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北京北方华创微电子装备有限公司专利技术
北京北方华创微电子装备有限公司共有3788项专利
角度定位组件和工艺腔室制造技术
本发明公开了角度定位组件和工艺腔室。所述角度定位组件,适用于工艺腔室,所述工艺腔室包括腔室本体、相对腔室本体可旋转的接地电极板以及设置在所述腔室本体内的基座,所述基座用于承载晶片,所述角度定位组件包括角度定位件,所述角度定位件与所述腔室...
一种腔室制造技术
本发明提出了一种腔室。该腔室的腔室壁由上而下包括第一金属筒部件、绝缘筒部件和第二金属筒部件并且包括环绕安装在所述绝缘筒部件内壁上的屏蔽件,所述腔室还包括开关组件,所述屏蔽件通过所述开关组件与腔室的地连接或断开。根据本发明的腔室中的屏蔽件...
腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备制造技术
本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件,进气组件与腔室盖密闭连通,用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧,进气组件包括:至少两个相互独立的进气管道,其分别与各自的反应气源连通;第...
表面波等离子体设备制造技术
本发明提供一种表面波等离子体设备,包括矩形波导、同轴转换单元、谐振腔和反应腔室,矩形波导通过同轴转换单元向谐振腔传输微波能量。该同轴转换单元包括第一渐变结构、同轴结构和第二渐变结构,其中,第一渐变结构设置在矩形波导与同轴结构之间;第二渐...
工艺腔室、半导体加工设备及薄膜沉积方法技术
本发明提供了一种工艺腔室,包括机械卡环和基座,机械卡环包括环形本体和沿环形本体周向间隔设置的多个压爪;基座用于承载基片,且可升降;在基座上升时可将机械卡环顶起并带动机械卡环同时上升,每个压爪叠压在基片的边缘区域;在基座下降时可与机械卡环...
冷却管固定装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种冷却管固定装置,包括:本体,第一固定结构和第二固定结构,其中本体环绕设置在炉体周围;第一固定结构用于将冷却管固定在本体上;第二固定结构用于将本体固定在炉体上。其在冷却管的安装时,不会破坏冷却管的形状,且能够便捷的对冷却...
边磁体组件、反应腔室及半导体处理设备制造技术
本实用新型提供的一种边磁体组件、反应腔室及半导体处理设备,边磁体组件用于约束且使反应腔室内的溅射离子均匀沉积在晶圆表面,其包括边磁体和升降机构,升降机构与边磁体连接,用于调节边磁体在反应腔室轴向上的高度,进而调节边磁体与晶圆之间的距离,...
一种晶圆检测装置及方法制造方法及图纸
本申请提供了一种晶圆检测装置和方法,所述检测装置应用于腔室内,包括:传感器组件和判断模块;多个所述传感器组件,设置在所述腔室的顶部,并且多个所述传感器组件沿圆周方向同心定位,用于获取待检测晶圆在所述圆周的不同检测区域的径向位置信息;所述...
工件的加工方法和工艺腔室技术
本发明公开了一种工件的加工方法和工艺腔室。所述方法包括:提供工件的毛坯;对所述毛坯进行粗加工处理,获得初步半成品;精加工处理所述初步半成品的表面,获得中间半成品,其中,所述中间半成品的表面粗糙度值Ra1
生长炉制造技术
本发明提供一种生长炉,其包括腔体、上腔膛和下腔膛,上腔膛和下腔膛均包括由下而上依次叠置的下环体、中环体和上环体;其中,中环体的内周壁与腔体的外周壁之间具有环形间隙,且上环体和下环体的内径小于中环体的内径;在环形间隙中设置有密封圈组件,密...
腔室冷却装置及半导体加工设备制造方法及图纸
本实用新型提供一种腔室冷却装置及半导体加工设备,包括:冷却槽,设置在腔室底部,用于盛放冷却液体;多根冷却管,设置在冷却槽中,且在多根冷却管的管壁上均设置有出流口,多根冷却管上的出流口喷出的水流能够带动冷却槽中的冷却液体形成旋转湍流;多根...
滤波盒组件及反应腔室制造技术
本实用新型提供的一种滤波盒组件及反应腔室,其包括引入插座、插座转接件和壳体,插座转接件上设置有第一转接口和第二转接口,其中,第一转接口与引入插座插接,第二转接口与壳体上的线缆开口相对应,待滤波线缆依次通过第二转接口和线缆开口引入壳体中,...
基片传输系统技术方案
本实用新型提供一种基片传输系统,包括:承载装置,用于在进行工艺时承载基片;顶针装置,用于在对基片进行取放时承载基片;升降装置,用于驱动承载装置或者顶针装置上升或下降,以能够在承载装置与顶针装置之间传递基片;机械手,能够通过作水平运动和升...
腔室进气结构以及反应腔室制造技术
本发明实施例公开了一种腔室进气结构以及反应腔室,其中的腔室进气结构包括:设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘;连接件装置设置有第一混合腔,喷气盘设置有第二混合腔;多种不反应气体在第一混合腔中进行混合,混合气体通过第一混合气...
原子层沉积装置及方法制造方法及图纸
本申请公开了一种原子层沉积装置及方法,该原子层沉积装置包括:反应腔室,分别经由第一前驱体传输管路和第二前驱体传输管路通入第一前驱体和第二前驱体;供给气缸和回收气缸,两气缸分别连接至第二前驱体传输管路,并且经由连通管路彼此连接;其中,通过...
原子层沉积设备及其清洗方法技术
本申请公开了一种原子层沉积设备及其清洗方法,该原子层沉积设备包括:腔室;排气管路,连接在所述腔室和真空泵之间;进气组件,连接至所述腔室,用于向所述腔室提供包含反应离子的清洗气体,所述清洗气体与工艺后沉积产物反应生成中间产物;以及温度控制...
加热系统及去气腔室技术方案
本发明涉及一种加热系统,包括:多个加热组件,每个加热组件包括一个加热件或者串联的至少两个加热件;多个加热组件的两个连接端分别与第一端子和第二端子相连;第一端子和第二端子用于连接电源;与所述加热组件对应设置有:电流互感器和电流检测器;所述...
原子层沉积装置及方法制造方法及图纸
本申请公开了一种原子层沉积装置及方法,原子层沉积装置采用了额外添加吹扫管路的设计,通过将吹扫管路并联在原有的前驱体传输管路中,从而将吹扫气体的流量从前驱体的设定流量中解放出来,可以显著加大吹扫气体的流量,由于吹扫气流的增强,其吹扫工序所...
原子层沉积设备制造技术
本发明公开了一种原子层沉积设备,包括反应腔室和连接反应腔室的主进气管道、分别接入主进气管道的供给源瓶和回收源瓶、以及用于控制供给源瓶和回收源瓶的温度的控制装置,主进气管道开启时,供给源瓶提供第一前驱体,载气携带第一前驱体经主进气管道通入...
一种原子层沉积方法技术
本发明公开了一种原子层沉积方法,通过在以TiCl4和NH3为前躯体的常规原子层沉积工艺循环的每个循环中增加交替通入NH3和N2的步骤作为内循环,或者在全部的常规原子层沉积工艺循环结束后,增加交替通入NH3和N2的步骤作为外循环,并使内循...
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