置在台板10上。结果，如图1和图2所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底加工设备，包括：/n台板；/n驱动单元，其用于使所述台板旋转；/n电极，其仅面对所述台板的外边缘的一部分；/n高频功率供应单元，其用于向所述电极供应高频功率；以及/n气体供应装置，其用于向所述电极与所述台板之间的间隙供应气体。/n

【技术特征摘要】
20180802 US 16/053,7401.一种基底加工设备，包括：
台板；
驱动单元，其用于使所述台板旋转；
电极，其仅面对所述台板的外边缘的一部分；
高频功率供应单元，其用于向所述电极供应高频功率；以及
气体供应装置，其用于向所述电极与所述台板之间的间隙供应气体。


2.根据权利要求1所述的基底加工设备，还包括：
掩模块，其设置在所述台板上方，以便与所述台板分离；以及
净化气体供应装置，其用于向所述台板与所述掩模块之间的空间供应净化气体，以产生相对于所述台板沿径向行进的气流。


3.根据权利要求1或2所述的基底加工设备，其中，所述电极的形状为弧形。


4.根据权利要求1或2所述的基底加工设备，还包括阻抗调节电极，其面对所述电极并且经由变容器而接地。
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【专利技术属性】
技术研发人员：森幸博，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL