本实用新型实施例公开了一种用于操作衬底的设备，包括：抽气管（181）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有沿圆周方向均匀设置的多个第一抽气孔（38，39），多个第一抽气孔与抽气管（181）连通；多个第一抽气孔（38，39）分布在抓取盘装...

本实用新型提供的一种静电卡盘及反应腔室，通过电荷释放单元将基座和加热层均与地断开或者电导通，当工艺结束之后，通过电荷释放单元可以释放静电卡盘内部的残余电荷，可以避免因残余电荷不断积累而导致的晶圆在被顶起时发生偏移的问题。

本实用新型公开了一种半导体设备，包括腔室和真空泵，还包括柔性密封管和真空泵支架，其中，所述柔性密封管连接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之间，以减小所述真空泵传递给所述腔室的震动；所述真空泵支架用于支撑所述真空泵。本实用新型将腔室与真...

本实用新型公开了一种晶圆用喷淋臂装置和半导体设备，包括喷淋臂和调节件，所述喷淋臂包括多个依次连通的喷淋管，相邻两个所述喷淋管中，其中一个所述喷淋管的端部伸入另一个所述喷淋管的管腔内，所述调节件能够调节所述端部的伸入长度。通过将晶圆用喷淋...

一种反应腔室用观察窗组件和反应腔室，反应腔室用观察窗组件包括套筒，套筒的一端的内壁通过固定件可拆卸地安装有观察窗，固定件的中心透光。反应腔室用观察窗组件能够降低腔室的颗粒风险，且便于维护。

本实用新型实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上...

一种反应腔室用观察窗组件和反应腔室，反应腔室用观察窗组件包括：主观察窗，包括相对设置的安装表面和观察表面；套筒，套筒设于主观察窗的安装表面，且套筒的轴向垂直于安装表面；次观察窗，次观察窗设于套筒的内部空间中，沿着套筒的轴向将套筒的内部空...

一种排气连接管，排气连接管的一端为密封连接端，另一端为液体回收端，密封连接端的内壁上设有密封结构，液体回收端的内壁上设有液体回收面和环形凸起部，环形凸起部设于液体回收面的轴向外侧，且向排气连接管的径向内侧凸出，环形凸起部的内侧边缘朝排气...

一种炉体装配用调节装置及半导体设备，包括：固定板，固定板用于与主机箱连接；调节板，调节板用于与炉体连接；调节板设于固定板上，且调节板相对于固定板的倾斜角度能够被调节；锁紧件，锁紧件用于调节调节板相对于固定板的倾斜角度；固定件，固定件将固...

本发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气装置及原子层沉积装置，包括：第一进气块和第二进气块；第一进气块插入第二进气块设置的第二中心进气通孔内，在第二中心进气通孔的内壁和第一进气块的侧壁之间形成相互隔离的第一环形密封空腔区域和第二环...

本发明提供一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备，通过在预热腔室内设置晶片支撑结构，晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，其中第一支撑架设置在第二支撑架正上方，且第一支撑架的边缘与第二支撑架的边缘接触，不同的晶片分别放...

本公开提供了一种反应腔室，包括：基座，用于承载待加工工件；靶材，设置在所述反应腔的上部空间中；以及准直器，设置在所述靶材以下、所述待加工工件以上的空间中，以提高所述待加工工件深孔底部的覆盖率以及深孔侧壁覆盖率的对称性。本公开还提供了一种...

本公开提供了一种等离子体工艺方法，利用至少一对主电源与从电源激发等离子体；其中，所述等离子体工艺方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述至少一对主电源与从电源的共同激励锁相角度维持在一预定值，以提高所...

本实用新型提供了一种静电卡盘和半导体设备，支撑组件包括基座和功能部，卡盘本体，通过紧固件固定于基座，卡盘板体包括主体部，主体部背离基座的表面设有凸部，凸部的上表面用于支撑待加工工件；主体部朝向基座的表面设有凹部，凹部和基座构成的空间用于...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种高温静电卡盘。该高温静电卡盘，包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体，所述卡盘主体用于支撑晶片，所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环，所述压环用于对所述卡盘主体进行限位，所述沉积环位于所述压...

本发明提供一种等离子体起辉状态监测方法及监测装置和半导体处理设备。该等离子体起辉状态监测方法包括：在等离子体开始起辉时，采集形成在基片表面的等离子体鞘层的对地交流电压信号；对等离子体鞘层的对地交流电压信号进行处理，以获得等离子体鞘层的对...

本发明提供一种磁控管和半导体处理设备。该磁控管包括内磁极和外磁极，外磁极围设在内磁极外围，且外磁极和内磁极相互间隔形成等离子体路径，等离子体路径呈马蹄形，磁控管能使制备形成的膜层厚度均匀性和电阻率均匀性均小于3％。该磁控管通过采用马蹄形...

本发明提供一种金属膜层沉积方法和金属膜层沉积设备。该金属膜层沉积方法用于通过磁控溅射沉积方法在基片表面的外延层上沉积金属膜层，包括：在预设时间内，向靶材加载射频功率，在外延层上沉积金属缓冲层；向靶材加载直流功率，直至在外延层上沉积预定厚...

本发明提供一种等离子体发生装置。该等离子体发生装置包括依次连接的微波源、传输匹配结构和谐振腔，传输匹配结构能将微波源产生的微波能量馈入谐振腔，谐振腔的底壁下方用于设置介质窗和真空腔，谐振腔是由多段波导拼接构成的中心对称结构，且其对称中心...

本发明提供一种进气管路及半导体加工设备，其包括主路管道和与之连接的第一支路管道，该第一支路管道用于传输高沸点气体，在主路管道的内壁上，且位于与第一支路管道的交汇处设置有混气结构，用以减小主路管道在所述交汇处的横截面积。本发明提供的进气管...