晶片处理室及系统技术方案

本发明专利技术涉及晶片处理室及系统。该晶片处理室包括：壳体；安置在壳体上的第一闸阀；安置成接近于第一闸阀的第一喷射器口；安置在壳体外部的第一隔离阀；耦接到第一隔离阀的第一流量限制器；安置在壳体内的负载锁定喷射器口；安置在壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器；被配置成调节流动到壳体的吹扫气体的量的流量控制器；其中关闭第一隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到第一喷射器口；其中关闭负载锁定隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到负载锁定喷射器口；其中使吹扫气体流动通过第一喷射器口导致半导体衬底上的膜中的氧含量较低。衬底上的膜中的氧含量较低。衬底上的膜中的氧含量较低。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理室及系统
[0001]本申请是申请日为2019年5月29日、申请号为201910461004.2、名称为“水分减少的晶片处理室”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开大体上涉及半导体处理工具。更具体地说，本公开涉及一种晶片处理机构，其具有用于减少晶片周围的水分的吹扫功能。

技术介绍

[0003]晶片可以在处理期间行进通过几个不同腔室。举例来说，晶片可以从存放晶片的盒进入晶片处理室中。晶片可以从晶片处理室进入反应室中。在这个过程中，水分可能会积聚在晶片上，导致晶片氧化。氧化是不合需要的，在晶片上形成不想要的产物。另外，氧化可能会增加电阻率，改变功函数，并且改变后续沉积的成核。
[0004]先前的方法涉及在晶片行进通过不同腔室时吹扫氮气，以及调节腔室的压力。调节腔室的压力可能需要改变环境条件，这可能导致下一晶片回到平衡的等待延迟。另外，降低腔室中的压力的能力受泵送能力限制。此外，增加吹扫氮气的流量也受泵送能力限制。氧化可能会导致晶片的调谐电压的不均匀性增加。
[0005]先前方法的其它问题包含因减少水分渗透所致的操作费用增加。另外，减少粘附于晶片的进入水分意味着需要脱气步骤，从而增加费用并且降低吞吐量。此外，水分还可能通过负载锁进入腔室，这可能以晶片上的氧化告终。因此，期望减少各种腔室中的水分，旨在减少晶片上出现的氧化量。

技术实现思路

[0006]出于概述本专利技术的方面和所实现的优于相关技术的优点的目的，本公开中描述了本专利技术的某些目标和优点。当然，应理解，未必所有此类目标或优势都可以根据本专利技术的任何特定实施例来实现。因此，举例来说，本领域的技术人员将认识到，本专利技术可以按照实现或优化如本文所传授的一个优点或一组优点的方式实施或进行，而不必实现如本文中可能传授或表明的其它目标或优点。
[0007]在各种实施例中，被配置成用于处理半导体衬底的晶片处理室可以包括壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀可以被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀；耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器调节流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；安置在所述壳体内的负载锁定喷射器口；安置在所述壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到所述负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器，其中所述负载锁定隔离阀和所述负载锁定流量限制器调节流动到所述负载锁定喷射器口的所述吹扫气体的量；和/或被配置成调节流动到所述壳体的吹扫气体的量的流量控制器。在各种实施例中，关闭所述第一隔离阀可以导致减少量的所述吹扫气体流动到
所述第一喷射器口；和/或关闭所述负载锁定隔离阀可以导致减少量的所述吹扫气体流动到所述负载锁定喷射器口。在各种实施例中，所述吹扫气体可以包括以下中的至少一种：氮气(N2)；氩气(Ar)；氢气(H2)；和氪气(Kr)。
[0008]在各种实施例中，所述腔室可以进一步包括安置在所述壳体上的第二闸阀，其中所述第二闸阀可以被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近所述第二闸阀的第二喷射器口；安置在所述壳体外部的第二隔离阀；和/或耦接到所述第二隔离阀的第二流量限制器，其中所述第二隔离阀和所述第二流量限制器可以调节流动到所述第二喷射器口的吹扫气体的量。在各种实施例中，所述腔室可以进一步包括安置在所述壳体上的第三闸阀，其中所述第三闸阀可以被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近所述第三闸阀的第三喷射器口；安置在所述壳体外部的第三隔离阀；和/或耦接到所述第三隔离阀的第三流量限制器，其中所述第三隔离阀和所述第三流量限制器可以调节流动到所述第三喷射器口的吹扫气体的量。在各种实施例中，所述腔室可以进一步包括安置在所述壳体上的第四闸阀，其中所述第四闸阀可以被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近所述第四闸阀的第四喷射器口；安置在所述壳体外部的第四隔离阀；和/或耦接到所述第四隔离阀的第四流量限制器，其中所述第四隔离阀和所述第四流量限制器调节流动到所述第四喷射器口的吹扫气体的量。
[0009]在各种实施例中，关闭所述第一隔离阀和所述第一闸阀、所述第二隔离阀和所述第二闸阀、所述第三隔离阀和所述第三闸阀、所述第四隔离阀和所述第四闸阀、和所述负载锁定隔离阀中的每一个可以导致气体向所述第一喷射器口、所述第二喷射器口、所述第三喷射器口、所述第四喷射器口和所述负载锁定喷射器口的均匀分布。在各种实施例中，仅打开所述第一隔离阀和所述第一闸阀可以导致所述第一喷射器口处的局部吹扫增加。
[0010]在各种实施例中，所述腔室可以进一步包括安置在所述壳体内的喷射器口的环。在各种实施例中，喷射器口的所述环可以被选择性地操作以允许特定喷射器口处的吹扫被接通和断开。在各种实施例中，所述流量控制器可以包括以下中的至少一个：质量流量控制器或压力流量控制器。
[0011]在各种实施例中，被配置成用于将膜沉积在半导体衬底上的反应系统可以包括被配置成使至少一种气体流动到半导体衬底上以在所述半导体衬底上形成膜的第一反应室；和耦接到所述第一反应室的晶片处理室。在各种实施例中，所述晶片处理室可以包括壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀可以被配置成允许半导体衬底在所述第一反应室与所述晶片处理室之间行进；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀；耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器调节流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；安置在所述壳体内的负载锁定喷射器口；安置在所述壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到所述负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器，其中所述负载锁定隔离阀和所述负载锁定流量限制器可以调节流动到所述负载锁定喷射器口的所述吹扫气体的量；和/或被配置成调节流动到所述壳体的吹扫气体的量的流量控制器。在各种实施例中，关闭所述第一隔离阀可以导致减少量的所述吹扫气体流动到所述第一喷射器口；和/或关闭所述负载锁定隔离阀可以导致减少量的所述吹扫气体流动到所述负载锁定喷射器口。在各种实施例中，当所述第一闸阀打开并且所述半导体衬底可以在所述第一反应室与所述晶片处理室之间行进时，所述吹扫
气体的流动可以在所述第一喷射器口处出现。
[0012]在各种实施例中，所述反应系统可以进一步包括被配置成使至少一种气体流动到半导体衬底上以在所述半导体衬底上蚀刻膜的第二反应室。在各种实施例中，所述吹扫气体可以包括以下中的至少一种：氮气(N2)；氩气(Ar)；氢气(H2)；和氪气(Kr)。在各种实施例中，使所述吹扫气体流动通过所述第一喷射器口可以导致所述半导体衬底上的所述膜中的氧含量较低。在各种实施例中，所述流量控制器可以包括以下中的至少一个：质量流量控制器或压力流量控制器。
[0013]所有这些实施例都意图在本文中所公开的本专利技术的范围内。对于本领域的技术人员来说，这些和其它实施例将从参考附图的某些实施例的以下详细描述变得显而易见，本专利技术不限于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种被配置成用于处理半导体衬底的晶片处理室，所述腔室包括：壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀；耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器调节流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；安置在所述壳体内的负载锁定喷射器口；安置在所述壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到所述负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器，其中所述负载锁定隔离阀和所述负载锁定流量限制器调节流动到所述负载锁定喷射器口的所述吹扫气体的量；和被配置成调节流动到所述壳体的吹扫气体的量的流量控制器；其中关闭所述第一隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述第一喷射器口；其中关闭所述负载锁定隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述负载锁定喷射器口；其中使所述吹扫气体流动通过所述第一喷射器口导致所述半导体衬底上的所述膜中的氧含量较低。2.根据权利要求1所述的腔室，其中仅打开所述第一隔离阀和所述第一闸阀导致所述第一喷射器口处的局部吹扫增加。3.一种被配置成用于处理半导体衬底的晶片处理室，所述腔室包括：壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀，所述第一隔离阀通过第一流动线路连接至所述第一喷射器口，所述第一隔离阀被配置成调节通过所述第一流动线路流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；与所述第一隔离阀连通的流量控制器，所述流量控制器被配置成调节从所述第一喷射器口流动到所述壳体的吹扫气体的量；其中所述第一喷射器口、所述第一隔离阀、以及所述流量控制器被配置成一起协作，从而基于流动到所述壳体的吹扫气体的量来降低所述半导体衬底的氧含量。4.根据权利要求3所述的腔室，还包括耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器被配置成调节通过所述第一流动线路流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量。5.根据权利要求3所述的腔室，其中关闭所述第一隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述第一喷射器口。6.根据权利要求3所述的腔室，其进一步包括：安置在所述壳体上的第二闸阀，其中所述第二闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且
进入所述壳体中；安置成接近所述第二闸阀的第二喷射器口；安置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：