【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于嵌入陶瓷件的加热器的涂层导体
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。
技术介绍
[0002]半导体设备制造涉及在各种半导体处理装置中执行的多种不同工艺。这些工艺可以包含例如光刻、沉积、蚀刻等。在这些制造工艺期间,半导体衬底通常被支撑在基座或其他类型的衬底支撑件上。在某些情况下,基座包含可用于在处理期间加热衬底的嵌入式加热器。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
技术实现思路
[0004]本文的各个实施方案涉及用于制造半导体处理装置中的台板的方法、装置和系统,以及通过这种方法、装置和系统生产的台板和中间结构。通常,本文描述的技术包含在烧结操作中将加热器嵌入陶瓷材料之前涂布加热器。涂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造用于半导体处理装置中的台板的方法,所述方法包含:在加热器上沉积或以其他方式形成涂层,以形成具有涂层的加热器,其中所述加热器包含上面形成有所述涂层的金属线;将所述具有涂层的加热器置于粉末中;将所述粉末压实成内聚性块体,以形成粉末基复合材料;以及烧结所述粉末基复合材料以形成所述台板,其中所述台板包含嵌入在经烧结的陶瓷材料中的所述加热器。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂层使用由原子层沉积、化学气相沉积、电镀、无电镀覆、浸涂、热喷涂或等离子体喷涂、以及物理气相沉积组成的群组的技术沉积在所述加热器上。3.根据权利要求1
‑
2中任一项所述的方法,其中所述涂层沉积到至少约5埃的厚度。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法,其中所述涂层包含金属、金属氧化物、元素金属、金属氮化物或金属间化合物。5.一种用于半导体处理装置中的台板,其中所述台板是根据权利要求中所...
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