本申请实施例提供了一种冷却装置、半导体处理腔室及设备。该冷却装置设置于腔室的排气口与排气管的连接部，包括：冷却管路及回收管路；冷却管路内流动有冷却介质用于对连接部进行冷却，回收管路用于回收冷却介质。本申请实施例可以有效提高连接部的密封圈...

本发明提供一种承载台和等离子体设备。所述承载台包括承载台本体和沿厚度方向贯穿所述承载台本体的多个针孔，所述承载台还包括至少一个磁体，所述磁体嵌入在所述承载台本体中。有利于抑制针孔内等离子体的激发，提高工艺质量。

本发明提供了一种用于半导体热处理设备的排风系统，排风系统包括转接管、排风盒和隔离阀，转接管具有第一进风口和第一出风口；排风盒具有第二进风口和第二出风口；第一出风口与第二进风口之间设置有辅助密封板，辅助密封板上形成有第一开口，第一开口能将...

一种应用等离子体加工系统进行加工的方法，所述等离子体加工系统包括第一腔室和第二腔室，所述第一腔室具有第一下电极，所述第二腔室具有第二下电极，射频源通过匹配电路和功率分配器分别在所述第一下电极和所述第二下电极产生第一偏置电压及第二偏置电压...

本发明提供一种工艺盘找正方法，包括：S1，控制所述工艺盘以第一预设转速旋转；S2，在检测到所述工艺盘上的定位结构时，控制所述工艺盘减速直至停止，并再次控制所述工艺盘沿与上一次旋转方向相反的方向旋转，且旋转速度小于上一次的旋转速度；S3，...

本发明提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室包括腔室本体和设于所述腔室本体内基座及进气管路，所述进气管路包括主进气通道和多条分流通道，多条所述分流通道均设于所述基座内，并分别与所述主进气通道连通，且各所述分流通道的出气口均位于所述基座...

本发明公开了一种等离子体启辉的检测装置、方法和工艺腔室。包括光电转换元件和控制单元，其中，光电转换元件的感光面用于与工艺腔室的出光侧对应，以检测工艺腔室内的光信号并将光信号转换为电信号后发送至控制单元；控制单元，用于接收电信号后与预设的...

本发明公开了一种静电卡盘和工艺腔室，静电卡盘包括基座、接口盘和支撑组件；基座包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆，第二表面连接接口盘；支撑组件包括相连接的顶针结构和驱动结构，顶针结构可移动地穿设在基座中，至少部分驱动结...

本发明提供一种氧化炉，其包括：炉腔，该炉腔包括由上而下依次划分的工艺区、隔热区、燃烧区和保温区；工艺舟，设置在工艺区，用于承载被加工工件；进气管路，用于输送工艺气体，且进气管路的出气口位于燃烧区，进气管路的进气口自炉腔的底部延伸出去；隔...

本发明公开了一种导电连接件、工艺腔室和半导体处理设备。包括：第一安装部；第二安装部，其与所述第一安装部相对间隔设置；弯折连接部，其自所述第一安装部的末端弯折延伸并与所述第二安装部连接；并且，所述弯折连接部可在所述第一安装部和所述第二安装...

本发明提供一种气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置，该流量控制器的校准方法包括以下步骤：S1，接收用户输入的所述气体流量控制器的气体流量设定值，向所述气体流量控制器输出所述气体流量设定值；S2，通过气体流量传感器检测所述气体流量...

本发明提供一种用于气体管路的流量阈值的确定方法、报警方法、控制装置和半导体加工设备。所述确定方法包括步骤：将主气管路的第二端封闭，将所述主气管路与旁气管路连通；以预定气压向所述主气管路供气；根据所述预定气压确定所述主气管路的漏气上限流量...

本发明提供一种尾气传输装置，包括排气管道和吹扫装置，其中，排气管道的两端分别与工艺腔室和尾气处理装置连接，用于将工艺腔室内的尾气排放至尾气处理装置中；吹扫装置与排气管道的内部连通，用于向排气管道的内周壁通入吹扫气体，以在排气管道的内周壁...

本发明提供一种补液方法，补液设备包括多个备用容器；所述补液方法包括以下步骤：S1，检测气体容器的液位，并判断所述气体容器的液位是否低于预设的第一液位；若是，则进行步骤S2；S2，按预设顺序逐个检测所述备用容器的液位，并在检测每个所述备用...

本发明提供了一种基座加热方法，基座包括第一加热区和至少一个第二加热区，第一加热区和每个第二加热区用于进行分区加热；基座加热方法包括：获取第一加热区当前的加热功率和第二加热区当前的温度；判断第二加热区当前的温度是否满足预设条件；当第二加热...

本发明提供一种机械手碰撞保护检测方法、系统及下位机，该方法包括以下步骤：S1：判断机械手是否处于上电状态；若是，执行步骤S2；S2：获取碰撞保护开启信号，所述碰撞保护开启信号包括：表示所述机械手的碰撞保护已开启的第一信号与表示所述机械手...

本申请实施例提供了一种加热器、半导体加工腔室及设备。该加热器用于在腔室内对待加热件进行加热，加热器自上而下依次设置有：顶板、加热组件及底座；顶板用于承载待加热件；加热组件包括有匀热板，匀热板的顶面与顶板的底面贴合设置；匀热板上划分出第一...

本发明提供的反应腔室，包括：腔体，在所述腔体中设置有通孔；进气管，通过所述通孔延伸至所述腔体内；第一限位结构，设置在所述腔体的内侧；第二限位结构，设置在所述进气管上，且与所述第一限位结构相配合，以限制所述进气管的轴向旋转和径向平移；第三...

本发明提供一种阀门保护机构，阀门保护机构包括隔离管和遮蔽件，隔离管的内部空间用于设置基座，隔离管的管壁上设置有内传输口，内传输口用于朝向隔离阀，遮蔽件用于设置在基座上，且遮蔽件用于跟随基座在内部空间内移动，以封闭或打开内传输口。本发明还...

本发明公开了一种等离子体产生装置和离子注入设备。包括激光产生结构、粒子产生腔室和筛选组件：激光产生结构，用于产生符合预定条件的飞秒脉冲激光，预定条件包括预定波长和/或预定能量；粒子产生腔室，用于接收所述飞秒脉冲激光并照射位于所述反应腔室...