工艺腔室和半导体处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器，还包括磁性吸附件，所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。外界的工艺气体在进入腔室本体内时，可以利用过滤器过滤掉该工艺气体中的绝大部分颗粒杂质，此外，借助磁性吸附件吸附工艺气体中的金属颗粒杂质，从而可以将过滤器无法过滤掉的微小金属颗粒进行吸附，使得进入到腔室本体内的工艺气体更洁净，进而可以提高基片的工艺质量。

Process chamber and semiconductor processing equipment

The invention discloses a process chamber and a semiconductor processing device. It includes a chamber body for placing a substrate, a filter for filtering the particle impurities in the process gas entering the chamber body, and a magnetic suction accessory for adsorbing the metal particle impurities in the process gas entering the chamber body. When the external process gas enters the chamber body, most of the particle impurities in the process gas can be filtered by the filter. In addition, the metal particle impurities in the process gas can be adsorbed by the magnetic suction accessories, so that the tiny gold particles that the filter cannot filter can be adsorbed, so that the process gas entering the chamber body is cleaner, and then Improve the process quality of substrate.

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室和半导体处理设备
本专利技术涉及半导体设备
，具体涉及一种工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。
技术介绍
随着硅片制程技术的快速发展，晶圆制造企业对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材抖性能的重要物理参数。影响少子寿命的主要因素之一是金属沾污，附着于硅片表层的金属元素经过热处理从硅片的表层扩散到内部,行成有效的复合中心，大大促进与载流子的复合，使硅片的少子寿命降低，进而影响到半导体器件的性能和可靠性。降低硅片热处理时的金属沾污已成为研究立式炉设备重要课题之一。相关技术中，为了降低硅片在工艺制程时被沾污，常常在硅片装载区的风循环系统中加装颗粒过滤器。但是，过滤器对于小于过滤器精度的微小颗粒无法过滤掉，这些微小颗粒随风循环时漂浮在硅片装载区，飘落在硅片表面产生颗粒污染，该微小颗粒主要是由运动机构摩擦产生，其主要成分是铁元素，在进行热处理时易与工艺腔室内氯化氢等工艺气体产生化学反应成为离子态扩散到硅片内部造成铁金属沾污。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器，还包括磁性吸附件：所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。可选地，所述磁性吸附件包括间隔设置的多层磁性吸附子层，并且，各层磁性吸附子层上均设置有若干个贯穿其厚度的排气孔。可选地，相邻两层所述磁性吸附子层上的排气孔交错排列。可选地，所述排气孔的直径为1mm～3mm，相邻所述排气孔的间距为3mm～9mm。可选地，所述磁性吸附件为永磁体或电磁体。可选地，所述磁性吸附件位于所述过滤器的入风口处或位于所述过滤器的出风口处。可选地，还包括：至少一个固定件，所述磁性吸附件通过所述固定件与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上。可选地，所述固定件包括：底壁，设置有贯穿其厚度的安装槽，紧固件通过所述安装槽将所述底壁与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上；侧壁，自所述底壁的一端弯折延伸形成，所述侧壁与所述磁性吸附件抵接。可选地，还包括：冷凝器，与所述腔室本体连接，用于冷却所述工艺气体；风道，连通所述冷凝器和所述过滤器或所述磁性吸附件；风机，位于所述风道中，用于将冷却后的所述工艺气体送入所述腔室本体。本专利技术的第二方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的工艺腔室。本专利技术的工艺腔室和半导体处理设备。包括过滤器和磁性吸附件，这样，外界的工艺气体在进入腔室本体内时，可以利用过滤器过滤掉该工艺气体中的绝大部分颗粒杂质，此外，借助磁性吸附件吸附工艺气体中的金属颗粒杂质，从而可以将过滤器无法过滤掉的微小金属颗粒进行吸附，使得进入到腔室本体内的工艺气体更洁净，进而可以提高基片的工艺质量。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术一实施例中工艺腔室的结构示意图；图2为本专利技术一实施例中工艺腔室的局部示意图；图3为本专利技术一实施例中磁性吸附件的结构示意图；图4为本专利技术一实施例中固定件的结构示意图。附图标记说明100：工艺腔室；110：腔室本体；111：装载区；120：过滤器；130：磁性吸附件；131：磁性吸附子层；132：排气孔；140：固定件；141：底壁；142：侧壁；143：安装槽；150：冷凝器；160：风道；170：风机。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。如图1所示，本专利技术的第一方面，涉及一种工艺腔室100，该工艺腔室100包括腔室本体110和过滤器120。该腔室本体110内部可以设置有装载区111，用于放置基片。该过滤器120用于对进入腔室本体110内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤。其中，工艺腔室100还包括磁性吸附件130。该磁性吸附件130用于吸附进入腔室本体110内的工艺气体中的金属颗粒杂质(例如，铁颗粒杂质等)。这样，外界的工艺气体在进入腔室本体110内时，可以利用过滤器120过滤掉该工艺气体中的绝大部分颗粒杂质，此外，借助磁性吸附件130吸附工艺气体中的金属颗粒杂质，从而可以将过滤器无法过滤掉的微小金属颗粒进行吸附，使得进入到腔室本体110内的工艺气体更洁净，进而可以提高基片的工艺质量。需要说明的是，对于磁性吸附件130和过滤器120之间的相对位置并没有限定，例如，磁性吸附件130可以位于过滤器120的入风口处，这样，工艺气体可以先经由磁性吸附件130去除工艺气体中的金属颗粒杂质，再由过滤器120过滤掉工艺气体中的其余颗粒杂质。当然，磁性吸附件130也可以位于过滤器120的出风口处之间，这样，工艺气体先经由过滤器120进行吸附过滤，再经由磁性吸附件130进行吸附。进一步需要说明的是，对于磁性吸附件130的具体结构并没有作出限定，例如，该磁性吸附件130可以是永磁体，在设备维护时将永磁体清洗干净之后可以反复使用，降低设备维护成本。或者，该磁性吸附件130也可以为电磁体等等。如图2和图3所示，磁性吸附件130包括间隔设置的多层磁性吸附子层131，并且，各层磁性吸附子层131上均设置有若干个贯穿其厚度的排气孔132。具体地，工艺气体可以依次经历各层磁性吸附子层131，以在各层磁性吸附子层131的共同作用下，可以使得工艺气体中的金属颗粒杂质去除更彻底，从而可以使得进入到腔室本体110内的工艺气体更洁净，提高基片的工艺质量。为了实现工艺气体与各层磁性吸附子层131充分接触，增加工艺气体与磁性吸附子层131的吸附面积，可以使得相邻两层磁性吸附子层131上的排气孔132交错排列。可选地，为了进一步使得工艺气体中的金属颗粒杂质彻底去除，上述排气孔132的直径为1mm～3mm，相邻排气孔132的间距为3mm～9mm。具体地，如图2和图3所示，磁性吸附件130可以包括七层磁性吸附子层131，底层厚度可以为5mm，其余层厚度可以为3mm，各层间距可以为8mm。整个磁性吸附件130的长度可以为20cm，宽度可以为10cm，高度可以为7.1cm。当然，除此以外，磁性吸附件130也可以包括其他数量的磁性吸附子层131，并且，各层磁性吸附子层131的厚度尺寸可以根据实际需求进行确定。如图1所示，磁性吸附件130位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器；其特征在于，还包括：磁性吸附件；/n所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器；其特征在于，还包括：磁性吸附件；
所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件包括间隔设置的多层磁性吸附子层，并且，各层所述磁性吸附子层上均设置有若干个贯穿其厚度的排气孔。


3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，相邻两层所述磁性吸附子层上的排气孔交错排列。


4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述排气孔的直径为1mm～3mm，相邻所述排气孔的间距为3mm～9mm。


5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件为永磁体或电磁体。


6.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件位于所述过滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀琴，杨帅，刘建涛，黄扬君，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11