腔室环境恢复方法及刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种腔室环境恢复方法，包括：氧化步骤：开启电源，且向反应腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与反应腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对所述反应腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体刻蚀具有保护材料的被刻蚀件，以在反应腔室的内壁上形成保护膜。本发明专利技术还提供一种刻蚀方法，该腔室环境恢复方法及刻蚀方法，既能够解决颗粒污染，又能够同时保证产能和后续刻蚀过程的刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】
腔室环境恢复方法及刻蚀方法
本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种腔室环境恢复方法。
技术介绍
在物理气相沉积(PVD)的半导体工艺设备中，通常采用一种电感耦合(ICP)等离子体发生装置作为预清洗(Preclean)腔室，其目的是在工艺之前去除晶片表面沾污、杂质，利于后续刻蚀工艺的有效进行，保证集成电路IC集成度和器件性能。图1为现有的预清洗腔室的结构示意图，请参阅图1，该预清洗腔室包括腔体1、感应线圈2、陶瓷桶3、法拉第屏蔽件4、放置晶片的基座5、上电极射频电源6和下电极射频电源7等部分组成。其中，基座5设置在腔体1内；法拉第屏蔽件4和陶瓷桶3由内向外依次套置在腔体1的内侧壁上，感应线圈2缠绕在陶瓷桶3上，且通过上匹配器8与上电极射频电源6电连接，以将射频能量耦合至腔体1内，激发工艺气体形成等离子体；法拉第屏蔽件4具有1条或1条以上的狭缝缝，使得法拉第屏蔽件4不会连续而产生涡流；下电极射频电源7的射频功率通过下匹配器9加载至基座5上，产生射频自偏压，可以吸引离子来轰击，从而去除晶片上的杂质。在实际应用中发现，连续不断地刻蚀晶片，会在腔室的盖板和内壁及其周围沉积刻蚀材料，尤其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种腔室环境恢复方法，其特征在于，包括：氧化步骤：开启电源，且向腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体用于刻蚀具有保护材料的被刻蚀件，以在反应腔室的内壁上形成保护膜。

【技术特征摘要】
1.一种腔室环境恢复方法，其特征在于，包括：氧化步骤：开启电源，且向腔室内通入氧气，以将氧气激发形成等离子体，该等离子体与腔室中的颗粒发生反应，预设时间后对腔室抽气；保护膜形成步骤：通入刻蚀气体并激发形成等离子体，该等离子体用于刻蚀具有保护材料的被刻蚀件，以在反应腔室的内壁上形成保护膜。2.根据权利要求1所述的腔室环境恢复方法，其特征在于，在所述氧化步骤之前，或者，在所述氧化步骤和所述保护膜形成步骤之间，还包括：将所述被刻蚀件传输至所述腔室内的基座上。3.根据权利要求1所述的腔室环境恢复方法，其特征在于，所述保护材料为铝。4.根据权利要求3所述的腔室环境恢复方法，其特征在于，所述被刻蚀件为铝板。5.根据权利要求1所述的腔室环境恢复方法，其特征在于，所述氧化步骤的工艺参数包括：加载至上电极的射频功率范围为600W～1200W；腔室气压的范围为30mTorr～100mTorr；所述预设时间不小于60s。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐奎，侯珏，陈鹏，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11