【技术实现步骤摘要】
表面波等离子体设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种表面波等离子体设备。
技术介绍
目前，等离子体加工设备被广泛地应用于集成电路或MEMS器件的制造工艺中。等离子体加工设备包括电容耦合等离子体加工设备、电感耦合等离子体加工设备、电子回旋共振等离子体加工设备和表面波等离子体加工设备等。其中，表面波等离子体加工设备相对其他等离子体加工设备而言，可以获得更高的等离子体密度、更低的电子温度，且不需要增加外磁场，因此表面波等离子体加工设备成为最先进的等离子体设备之一。现有的表面波等离子体加工设备主要包括矩形波导、同轴转换单元、谐振腔和反应腔室，其中，矩形波导通过同轴转换单元向谐振腔传输微波能量。该同轴转换单元包括同轴的圆筒体和圆柱体，其中，圆柱体为螺钉探针，其自矩形波导的上方竖直向下依次穿过矩形波导和圆筒体，并延伸至谐振腔内。微波首先在矩形波导中形成均匀分布的主模为TE10模式的驻波，然后通过圆柱体传输至谐振腔内。在此过程中，同轴的圆筒体和圆柱体可以将微波从TE10模式转化为TEM模式。现有的表面波等离子体加工设备在实际应用中不可避免地存在以下问题，即：由...
【技术保护点】
1.一种表面波等离子体设备，包括矩形波导、同轴转换单元、谐振腔和反应腔室，所述矩形波导通过所述同轴转换单元向所述谐振腔传输微波能量，其特征在于，所述同轴转换单元包括第一渐变结构、同轴结构和第二渐变结构，其中，所述第一渐变结构设置在所述矩形波导与所述同轴结构之间；所述第二渐变结构设置在所述同轴结构与所述谐振腔之间；并且，所述第一渐变结构、所述同轴结构和所述第二渐变结构同轴设置。
【技术特征摘要】
1.一种表面波等离子体设备，包括矩形波导、同轴转换单元、谐振腔和反应腔室，所述矩形波导通过所述同轴转换单元向所述谐振腔传输微波能量，其特征在于，所述同轴转换单元包括第一渐变结构、同轴结构和第二渐变结构，其中，所述第一渐变结构设置在所述矩形波导与所述同轴结构之间；所述第二渐变结构设置在所述同轴结构与所述谐振腔之间；并且，所述第一渐变结构、所述同轴结构和所述第二渐变结构同轴设置。2.根据权利要求1所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述矩形波导包括与所述同轴结构相对应的第一开口；所述第一渐变结构包括第一圆锥体，所述第一圆锥体竖直设置在所述矩形波导的内壁上，且所述第一圆锥体的下端位于所述第一开口处，并且所述第一圆锥体的直径由上而下逐渐减小。3.根据权利要求2所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述第一圆锥体的直径由上而下逐渐减小被设置为：使所述第一圆锥体的阻抗采用指数渐变或者三角形渐变的形式由上而下逐渐减小。4.根据权利要求3所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述第一圆锥体的直径由上而下逐渐减小被设置为：使所述第一圆锥体的阻抗采用指数渐变的形式由上而下逐渐减小；所述第一圆锥体的阻抗满足下述公式：其中，Z(L)为所述第一圆锥体在Z等于指数渐变线长度处的阻抗；L为数渐变线长度；Z0为所述第一圆锥体的下端处的阻抗；α为传播常数；通过设定所述数渐变线长度和所述传播常数，来减少高次模反射。5.根据权利要求1-4任意一项所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述同轴结构包括同轴的圆筒体和圆柱体，且所述圆柱体位于所述圆筒体内；其中，所述圆柱体的上端与所述第一渐变结构的下端连接；所述圆筒体的上端与所述矩形波导连接。6.根据权利要求5所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述第二渐变结构包括同轴的圆锥筒体和第二圆锥体，其中，所述圆锥筒体的上端与所述圆筒体的下端连接；所述圆锥筒体的下端与设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓丽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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