本发明公开了一种深硅刻蚀方法、深硅槽结极及半导体器件。该方法包括：步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积；步骤2、开始通入刻蚀气体，以下电极功率P

一种SiC衬底的刻蚀方法，刻蚀在反应腔室内进行，刻蚀方法交替执行刻蚀步骤和副产物排出步骤；在刻蚀步骤，对设于反应腔室内的SiC衬底进行刻蚀；在副产物排出步骤，排出反应腔室内的反应副产物。该刻蚀方法能够降低反应副产物在反应腔室侧壁和介质窗...

本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；...

本发明公开了一种复合介质层的刻蚀方法、复合介质层和半导体处理设备。包括：向刻蚀腔室提供预设总流量的刻蚀气体，所述刻蚀气体包括碳氟类气体和抑制类气体的混合气体，并且，所述碳氟类气体具有预设的第一流量，所述抑制类气体具有预设的第二流量；其中...

本发明公开了一种射频阻抗匹配的方法、装置和半导体处理设备。方法包括：步骤S110、向匹配器发送控制信号；步骤S120、判断所述控制信号是否为步骤切换信号，并当判定为步骤切换信号时，执行步骤S130，反之，执行步骤S140；步骤S130、...

本发明涉及一种腔室内衬，包括：沿腔室轴线且由顶部至底部的方向上依次设置的主通气板和至少一个子通气板，其中，所述主通气板和所述子通气板均包括挡部和通气口，其中一个通气板的所述通气口被其余至少一个通气板的所述挡部遮挡，且相邻两个通气板之间均...

本发明提供一种液体压力控制装置和方法、清洗液供给机构，该装置包括压力检测单元、执行单元、压力调节阀和控制单元，其中，压力调节阀设置在进液管路上，用于调节进液管路中的液体压力的大小；压力检测单元设置在进液管路上，且位于压力调节阀的输出端一...

一种LPCVD工艺生产环境的控制方法及系统。该控制方法包括：步骤1：采集被控对象的过程数据；步骤2：根据过程数据以及预先确定的目标函数，计算目标函数具有最小值时对应的控制律，作为初始控制律；步骤3：根据过程数据计算性能指标，并基于初始控...

本发明公开了一种用于半导体设备的上下位机信息同步系统。该系统包括上位机、下位机以及系统数据库，所述系统数据库分别与所述上位机、所述下位机通信连接。所述上位机与所述下位机用于记录半导体设备的硬件信息以及工艺执行过程中的事件过程信息，且所述...

本发明提供一种射频电源输出功率的校准方法和校准装置。该方法包括：获取所述射频电源的多个预设输出校准功率A[i]，i＝1,2,…,n；获取所述负载的多个实际功率B[i]，i＝1,2,…,n，所述负载的多个实际功率B[i]与多个所述预设输出...

本发明公开一种用于控制低压扩散炉的源瓶压力的控制装置及方法，该装置包括：反应腔室；用于向反应腔室通入气体的气体管道，源瓶的进气口处设有压力传感器，出气口通过气体管路向反应腔室通入气体；压力传感器用于检测源瓶内的实际压力值；压力调节管路，...

本发明公开了一种用于低压扩散炉的密封系统及密封方法。该密封系统包括：内层炉门和外层炉门，被配置为能够分别与石英管的内口和外口接触形成密封，以使所述内层炉门和所述外层炉门之间的空间形成封闭的夹层，并且所述内层炉门和所述外层炉门通过弹性部件...

一种用于热处理设备的冷却装置及包括该冷却装置的热处理设备，冷却装置包括通过管道依次连接的风门、热交换器、风机和进气阀，风门用于连接至热处理设备的排气口，进气阀用于连接至热处理设备的进气口。冷却装置可以实现空气循环利用，不使用净化间内的空...

一种反应腔室，包括反应石英管(22)、衬管(25)和进气弥散管(28)；其中，衬管(25)设于反应石英管(22)内，用于容纳硅片(27)，进气弥散管(28)通过设于衬管(25)端部的进气孔(251)插设于衬管(25)内，进气弥散管(28...

本发明提供一种加热炉体和半导体设备，该加热炉体包括：环形保温体；以及相互独立的多个加热结构，沿环形保温体的轴向依次设置在环形保温体的内侧；并且，有至少一个加热结构包括多个加热分部，且与环形保温体的周向上划分的多个分区一一对应，其中至少两...

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统，其中，每个前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，多条前驱体传输管路共同汇入反应腔室；溶剂冲刷系统包括溶...

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法，该设备包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统，其中，每个前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，每条前驱体传输管路均连接至反应腔室；溶剂冲刷系统包括溶...

本发明提供一种用于气相沉积设备的尾气管路组件，包括外套管和内衬管，其中，所述内衬管设置在所述外套管的管腔内，所述内衬管与所述外套管之间形成空腔；所述内衬管上形成有沿所述内衬管管壁的厚度方向贯穿所述内衬管的主喷射孔，所述主喷射孔与所述空腔...

本发明提供一种遮挡盘检测装置、磁控溅射腔室及遮挡盘检测方法，该遮挡盘检测装置设于磁控溅射腔室内，用于对遮挡盘的位置是否偏移进行检测，包括检测部、多个检测件、驱动器、检测单元，其中，检测部是绝缘的，设于导电的遮挡盘的表面上；驱动器用于驱动...

一种气液二相流雾化清洗方法，包括：步骤1：通过气液二相流管路向工艺腔室内通入辅助气体；步骤2：经过第一预定时间后，通过气液二相流管路向工艺腔室内通入清洗液体至预定流量，清洗液体在辅助气体的作用下形成雾化颗粒；步骤3：停止向工艺腔室内通入...