本发明提出了一种吸片装置。该装置包括第一板和第二板，第一板为圆形板，其上设有抽气口，抽气口用于与真空产生装置连接；第二板的外周为圆形，第二板的第一表面设有向内部凹陷的环形凹槽，环形凹槽与第一板配合形成抽气室，抽气室与抽气口连通；第二板的...

本发明公开了一种晶片检测系统和晶片检测方法。所述晶片检测系统包括：机械手，所述机械手用于获取并传输晶片，且当所述机械手移动至预设的图像获取位置时，所述机械手发出图像获取信号；控制器，所述控制器用于接收所述图像获取信号，并发出图像生成信号...

本发明提供了一种刻蚀工艺，包括以下步骤：在衬底上形成掩膜材料层；采用构图工艺将所述掩膜材料层划分为多个掩膜微单元，每个所述掩膜微单元的高度小于其底部宽度；执行主刻蚀步骤，直至衬底刻蚀形成的每个衬底微单元的侧壁和位于其上的所述掩膜微单元的...

本发明提供一种表面波等离子体加工设备，其包括反应腔室、用于向该反应腔室提供微波能量的微波传输机构及用于实现微波能量的激发和调谐的谐振机构，其中，谐振机构包括设置在反应腔室顶部的谐振腔和设置于谐振腔内的多个金属调节件；谐振腔的底壁上设置有...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及等离子体装置。该装置包括反应腔室和设置于其中的承载装置，还包括栅网和与栅网电连接的栅网电源，栅网设置于承载装置的上方且与反应腔室的腔室壁绝缘，用于将反应腔室隔离为等离子体产生区和等离子体工艺区；且栅...

本发明公开了一种半导体设备和该半导体设备的反应腔室的清理方法，属于半导体制造技术领域。所述半导体设备包括反应腔室，用于容纳待处理晶片，所述半导体设备还包括位于所述反应腔室的侧壁且靠近所述反应腔室顶部的进气清理组件，所述进气清理组件包括至...

本发明公开了一种阻抗匹配装置。该装置包括：匹配网络，串接在射频电源和反应腔室之间，包括阻抗可调元件；多个适用不同射频功率检测范围的采集单元，多个采集单元并联后串接在射频电源和匹配网络之间，该采集单元用于采集射频电源和匹配网络之间所在传输...

本发明公开了一种等离子体装置，所述等离子体装置包括反应腔室和线圈，所述反应腔室用于容纳待处理晶片，所述线圈设置在所述反应腔室外侧，所述等离子装置还包括导磁件，所述导磁件内部设置有容纳空间，所述线圈设置在所述容纳空间内，以减小所述线圈上的...

一种反应腔室用观察窗组件及反应腔室，反应腔室用观察窗组件包括观察窗和保护件，所述保护件套设在所述观察窗的外周壁上，用于防止所述观察窗受外力不当而破碎。反应腔室用观察窗组件的观察窗的外周壁被完全包裹，可以避免受外力不当而破碎。

本实用新型提供的内衬及反应腔室，内衬包括环形本体以及设置在环形本体的外周壁上的凸缘，环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。通过将冷却通道直接设置在环形本体中，使得冷却通道能够直接对内衬进行冷却，从而...

本公开提供了一种非等离子干法刻蚀方法，通入包含HF的气体混合物对二氧化硅和氮化硅进行刻蚀，气体混合物还包括含氟气体和/或羟基化合物，其中，各气体成分的流量比例根据所需的二氧化硅/氮化硅刻蚀选择比来确定；判断二氧化硅和氮化硅的刻蚀厚度是否...

本发明提供一种承载装置、反应腔室及半导体加工设备，其包括可升降的基座，在该基座上竖直设置有沿其轴向对称分布的至少三个主支撑柱，主支撑柱的上端高于基座的上表面，用以承载托盘。并且，承载装置还包括保护组件，该保护组件用于在置于主支撑柱上的所...

本发明提供一种机械卡盘及半导体加工设备，机械卡盘包括基座、溅射环和卡环，所述基座的顶面用于承载被加工件，所述溅射环套置于所述基座顶部的外侧，所述卡环包括内外嵌套设置的第一卡环组件和第二卡环组件，所述第一卡环组件设于外侧，所述第二卡环组件...

本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工...

本发明属于半导体生产技术领域，具体涉及一种等离子体产生装置和半导体设备。该等离子体产生装置，用于产生圆周分布的等离子体，该所述等离子体产生装置包括微波产生源、微波传输匹配结构和谐振腔体，所述谐振腔体包括由内向外依次同轴嵌套设置的圆环结构...

本发明提供一种承载装置，用于承载晶片，在所述承载装置的承载面上设置有沟槽；在所述承载装置内还设置有与所述沟槽连通的竖直通道；在所述沟槽的边沿位置处设置有第一导电膜，所述第一导电膜用于与所述晶片相接触；在所述沟槽内设置有电连接所述第一导电...

本发明提供一种粘片检测系统，包括：输气管路，与气源和静电卡盘的冷媒气体通道相连，用于将气源提供的气体经过所述输气管路和冷媒气体通道向晶片背吹；在所述输气管路上还设置有检测模块；所述检测模块，与控制模块相连，用以在所述输气管路内输送的气体...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种去气装置。该去气装置包括腔室和温控单元，所述腔室的顶部设有介质窗，所述温控单元包括温度控制器、加热部件和风扇，所述温度控制器用于监测所述介质窗的温度，所述加热部件和所述风扇分别与所述温度控制器连...

本公开提供了一种上电极组件、反应腔室以及原子层沉积设备，上电极组件包括进气结构和上电极板，所述上电极板开设有主管路，所述进气结构用于将工艺气体自所述主管路引入反应腔室，所述进气结构包括：绝缘组件，置于所述上电极板上；进气部件，置于所述绝...

本实用新型涉及可调电容及阻抗匹配装置。该可调电容，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述...