晶片处理室及系统技术方案

本发明专利技术涉及晶片处理室及系统。该晶片处理室包括：壳体；安置在壳体上的第一闸阀；安置成接近于第一闸阀的第一喷射器口；安置在壳体外部的第一隔离阀；耦接到第一隔离阀的第一流量限制器；安置在壳体内的负载锁定喷射器口；安置在壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器；被配置成调节流动到壳体的吹扫气体的量的流量控制器；其中关闭第一隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到第一喷射器口；其中关闭负载锁定隔离阀导致减少量的吹扫气体流动到负载锁定喷射器口；其中使吹扫气体流动通过第一喷射器口导致半导体衬底上的膜中的氧含量较低。衬底上的膜中的氧含量较低。衬底上的膜中的氧含量较低。

【技术实现步骤摘要】
晶片处理室及系统
[0001]本申请是申请日为2019年5月29日、申请号为201910461004.2、名称为“水分减少的晶片处理室”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开大体上涉及半导体处理工具。更具体地说，本公开涉及一种晶片处理机构，其具有用于减少晶片周围的水分的吹扫功能。

技术介绍

[0003]晶片可以在处理期间行进通过几个不同腔室。举例来说，晶片可以从存放晶片的盒进入晶片处理室中。晶片可以从晶片处理室进入反应室中。在这个过程中，水分可能会积聚在晶片上，导致晶片氧化。氧化是不合需要的，在晶片上形成不想要的产物。另外，氧化可能会增加电阻率，改变功函数，并且改变后续沉积的成核。
[0004]先前的方法涉及在晶片行进通过不同腔室时吹扫氮气，以及调节腔室的压力。调节腔室的压力可能需要改变环境条件，这可能导致下一晶片回到平衡的等待延迟。另外，降低腔室中的压力的能力受泵送能力限制。此外，增加吹扫氮气的流量也受泵送能力限制。氧化可能会导致晶片的调谐电压的不均匀性增加。
[0005]先前方法的其它问题包含因减少水分渗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种被配置成用于处理半导体衬底的晶片处理室，所述腔室包括：壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀；耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器调节流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；安置在所述壳体内的负载锁定喷射器口；安置在所述壳体外部的负载锁定隔离阀；耦接到所述负载锁定隔离阀的负载锁定流量限制器，其中所述负载锁定隔离阀和所述负载锁定流量限制器调节流动到所述负载锁定喷射器口的所述吹扫气体的量；和被配置成调节流动到所述壳体的吹扫气体的量的流量控制器；其中关闭所述第一隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述第一喷射器口；其中关闭所述负载锁定隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述负载锁定喷射器口；其中使所述吹扫气体流动通过所述第一喷射器口导致所述半导体衬底上的所述膜中的氧含量较低。2.根据权利要求1所述的腔室，其中仅打开所述第一隔离阀和所述第一闸阀导致所述第一喷射器口处的局部吹扫增加。3.一种被配置成用于处理半导体衬底的晶片处理室，所述腔室包括：壳体；安置在所述壳体上的第一闸阀，其中所述第一闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且进入所述壳体中；安置成接近于所述第一闸阀的第一喷射器口；安置在所述壳体外部的第一隔离阀，所述第一隔离阀通过第一流动线路连接至所述第一喷射器口，所述第一隔离阀被配置成调节通过所述第一流动线路流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量；与所述第一隔离阀连通的流量控制器，所述流量控制器被配置成调节从所述第一喷射器口流动到所述壳体的吹扫气体的量；其中所述第一喷射器口、所述第一隔离阀、以及所述流量控制器被配置成一起协作，从而基于流动到所述壳体的吹扫气体的量来降低所述半导体衬底的氧含量。4.根据权利要求3所述的腔室，还包括耦接到所述第一隔离阀的第一流量限制器，其中所述第一隔离阀和所述第一流量限制器被配置成调节通过所述第一流动线路流动到所述第一喷射器口的吹扫气体的量。5.根据权利要求3所述的腔室，其中关闭所述第一隔离阀导致减少量的所述吹扫气体流动到所述第一喷射器口。6.根据权利要求3所述的腔室，其进一步包括：安置在所述壳体上的第二闸阀，其中所述第二闸阀被配置成允许半导体衬底传递并且
进入所述壳体中；安置成接近所述第二闸阀的第二喷射器口；安置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：