本申请实施例提供了一种点火装置及半导体处理设备。该点火装置包括：隔热箱、点火腔室、进气管组件、加热器及出气管组件；所述点火腔室设置于所述隔热箱内，用于容置并燃烧工艺气体；所述进气管组件与所述点火腔室连接，用于向所述点火腔室内输入工艺气体...

本发明公开了一种静电吸附卡盘的循环液系统，该静电吸附卡盘的基体中包含冷却液循环水路。该循环液系统包括与所述冷却液循环水路连接的冷却机，所述冷却机配置为能够同时泵出不同温度的第一循环液和第二循环液，其中一种循环液经过所述冷却液循环水路循环...

一种模块化晶圆传输系统和半导体设备，模块化晶圆传输系统包括相互独立的装载台模块、前端模块、过渡腔室模块和传输腔室模块，其中：装载台模块与前端模块相连接；前端模块与传输腔室模块之间以及各传输腔室模块之间通过过渡腔室模块相连接。本发明可以通...

一种金属互连清洗装置及清洗方法，清洗装置包括：清洁液摆臂，端部设有清洁液喷头，清洁液喷头连接至清洁液管路；辅助气体摆臂，端部设有辅助气体喷头，辅助气体喷头连接至第一辅助气体管路；超纯水摆臂，端部设有超纯水喷头，超纯水喷头连接至第一超纯水...

一种金属互连清洗装置及清洗方法，清洗装置包括：纳米气泡摆臂，其端部设有纳米气泡喷头，纳米气泡喷头连接于纳米气泡发生器，纳米气泡发生器用于连接至辅助气体管路和超净水管路；清洁液摆臂，其端部设有清洁液喷头，清洁液喷头用于连接至清洁液管路；辅...

一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上...

本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀...

本发明提供一种氧化层去除方法及半导体加工设备，该氧化层去除方法包括以下步骤：S1，对待加工层进行氧化，以形成指定氧化层；S2，对具有指定氧化层的待加工层进行刻蚀；循环进行步骤S1和步骤S2，直至达到预设的总刻蚀厚度；其中，通过调节步骤S...

本发明公开了一种OCX组件响应界面交互方法及装置，该方法应用于终端，包括：设置适配层控件作为OCX组件与调用界面之间的适配接口；其中，适配层控件以透明背景状态覆盖在调用界面中OCX组件所处区域；适配层控件向调用界面提供自定义鼠标点击事件...

一种压力控制装置和半导体设备，反应腔室与真空发生器相连接，压力控制装置包括：压力传感器，用于实时测量反应腔室的压力P；电控调压阀，连接于真空发生器的压缩空气入口端，用于调节真空发生器的负压口端的抽气压力；开度调节机构，设于连接反应腔室与...

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室和气体传输系统；所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的...

本发明公开了一种反应腔室的压力控制系统及压力控制方法。该装置包括尾气管、缓冲冷凝容器、进气管、排气管和控制器，并且在所述进气管上设置有气体质量流量控制器，所述排气管与真空泵连接，并且在其中设置有压力传感器。控制器与所述气体质量流量控制器...

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器，还包括磁性吸附件，所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。外界的工艺...

本发明公开了一种上电极系统、等离子体腔室及等离子体产生方法。该上电极系统包括射频电源、线圈、连接在射频电源和线圈之间的匹配器，还包括在线圈和地之间并联设置的开关组件和分压电容。本发明通过开关组件切换的方式实现匹配网络的切换，结合对等离子...

一种磁增强法拉第屏蔽结构及感应耦合等离子体源，磁增强法拉第屏蔽结构包括内层和套设于内层外侧的外层，内层和外层之间形成容置空间，容置空间内设有磁性件。磁增强法拉第屏蔽结构可以通过内层和外层共同形成的屏蔽层减弱感应耦合线圈电压导致的介质窗溅...

本发明公开了一种旋转电机的控制方法，其用于控制半导体设备的机台旋转装置中的旋转电机，包括：速度设定步骤，用于在执行工艺菜单之前设定目标转速，通过实时获取旋转电机反馈的转速判断速度设定是否成功；维持转速步骤，用于在执行工艺菜单的过程中维持...

本发明涉及一种机械手取片方法，包括：S1，控制机械手进行取片操作，并在该过程中判断是否出现异常，若是，则暂停所述取片操作，并执行S2；S2，提示用户重新确定基片当前位置，并接收用户确定的基片当前位置，根据基片当前位置进行下步操作。本发明...

一种用于清洗工艺腔室的漏液监控装置及清洗工艺腔室，漏液监控装置包括：卡杯，卡杯设置于清洗工艺腔室内，用于接收溅出清洗机台的漏液和非清洗工艺期间的冲洗液；排液管，排液管连接至卡杯的底部，用于将漏液排出清洗工艺腔室；以及漏液传感器，漏液传感...

本发明提供一种气体集成块结构、工艺腔室及半导体加工设备，该气体集成块结构用于设置在腔室本体上，以将工艺气体引入至腔室本体内，且包括气体集成块主体和封堵机构，其中，气体集成块主体上设有气体通道口，该气体通道口用于将工艺气体引入至腔室本体内...

本发明公开了一种深硅刻蚀方法、深硅槽结极及半导体器件。该方法包括：步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积；步骤2、停止输入沉积气体，开始通入刻蚀气体，以下电极功率P