本实用新型涉及一种用于反应腔室的整流件及反应腔室，反应腔室包括用于安装晶圆的基座，整流件用于设置在基座上方，整流件包括整流环，整流环为平面圆环形。该整流件能够优化等离子体在反应腔室内的运动，调节晶圆上方气体密度分布，进而提升深硅刻蚀的均...

本发明提供一种温控装置和等离子设备。所述温控装置包括加热组件、冷却组件和控制模块，其中，所述控制模块用于获取所述介电窗的预设温度和实际温度，以及根据所述实际温度和所述预设温度，控制所述加热组件的加热功率和所述冷却组件的冷却功率，以使所述...

本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部...

本发明公开了一种支撑结构、托盘支撑组件和工艺腔室。支撑结构包括支撑件，其包括承载部和第一限位部，承载部用于承载被限位件；第一限位部位于所述承载部的一侧，所述第一限位部能与所述被限位件的外表面相贴合，以限制所述被限位件在所述承载部上滑动。...

本发明涉及一种脉冲调制射频电源系统，包括：调制输出模块和频率调节模块；所述调制输出模块，用于输出脉冲调制射频信号，所述脉冲调制射频信号的每个脉冲周期包括脉冲开启阶段和脉冲关闭阶段，在所述脉冲开启阶段的初始时间段设置有过冲子阶段；所述频率...

本发明提供一种卡盘温度控制方法、卡盘温度控制系统及半导体设备，该方法包括：获取当前微波源的输出功率值；根据预设的温控关系表，基于所述输出功率值，调节输出至卡盘加热装置的加热功率控制值和输出至卡盘冷却装置的冷却介质流量控制值，以将卡盘的温...

一种反应腔室和半导体设备。反应腔室包括腔体(10)和设于腔体(10)内的第一内衬(5)，腔体(10)的底壁设有排气口(7)和第一进气口(11)，第一内衬(5)为筒状，第一内衬(5)与腔体中心轴的距离大于排气口(7)与腔体中心轴的距离，且...

本发明公开了一种平衡静电力的方法和静电卡盘。该方法包括：获取晶片与所述第一电极相对应位置处的第一压力信号，以及获取晶片与所述第二电极相对应位置处的第二压力信号；将所述第一压力信号转换为第一电信号，以及将所述第二压力信号转换为第二电信号；...

本发明提供一种射频线圈、反应腔室及半导体加工设备，该射频线圈包括具有空腔的线圈本体，线圈本体的一端为与射频电源电连接的射频连接端，另一端为接地端；并且，在空腔中设置有加热元件，加热元件与线圈本体的内壁之间电绝缘，并且在线圈本体上设置有加...

本发明提供了一种晶片用调温装置，包括：加热体、冷却体以及调温件，其中，所述加热体包括第一导热面，所述冷却体包括第二导热面，所述第一导热面和所述第二导热面相对设置，且二者具有间隙；所述调温件位于所述第一导热面和所述第二导热面之间，且所述调...

本发明提供一种腔室组件及反应腔室，该腔室组件包括：电极板，其与射频源电连接，且在电极板上设置有进气口；匀流部件，其采用绝缘材料制作，且与电极板共同构成匀流空间，进气口与匀流空间连通，并且在匀流部件上设置有多个出气口，出气口分别与匀流空间...

本发明提供一种用于气相沉积设备的尾气清理单元，包括喷射腔和滤网结构，所述喷射腔包括外侧壁和内侧壁，所述内侧壁形成为具有内腔的筒状，所述外侧壁环绕所述内侧壁设置，且与所述内侧壁相间隔，所述内侧壁上形成有沿所述内侧壁的厚度方向贯穿所述内侧壁...

本申请实施例提供了一种磁控溅射控制系统及其控制方法。该控制方法包括：接收下位机发送的工艺配方，所述工艺配方包括磁控溅射工艺的电源功率参数；接收所述下位机发送的工艺开始指令，开始计时；在达到预设时间后，根据所述电源功率参数控制直流电源和/...

本发明提供一种晶舟伸展装置及半导体加工设备，包括逐级连接的多个直线驱动装置和设置在各个直线驱动装置上的连接滑块；每级直线驱动装置用于驱动位于该级别以下的所有直线驱动装置整体沿水平方向移动；最下级的直线驱动装置用于与晶舟连接；直线驱动装置...

本公开提供了一种开门装置、传输腔室以及半导体处理设备，开门装置用于开启或关闭晶圆盒的密封门，包括：壳体部件，朝向所述晶圆盒的一侧设有第一开口；驱动机构，设置在所述壳体部件的内部；和对接部件，与所述驱动机构连接，并在所述驱动机构的驱动下移...

本发明提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备，该内衬结构包括：内衬主体，包括构成阶梯结构的上环部和下环部，且下环部的外径小于上环部的内径；并且，在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口，该内衬开口延伸至上环部的下端；内门，设置...

本发明提供一种颗粒控制方法，该颗粒控制方法包括以下步骤：S1，将完成工艺的晶片传入封闭区域中；S2，向封闭区域中通入不与晶片反应的第一冷却气体，直至晶片的温度降低至第一预设温度值；S3，向封闭区域中通入空气，以去除封闭区域中已存在的颗粒...

本发明提供了一种晶圆清洗方法，其中，包括：向二相流发生装置的进液口通入纳米气泡水，使所述二相流发生装置喷出纳米气泡水喷雾；利用所述纳米气泡水喷雾对所述晶圆进行清洗。本发明还提供了一种晶圆清洗设备。根据本发明的晶圆清洗方法，其采用纳米气泡...

本发明提供一种介质窗的装卸装置及工艺腔室，介质窗的装卸装置包括：吊装结构，用于吊起介质窗；吊装驱动机构，与吊装结构连接，用于驱动吊装结构进行升降和水平移动，以实现对介质窗的安装或拆卸。应用本发明，不仅可以节省大量的人力物力，提高装卸的效...

本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。