一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构及制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，涉及一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构和制备方法。将N或P型晶体硅片双面抛光，之后双面制备氧化硅层或者是氧化铝层；然后双面制备金或者银纳米粒子，然后背面制备非晶硅的N(P)型层，受光面制备准晶态P(N)型硅薄膜，P(N)型硅薄膜上制备70nm厚的ITO薄膜和栅线电极，背面制备银薄膜。本发明专利技术的益处是：钝化膜包裹的金属纳米粒子形成载流子隧穿通道的作用，提高了载流子隧穿效果，可以整体提高晶体硅太阳电池的填充因子，同时金属纳米粒子的表面等离子体效应起到了减反射的效果。

【技术实现步骤摘要】
201610278513

【技术保护点】
一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，包括作为基底的P型硅片或N型硅片，其特征在于：以P型硅片或N型硅片作为中间层，在受光面方向从下至上依次为介质膜、金属纳米粒子、N型准晶态硅薄膜或P型准晶态硅薄膜、ITO薄膜和ITO薄膜上的栅线电极；在背面方向从上至下依次为介质膜、金属纳米粒子、P型非晶硅薄膜或N型非晶硅薄膜、银薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，包括作为基底的P型硅片或N型硅片，其特征在于：以P型硅片或N型硅片作为中间层，在受光面方向从下至上依次为介质膜、金属纳米粒子、N型准晶态硅薄膜或P型准晶态硅薄膜、ITO薄膜和ITO薄膜上的栅线电极；在背面方向从上至下依次为介质膜、金属纳米粒子、P型非晶硅薄膜或N型非晶硅薄膜、银薄膜。2.如权利要求1所述的一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，其特征在于：所述金属纳米粒子为金纳米粒子或者银纳米粒子。3.如权利要求1所述的一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，其特征在于：介质膜为氧化硅层或者是氧化铝层；介质膜的厚度为1-1.5nm。4.如权利要求1所述的一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，其特征在于：金属纳米粒子的直径为100-200nm，间距为400-600nm。5.如权利要求1所述的一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构，其特征在于：N型准晶态硅薄膜的厚度为10-15nm，P型非晶硅薄膜的厚度为20-25nm；P型准晶态硅薄膜的厚度为10-15nm，和N型非晶硅薄膜的厚度为20-25nm；ITO薄膜厚度为70-80nm，银薄膜厚度为200-1000nm。6.如权利要求1所述的一种接触钝化晶体硅太阳能电池的结构的制备方法，其特征在于步骤如下：(1)将P型硅片双面抛光，RCA清洗；(2)双面制备介质膜；(3)在介质膜上制备金属纳米粒子；(4)在受光面制备N...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁建宁，袁宁一，王书博，程广贵，
申请(专利权)人：常州大学，江苏大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32