离子植入机及其工作方法技术

一种离子植入机及其工作方法，离子植入机包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。利用所述离子植入机在提高不同批次晶圆的离子植入一致性的同时，还能够减少宕机频率。

Ion implanter and its working method

An ion implanter and its working method include an ion source for emitting ion beams, a base for loading wafers, a first baffle structure and a second baffle structure between the ion source and the base, the first baffle structure and the second baffle structure are separated from each other, and the first baffle structure includes several first baffles and the second baffle structure package. The switch includes several second baffles, which make a first baffle and a second baffle in the working face and form an opening structure between the first baffle and the second baffle in the working face, which enables the ion beam to pass through. While improving the consistency of ion implantation in different batches of wafers, the ion implanter can also reduce the downtime frequency.

【技术实现步骤摘要】
离子植入机及其工作方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种离子植入机及其工作方法。
技术介绍
离子植入在半导体制造技术中有着广泛的应用，它是一种向半导体材料中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能的方法，最主要的用途是掺杂半导体材料。离子植入工艺是在离子植入机中进行的，通过离子源入射的离子束(IonBeam)扫描整个晶圆(Wafer)，使晶圆表面的半导体材料得到均匀的掺杂。然而，现有离子植入机的宕机频率较高。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种离子植入机及其工作方法，以降低离子植入机的宕机频率。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种离子植入机，包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。可选的，所述工作面与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。可选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于所述离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。

【技术特征摘要】
1.一种离子植入机，其特征在于，包括：离子源，用于发射离子束；基座，用于承装晶圆；位于所述离子源和基座之间的第一挡板结构和第二挡板结构，所述第一挡板结构和第二挡板结构相互分立，所述第一挡板结构包括若干个第一挡板，所述第二挡板结构包括若干个第二挡板；切换器，使一个第一挡板与一个第二挡板处于工作面，处于工作面的第一挡板与第二挡板之间构成开口结构，所述开口结构使离子束通过。2.如权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述工作面与所述开口结构处的离子束传输方向之间具有大于0°且小于180°的夹角。3.如权利要求2所述的离子植入机，其特征在于，各个所述第一挡板均具有第一中心面；各所述第一挡板包括相互平行的两个第一侧壁，所述两个第一侧壁分别位于所述第一中心面两侧，且所述两个第一侧壁平行于所述第一中心面，所述两个第一侧壁到所述第一中心面的距离相同；所述第一挡板还包括第二侧壁，所述第二侧壁的两端分别与两个第一侧壁的边缘连接；各个所述第二挡板均具有第二中心面；各个所述第二挡板包括相互平行的两个第三侧壁，所述两个第三侧壁分别位于第二中心面两侧，且所述两个第三侧壁平行于所述第二中心面，所述两个第三侧壁到所述第二中心面的距离相等；所述第二挡板还包括第四侧壁，所述第四侧壁的两端分别与两个第三侧壁的边缘连接；当所述第一挡板与第二挡板处于工作面时，所述第一中心面与第二中心面共面，且所述第二侧壁朝向所述第四侧壁，所述第二侧壁和第四侧壁构成所述开口结构的侧壁。4.如权利要求3所述的离子植入机，其特征在于，所述第一挡板结构还包括第一固定部，各个第一挡板的一端固定于第一固定部上，且所述第一固定部与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邸太平，洪纪伦，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32