本发明提供一种反应腔室，包括腔体、设置在腔体内的基座，还包括进气装置，该进气装置包括与所述基座的承载面相垂直的出气面，出气面上设置有中心出气口组、中间出气口组和边缘出气口组；其中，中心出气口组、中间出气口组和所述边缘出气口组分别与基座的...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔室侧壁和腔室底壁，还包括热交换元件和用于提供能量的热交换源，其中，热交换元件包括均匀分布在腔室侧壁中的第一部分，和均匀分布在腔室底壁中的第二部分。本发明提供的反应腔室，其可以避免使用多个加...

本发明提供一种智能暖机方法及系统，该智能暖机方法包括：判断当前腔室的空置时间是否大于预设时间；若判断结果为是，对当前腔室进行智能暖机；若判断结果为否，获取当前腔室的智能暖机模式；若智能暖机模式表征为无需分析智能暖机所需的工艺配方，则直接...

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法，该设备包括反应腔室、尾气处理装置、多条传输管路、多条尾气处理管路、多条吹扫支路以及多个前驱体源瓶，其中，每条传输管路均连接至反应腔室，以将所对应的前驱体选择性地通入反应腔室；每条尾气处理管路均连接至...

本公开提供一种接地环、腔室以及物理气相沉积设备。接地环包括：第一导电环、第二导电环以及将第一导电环和第二导电环电连接的多个弹性装置，其中，第一导电环的第一中心轴线与第二导电环的第二中心轴线平行或重合，多个弹性装置被配置为使得第一导电环和...

本发明提供一种法拉第屏蔽桶，在法拉第屏蔽桶的与环形件形成间隙的位置处形成有辅助结构，辅助结构用于减少法拉第屏蔽桶和环形件之间形成的分布电容的平行板正对面积与平行板间距离之间的比值，以减小分布电容的容值大小。还提供一种环形件，在环形件的与...

本实用新型公开了一种射频线圈用校准系统、工艺腔室和半导体处理设备。校准系统包括控制器、至少一组距离检测单元以及至少一个驱动机构；每组距离检测单元均设置在射频线圈上，以检测射频线圈与介质筒外周壁之间的实际距离并将其发送至控制器；每个驱动机...

本发明提供的片盒监控方法，用于防止工件重复工艺，当指定槽位中存放有工件时，先获取并存储片盒的该指定槽位的工件状态，当接收到指定槽位中的工件对应的执行任务请求时，读取该槽位的工件状态，若工件状态为已处理状态，则停止执行任务，若所述工件状态...

本发明提供一种喷头和等离子体处理腔室，喷头包括多组贯穿第一表面和第二表面的连通结构，连通结构开设在第一表面的通道入口与开设在第二表面的通道出口之间为非直连通道，以避免等离子体沿垂直于第一表面的直线方向通过喷头，这样可以增加H离子与喷头的...

本发明公开了一种原子层沉积设备及气体传输方法。该设备包括旁通管路和冷却管路，所述冷却管路用于冷凝且存储至少一种前驱体，其中，所述旁通管路和所述冷却管路并联后连接在前驱体输入端和前驱体输出端之间，且所述前驱体输入端选择性地与所述旁通管路或...

本发明公开了一种冷阱、真空系统和半导体处理设备。冷阱包括壳体，设置有冷却槽，所述冷却槽用于容纳冷却介质；收集管道，安装在所述冷却槽中，所述收集管道具有进气口和排气口，以使得气体经由所述进气口进入所述收集管道并由所述排气口排出；并且，所述...

本发明提供一种加热基座及半导体加工设备，该加热基座包括基座主体和设置在基座主体下方的可伸缩腔体，其中，基座主体和可伸缩腔体均是中空的，共同构成一空腔，并且在空腔中设置有加热元件，且在空腔中充满导热媒介；可伸缩腔体能够伸缩，以使空腔的体积...

本发明提供一种加热灯的电流监测方法及装置、反应腔室，包括以下步骤：S1，实时采集在工艺进行中的当前输出电流值；S2，判断当前输出电流值是否发生变化，若否，则返回步骤S1；若是，则计算自当前输出电流值之前的预设时间段内的平均电流值；S3，...

本发明公开了一种叉指结构、下电极装置和工艺腔室。包括叉指件，其中，所述叉指件包括至少两个相对间隔设置的叉指臂，所述叉指臂分别沿着所述工件的边缘外侧延伸，以将所述工件围设在该相对间隔设置的所述叉指臂之间；并且，各叉指臂设置有至少一个朝向与...

本发明公开了一种叉指结构、下电极装置和工艺腔室。叉指结构包括第一叉指件，其沿着工件的第一边缘区域延伸，并形成有允许取件机构通过的避让开口，所述第一叉指件用于支撑所述工件的第一边缘区域。其第一叉指件仅仅支撑工件的第一边缘区域，第一叉指件并...

本发明提供一种晶圆状态检测设备、方法及晶圆装卸载腔室，该设备包括：第一传感器组，包括第一发射传感器和第一接收传感器，第一发射传感器向第一接收传感器发射第一光束，第一光束与片盒的放片位所在平面平行；第二传感器组，包括第二发射传感器和第二接...

本发明公开了一种电感耦合装置和等离子体处理设备。包括多组射频天线组，每组所述射频天线组均配置有匹配器和射频电源，每组所述射频天线组包括多个子射频天线，每个所述子射频天线的至少部分位于所述工艺腔室内；每个所述区域均对应设置有一组所述射频天...

本发明公开了一种晶片温度控制方法及系统、半导体处理设备。方法包括：S110、接收晶片的当前位置；S130、根据当前位置，判断当前位置与目标位置之间的位置关系；当判定当前位置在目标位置之前或在目标位置之后，执行步骤S140；当判定当前位置...

本发明提供一种温度补偿方法，包括：获取各个恒温区中完成工艺的晶圆上的薄膜电阻率；根据该薄膜电阻率与成膜温度的对应关系，计算获得各个恒温区的温度偏差值；根据各个恒温区的温度偏差值对各个恒温区的成膜温度进行补偿。通过本发明，节省了温度校准成本。

本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设...