研磨液手臂以及化学机械研磨机台制造技术

本实用新型专利技术提供了一种研磨液手臂以及化学机械研磨机台。所述研磨液手臂包括壳体、研磨垫清洁刷以及驱动机构，所述研磨垫清洁刷设置于所述壳体下方，所述驱动机构与所述研磨垫清洁刷连接，并用于驱动所述研磨垫清洁刷移动及旋转以使所述研磨垫清洁刷接触并清洁研磨垫，在化学机械研磨机台处于研磨停止间隙或者待机时，所述驱动机构驱动所述研磨垫清洁刷的上下移动以及旋转，以使所述研磨垫清洁刷接触并清洁研磨垫，从而降低晶圆划伤几率。

Lapping fluid arm and chemical mechanical lapping machine

【技术实现步骤摘要】
研磨液手臂以及化学机械研磨机台
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种研磨液手臂以及化学机械研磨机台。
技术介绍
CMP(ChemicalMechanicalPolish，化学机械研磨)工艺被运用于集成电路制造工艺以来，已成为推动集成电路技术不断进步的关键工艺。CMP装置即化学机械研磨机台，主要包括研磨台、研磨垫、研磨头、研磨液手臂和研磨垫修整器。进行化学机械研磨(简称研磨)时，研磨垫放置在研磨台上，晶圆固定在研磨头的下方，然后向研磨头上施加下压力，使晶圆能够紧压于研磨垫上，最后在电机的带动下研磨台发生旋转，研磨头也进行同向转动，同时研磨液通过研磨液手臂中的研磨液供应管输送至研磨垫上，研磨液在离心力的作用下均匀分布于研磨垫上，在晶圆和研磨垫之间形成一层研磨液液体薄膜，研磨液中的化学成分与晶圆表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质，或者将硬度高的物质进行软化，然后通过磨粒的微机械摩擦作用将这些化学反应物从晶圆表面去除，溶入流动的液体中带走，即在化学去膜和机械去膜的交替过程中实现平坦化的目的。所述研磨垫修整器用于对研磨垫的表面进行修整，可以提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨液手臂，其特征在于，所述研磨液手臂包括壳体、研磨垫清洁刷以及驱动机构，所述研磨垫清洁刷设置于所述壳体下方，所述驱动机构与所述研磨垫清洁刷连接，并用于驱动所述研磨垫清洁刷移动及旋转以使所述研磨垫清洁刷接触并清洁研磨垫。/n

【技术特征摘要】
1.一种研磨液手臂，其特征在于，所述研磨液手臂包括壳体、研磨垫清洁刷以及驱动机构，所述研磨垫清洁刷设置于所述壳体下方，所述驱动机构与所述研磨垫清洁刷连接，并用于驱动所述研磨垫清洁刷移动及旋转以使所述研磨垫清洁刷接触并清洁研磨垫。


2.如权利要求1所述的研磨液手臂，其特征在于，所述驱动机构包括第一气缸、第二气缸、马达以及支撑部件，所述研磨垫清洁刷的一端与所述马达连接，所述研磨垫清洁刷的另一端通过所述支撑部件与所述第二气缸连接，所述马达与所述第一气缸连接。


3.如权利要求2所述的研磨液手臂，其特征在于，所述研磨垫清洁刷包括滚轴、套管以及刷毛，所述套管穿设固定在所述滚轴上，所述刷毛设置在所述套管表面。


4.如权利要求3所述的研磨液手臂，其特征在于，所述滚轴的一端通过齿轮、链轮或者联轴器与所述马达连接，所述支撑部件通过第一连接杆与所述第二气缸连接，所述马达通过第二连接杆与所述第一气缸连接。


5.如权利要求3所述的研磨液手臂...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳志刚，辛君，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32