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湿法处理装置、湿法处理方法以及薄膜器件的制造方法制造方法及图纸

技术编号:37136986 阅读:22 留言:0更新日期:2023-04-06 21:37
本发明专利技术涉及湿法处理装置、湿法处理方法以及薄膜器件的制造方法。湿法处理装置具备:容器,其至少一个面的一部分开口,并且在相互相对的一对内壁之间具有由用于各一块地收纳晶圆的保持槽构成的狭缝;浴槽,其用于使收纳于容器内的晶圆相对于液面以水平的方向浸没;以及运转装置,其使容器能够水平地往返移动。根据本发明专利技术,能够使晶圆在湿法处理面的整个面上均匀地进行湿法处理。均匀地进行湿法处理。均匀地进行湿法处理。

【技术实现步骤摘要】
湿法处理装置、湿法处理方法以及薄膜器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一边使例如晶圆等被处理物水平地摇动一边供给湿法处理液而进行湿法处理的湿法处理装置、湿法处理方法以及薄膜器件的制造方法。

技术介绍

[0002]一直以来,将晶圆作为被处理物,在进行清洗、成膜、剥离、蚀刻、镀敷、研磨等的时候,广泛使用将晶圆浸渍于贮存有湿法处理液的浴槽并由湿法处理液对被处理物的湿法处理面进行湿法处理的湿法处理装置。而且,在这样的湿法处理装置中,寻求使晶圆在湿法处理面的整个面上均匀地进行湿法处理的技术。
[0003]例如,在专利文献1中公开了具备在内部贮存有蚀刻液的蚀刻槽和可旋转地支撑并收纳多块半导体晶圆的晶圆框,并且通过在使收纳有多块半导体晶圆的晶圆框浸渍于蚀刻槽中的状态下使半导体晶圆绕其表面的法线方向自转旋转,从而使蚀刻液供给到半导体晶圆的表面的整个面以对该表面进行蚀刻的蚀刻装置。
[0004]另外,在专利文献2中公开了在具有平坦的底面的容器中注入蚀刻液,然后,将具有平坦的蚀刻面的晶圆等的蚀刻对象物浸入到蚀刻液中并且在蚀刻面相对于容器的底面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法处理装置,其中,具备:容器,其至少一个面的一部分开口,并且在相互相对的一对内壁之间具有由用于各一块地收纳晶圆的保持槽构成的狭缝;浴槽,其用于使收纳于所述容器内的所述晶圆相对于液面以水平的方向浸没;以及运转装置,其使所述容器能够水平地往返移动。2.如权利要求1所述的湿法处理装置,其中,所述保持槽大于所述晶圆的厚度。3.如权利要求1或2所述的湿法处理装置,其中,所述保持槽形成于构成所述容器的一块板的内侧,所述板以对应于所述保持槽的方式设置有贯通孔。4.如权利要求3所述的湿法处理装置,其中,所述容器沿着带所述贯通孔的所述板被排列的方向进行水平摇动。5.一种湿法处理方法,其中,具备:在基板上形成膜的工序;准备在形成的所述膜上堆积了用于图案化的抗蚀剂而成的晶圆的工序;将所述晶圆收纳于至少一个面开口并且在相互相对的一对内壁之间具有由用于各一块地收纳所述晶圆的保持槽构成的狭缝的容器的工序;使收纳于所述容器内的所述晶圆以...

【专利技术属性】
技术研发人员:长瀬健司
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:

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