【技术实现步骤摘要】
腔室进气结构以及反应腔室
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种腔室进气结构以及反应腔室。
技术介绍
目前，集成电路制造使用硅基材料，由于硅(或者多晶硅)在空气中放置表面会自然氧化一层致密的SiO2层，有些工艺如：Silicide，金属NiPt薄膜要与硅衬底直接接触，如果衬底表面有一层SiO2会增加电阻率，从而影响器件性能，制造后续工艺前需要去除这层SiO2。而在去除这层SiO2层的同时必须保护其它薄膜/结构不能被去除或者损伤。目前，集成电路业界常用的干法去除SiO2。干法去除SiO2,通常需要无水甲醇、HF气体、NH3等气体经过管路通至腔室内，相关气体在腔室内混合反应，并在晶片表面进行刻蚀。而影响刻蚀均匀性很大程度上与反应气体分布相关，气体分布均匀性影响因素包括：气体混合的均匀性、扩散至腔室均匀性以及副产物抽离腔室导致的气体流场分布均匀性。现有的反应腔室具有反应气体过早混合并发生反应，反应所生成的固态生成物NH3HF容易堵塞阀体和管路，对于设备维护周期和维护成本都不利；以及气体分布容易偏置，气体扩散的不够均匀，结构复杂等缺点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利...
【技术保护点】
1.一种腔室进气结构，其特征在于，包括：设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘；所述连接件装置设置有第一混合腔、与所述第一混合腔相连通的第一混合气体通道、第一反应气体通道；所述喷气盘设置有第二混合腔、与所述第二混合腔相连通的第二反应气体通道、第二混合气体通道；所述第一混合气体通道与所述第一反应气体通道相互隔离，所述第二混合气体通道和所述第二反应气体通道相互隔离；多种不反应气体在所述第一混合腔中进行混合，混合气体通过所述第一混合气体通道、所述第二混合气体通道进入腔室内；反应气体通过所述第一反应气体通道、所述第二反应气体通道并经过所述第二混合腔进入腔室内，与所述混合...
【技术特征摘要】
1.一种腔室进气结构，其特征在于，包括：设置在腔室上盖上的连接件装置和设置在腔室内的喷气盘；所述连接件装置设置有第一混合腔、与所述第一混合腔相连通的第一混合气体通道、第一反应气体通道；所述喷气盘设置有第二混合腔、与所述第二混合腔相连通的第二反应气体通道、第二混合气体通道；所述第一混合气体通道与所述第一反应气体通道相互隔离，所述第二混合气体通道和所述第二反应气体通道相互隔离；多种不反应气体在所述第一混合腔中进行混合，混合气体通过所述第一混合气体通道、所述第二混合气体通道进入腔室内；反应气体通过所述第一反应气体通道、所述第二反应气体通道并经过所述第二混合腔进入腔室内，与所述混合气体进行反应；其中，所述第一混合气体通道及所述第一反应气体通道关于所述喷气盘的轴线中心对称设置。2.如权利要求1所述的腔室进气结构，其特征在于，包括：匀流板；所述匀流板设置在腔室内并且位于所述喷气盘的上方；所述匀流板设置有相互隔离的第三混合气体通道和第三反应气体通道；其中，混合气体经过所述第一混合气体通道、所述第三混合气体通道和第二混合气体通道进入腔室内；反应气体经过所述第一反应气体通道、所述第三反应气体通道、所述第二混合腔和所述第二反应气体通道进入腔室内。3.如权利要求2所述的腔室进气结构，其特征在于，所述喷气盘包括：上板和下板；所述上板和所述下板固定连接；所述下板设置有多排同心的环状的凸台，在所述凸台上设置有第一通孔，在位于所述凸台之间的环状的凹槽内设置有第二通孔，所述下板设置有用于连通所述凹槽的多条呈中心放射状的气道；所述上板、所述凹槽和所述气道围成所述第二混合腔；在所述上板设置有与所述第二混合腔相连通的第三通孔以及与所述第一通孔对应设置的第四通孔；其中，所述第二混合气体通道包括：所述第四通孔、所述第一通孔；所述第二反应气体通道包括：所述第三通孔、所述第二通孔。4.如权利要求3所述的腔室进气结构，其特征在于，多个所述第一通孔在所述凸台上均匀分布；...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐刚，张军，郑波，马振国，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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