本发明提供一种卡盘装置及半导体加工设备，包括：卡盘，包括用于承载晶片的承载面，且在卡盘中设置有第一进气孔；防护件，设置在第一进气孔中，且防护件采用多孔结构，热交换气体能够流经多孔结构后至承载面上，以减小热交换气体在第一进气孔中发生击穿放...

本发明提供一种半导体工艺监控方法及装置，该方法包括：在当前工艺步骤开始之前，启用监控线程；在所述当前工艺步骤开始执行后，通过所述监控线程，在第一预设时长内每隔一预设时间段采集一工艺参数值，直至所述第一预设时长结束；统计所述工艺参数值的总...

本发明提供一种反应腔室及半导体热处理设备，包括内炉管，套置在内炉管外周的外炉管和进气管，进气管包括依次串接且连通的第一管部、第二管部和第三管部；第一管部的出气端伸入设置在内炉管上的第一通孔中，且第一管部通过第一通孔与内炉管的内部连通；第...

本发明公开了一种压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备。包括控制器和驱动结构；所述驱动结构的一控制端与所述控制器的输出端通信连接，另一端用于与所述压环连接；所述控制器，用于实时检测冷却气体的流量波动信号，并根据所述冷却气体的...

本发明提供了一种反应腔室，包括腔室本体，还包括旋转盘、套设在所述旋转盘外周的导流板、以及位于所述旋转盘下方的冷却盘，其中，所述冷却盘上设有相连通的环形通道和第一进气通道，所述环形通道的靠近所述冷却盘外边缘的侧壁与所述导流板的外周壁之间、...

本发明公开了一种防打火齿轮及磁控溅射镀膜装置，防打火齿轮包括：齿轮主体，齿轮主体包括绝缘齿轮环和套设于绝缘齿轮环内的强化套环，强化套环的外壁与绝缘齿轮环的内壁连接，强化套环的外壁与绝缘齿轮环的内壁贴合，绝缘齿轮环的外壁设有多个轮齿，绝缘...

本发明提供一种进气装置及半导体处理设备，进气装置用于半导体处理设备，进气装置包括：进气模块以及匀流板，匀流板位于进气模块的进气端，该进气装置还包括：固定结构，设置在匀流板的远离进气模块的一侧，固定结构能够在所处环境的温度上升时发生形变，...

本申请提供了一种晶片检测装置、晶片传输系统及晶片检测方法，设置于装载腔室上，包括：反射板、收发器和固定板；所述固定板安装在所述装载腔室的侧壁上，所述固定板上设置有通光孔；所述收发器安装在所述固定板上，且所述收发器通过所述通光孔向所述装载...

本发明提供一种偏压控制方法及装置、半导体加工设备，该方法包括：实时采集下电极上的射频偏压的模拟信号；将射频偏压的模拟信号转换为数字信号；对数字信号进行处理，以获得射频偏压的幅值检测值和相位检测值；将幅值检测值和相位检测值分别与预设的幅值...

本发明提供一种射频偏压调节方法、装置及等离子体刻蚀设备，该方法包括以下步骤：S1，获取预先设置的最大射频偏压值和与之对应的上射频电源与偏压射频电源输出射频波形的初始的相位差；S2，使偏压射频电源基于最大射频偏压值和初始的相位差输出射频偏...

本申请实施例提供了一种单侧上下料半导体设备及其物料传送装置。该物料传送装置，包括：移动底座用于承载物料；物料存放位组件设置在导轨组件的一侧，用于承载移动底座；物料移动机构，设置在导轨组件上，可沿导轨组件移动，第一牵引组件用于将移动底座从...

本发明提供一种半导体加工设备，包括工艺腔室、晶舟、固定套管、升降装置、悬臂梁、热电偶和连接结构，其中，固定套管设置于工艺腔室中，晶舟能够竖直的放置在固定套管中，热电偶可通过水平设置的悬臂梁与升降装置连接，以在固定套管中升降，连接结构分别...

本发明提供了一种用于等离子体刻蚀设备的脉冲信号控制方法，等离子体刻蚀设备包括上电极射频电源和下电极射频电源，脉冲信号控制方法包括：开启上射频电源，并输出具有第一脉冲频率和第一脉冲占空比的上射频电源信号；延迟预设时间后，开启下射频电源，并...

本发明提供一种用于SiC高温氧化工艺的工艺腔室及热处理炉，该工艺腔室包括：筒状隔热装置，内部具有封闭的隔热空间；隔热板组件，包括多个沿竖直方向叠置在一起的隔热板；隔热板组件邻接设置在筒状隔热装置的上方；以及工艺舟，用于承载被加工工件；工...

本发明公开了一种电感耦合装置、工艺腔室和半导体处理设备。所述电感耦合装置包括射频线圈和射频电源，所述射频电源经由匹配器与所述射频线圈的输入端电连接，所述电感耦合装置还包括直流电源，所述直流电源与所述射频线圈的输入端电连接，以使得所述射频...

本发明提供一种非等离子体刻蚀方法及刻蚀设备，该非等离子体刻蚀方法包括：向反应腔室内通入刻蚀气体和还原性气体；其中，刻蚀气体用于与基片反应，以实现对基片的刻蚀；还原性气体用于抑制刻蚀气体的刻蚀速率。本发明提供的非等离子体刻蚀方法，其可以实...

本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。该原子层刻蚀设备包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；上射频组件用于向工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置用于向工艺腔室...

本申请实施例提供了一种静电卡盘、半导体处理腔室及设备。该静电卡盘，包括承载盘、加热器及温度传感器；承载盘的上表面为承载面，承载面用于承载晶圆；加热器位于承载盘的下方；温度传感器为多个，均匀地设置于承载盘上，且多个温度传感器顶面与承载面平...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体、支架、支撑件、介质窗和至少一个密封件；支架夹设在腔室本体和介质窗之间，支撑件夹设在介质窗和支架之间；其中，介质窗与支架的靠近腔室本体外侧的边缘区域设置有收容结构，以收容支撑件；并且...

本发明公开了一种电感耦合装置和半导体处理设备。包括射频电源、第一匹配器、介质窗以及与所述介质窗连接的射频线圈，所述射频线圈的输入端经由所述第一匹配器与所述射频电源电连接，所述电感耦合装置还包括电流导流件；所述电流导流件用于与所述工艺腔室...