本发明提供一种掩膜结构和FCVA设备，该掩膜结构用于在静电卡盘的承载面上制造凸点，且包括均采用导电金属制作的主掩膜板和侧掩膜板，其中，主掩膜板用于在静电卡盘的承载面上形成对应凸点的图形化膜层；侧掩膜板用于完全遮挡静电卡盘的侧面，以避免在...

本实用新型实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置，包括：第一进气块和第二进气块；第一进气块插入第二进气块设置的第二中心进气通孔内，在第二中心进气通孔的内壁和第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第...

本实用新型实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气系统，其中的进气系统包括：连通匀流腔与反应腔体的第三管路，用于在吹扫阶段将匀流腔中的第一反应前驱物或第二反应前驱物经由反应腔体输送入前级真空管线。本实用新型的用于原子层沉积工艺的进气系统...

本发明实施例提供一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件，该方法包括：预先设定用于为待填充沟槽加热的基座温度，采用预设溅射功率向所述待填充沟槽内分层顺序填充溅射薄膜层；在后填充的所述溅射薄膜层才覆盖在在先填充的所述溅射薄膜层的表面；在后填充时...

本发明提供一种机械手定位装置及半导体加工设备，该机械手定位装置包括机械手导向机构，所述机械手导向机构用于限制机械手在位于腔室外部的第一位置和位于腔室内部的第二位置之间作往复运动，该机械手定位装置还包括：限位结构，用于在所述机械手运动到所...

本发明提供一种获得刻蚀深度极限值的方法，包括以下步骤：S1，输入至少三组数据，每组数据包括刻蚀深度的值和对应的工艺循环次数；S2，计算各组数据中的平均刻蚀率，该平均刻蚀率为刻蚀深度的值与工艺循环次数的比值；S3，利用线性拟合的方法拟合出...

本发明公开了一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法，通过增加1至2个独立设置的真空泵用于分别排出反应前躯体A或/和B，以避免两种前躯体在真空管路中相遇而产生大量颗粒，从而延长了真空泵的使用寿命，降低了设备维护成本；还可通过增加2个独立...

本发明公开了一种双轴机构和半导体处理设备。双轴机构用于驱动传片机构运动，双轴机构包括内轴、外轴、升降组件和旋转组件；内轴套设在外轴内，内轴的一端用于与传片机构连接，另一端与升降组件可移动连接，以驱动传片机构升降；外轴的一端用于与传片机构...

本实用新型提供一种控温装置及半导体加工设备，包括环形本体，环形本体套设在待控温设备的外侧；在环形本体的内壁上设置有控温凸部，用以增加环形本体与待控温设备进行热交换的表面积。本实用新型提供的控温装置及半导体加工设备，能够提高对待控温设备的...

本公开提供了一种内衬组件，包括：套设的至少两层内衬，所述至少两层内衬接地，每层内衬沿其周向开设有多个缝隙，对于所述至少两层内衬中的任意相邻两层内衬，其中一层内衬的所述多个缝隙在一平面的投影与其中另一层内衬的所述多个缝隙在所述平面的投影不...

本发明提供了一种流量控制方法及装置、反应腔室，其通过向其中一个工艺腔室的第二控制单元发送工艺使能信号，并使第二控制单元根据工艺使能信号，与第一控制单元联网，以能够通过第二控制单元将目标流量值发送至第一控制单元，从而实现自动控制第一控制单...

本发明提供一种射频电源冷却装置及方法、半导体加工设备，该装置包括冷却水路、进水管路和出水管路，以及进水阀、出水阀和吹扫装置，其中，进水阀设置在进水管路上，用于接通或断开进水管路；出水阀设置在出水管路上，用于接通或断开出水管路；吹扫装置用...

本实用新型提供了一种反应腔室，包括：基座，用于承载待加工工件；靶材，设置在所述反应腔的上部空间中；以及准直器，设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中，以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。本实用新型还提...

本发明公开了一种片盒旋转机构和装载腔室。片盒旋转机构包括支撑底座、旋转支撑座和移动组件；支撑底座能在驱动力的作用下沿竖直方向作直线运动，旋转支撑座位于支撑底座上，且旋转支撑座的一端与支撑底座的一端可旋转地连接，旋转支撑座用于装载片盒；移...

本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富...

本发明提供一种腔室环境恢复方法，包括：氧化步骤：开启电源，且向反应腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与反应腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对所述反应腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体刻...

本发明公开了一种匀流件和工艺腔室。所述匀流件包括本体，所述本体沿进气方向依次设置有至少两级匀流腔，且至少两级所述匀流腔的容积依次增大；相邻两级所述匀流腔之间相互连通，最后一级所述匀流腔用于与工艺腔室连通，以将经过至少两级匀流腔匀流后的工...

一种分子泵摆阀组件安装装置，用于将分子泵摆阀组件安装至腔室底壁，分子泵摆阀组件包括滑动平台、固定设置于滑动平台上的分子泵和摆阀，滑动平台底部设有滑动轮，分子泵摆阀组件安装装置包括导向平台和导向部件，导向部件设于导向平台的上表面，当滑动轮...

本发明提供一种在孔内覆盖薄膜的方法及半导体加工设备。该在孔内覆盖薄膜的方法包括以下步骤：步骤一，通过溅射工艺在孔的底部及至少部分侧壁上沉积形成薄膜；步骤二，通过刻蚀工艺使带正电荷的工艺气体离子轰击所述孔的底部的所述薄膜以提高所述孔的靠近...

本发明公开了一种承载装置及反应腔室，该承载装置包括可升降的基座，在所述基座中设置有定位孔，还包括：底部穿过定位孔、顶部用于支撑晶片的支撑柱，接通电源的正极或负极且与支撑柱电连接的插接件，插接件用于使支撑柱通过电场力将晶片吸附。本发明在应...