本发明提供了一种磁控溅射设备，包括第一腔室和第二腔室，第一腔室和第二腔室均包括磁控管和偏置磁场装置；偏置磁场装置用于在各自承载基片的卡盘表面形成水平磁场，该水平磁场用于在基片上沉积具有面内各向异性的磁性膜层；磁控管包括磁性相反的内磁极和...

本发明提供一种磁控溅射组件，包括磁控管和靶材，所述磁控管相对于所述靶材固定设置，所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极，在所述内、外磁极之间形成磁场轨道。本发明还提供一种磁控溅射腔室及磁控溅射设备。本发明不仅可提高磁控溅射组件稳定性...

本发明提供一种等离子体加工设备及预清洗工艺，其包括反应腔室、上射频源、下射频源、进气装置和点火装置，其中，在反应腔室内设置有用于承载基片的基座；进气装置用于向反应腔室内输送工艺气体；点火装置用于向反应腔室的内部引入使工艺气体放电所需的种...

本发明提供一种等离子体产生腔室和等离子体处理装置。该等离子体产生腔室包括介质筒和绕制在介质筒外壁的线圈，线圈用于将射频功率耦合至介质筒内，以激发介质筒内的气体产生等离子体，还包括磁性元件，磁性元件围设在线圈的远离介质筒的外侧，磁性元件能...

本发明提供一种脉冲功率源和半导体设备，利用连续波功率源代替现有的射频脉冲电源，并令其输出的连续波功率信号先经过匹配器，使得匹配器内的阻抗检测装置能检测到连续的电压电流信号，从而避免阻抗失配的问题，之后，再利用功率分配器将匹配后的连续波功...

本发明提供的基片表面的检测装置和检测方法、传片腔室，该装置包括：光源，用于向基片的被检测表面发射光束；光探测器，用于接收来自基片的被检测表面的反射光束；光电转换器，与光探测器进行通信，用于将反射光束转换为光电流信号；控制器，与光电转换器...

本发明提供了一种下电极装置，下电极装置包括下射频电源、下匹配器和基座，基座用于承载基片，基座包括绝缘设置的多个射频电极；下射频电源的输出端与下匹配器的输入端相连；下匹配器包括与多个射频电极一一对应相连的多路输出端；下匹配器用于实现对下射...

本发明提供一种反应腔室及外延生长设备，其包括腔体和第一吹扫机构，在该腔体内设置有基座和旋转轴，其中，基座与腔体的底部之间存在间隙。在腔体的底部设置有开口，旋转轴的上端与基座连接，旋转轴的下端竖直向下穿过开口。第一吹扫机构用于通过开口向基...

本发明公开了一种片盒、反应腔室和半导体设备。本发明的片盒，包括顶板、底板、以及设置在顶板和底板之间的多个支撑件，支撑件的内壁设置有放置位用于放置基片，还包括隔板，隔板设置在顶板和底板之间，且顶板、隔板和底板相互平行，隔板用于增加对各基片...

本发明提供一种线圈、介质筒和等离子体腔室。该线圈包括螺线管和设置在螺线管上的子线圈；子线圈的轴线与螺线管的轴线夹角大于0°且小于180°，使子线圈产生的磁场与螺线管产生的磁场具有不同的方向，以增加螺线管内的磁力线的水平分量。本发明等离子...

本发明提供一种进气机构及反应腔室，该进气机构用于向反应腔室内输送气体，且包括进气口及气路组件，其中，进气口设置在反应腔室的腔室壁上；气路组件设置在进气口中形成非直线气路。本发明提供的进气机构，其与现有技术中采用直通孔结构相比，不仅可以在...

本发明提供的硅深孔刻蚀方法，其包括第一阶段，交替进行第一沉积步骤和第一刻蚀步骤至少一次；其中，通过提高第一沉积步骤和第一刻蚀步骤中的腔室压力，降低第一刻蚀步骤中的下电极功率，来提高刻蚀选择比；第二阶段，采用氧气进行干法清洗工艺，以去除第...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括介质窗、环绕在介质窗内侧的法拉第屏蔽件和绝缘环、环绕在介质窗外侧的射频线圈，绝缘环设置在法拉第屏蔽件的底部，用以支撑法拉第屏蔽件。其中，射频线圈包括线圈本体，该线圈本体沿介质窗的轴向呈螺旋状...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括法拉第屏蔽环和用于支撑该法拉第屏蔽环的绝缘环，在绝缘环的支撑面设置有凹部，且在法拉第屏蔽环的被支撑面设置有凸部，该凸部位于凹部内，其中，凹部包括朝外方向的第一侧面，凸部包括朝内方向的第二侧面...

本申请提供了一种静电卡盘，包括：电极，以及包覆在所述电极外的介质层；以及设置在所述介质层上表面的多个彼此独立的凸点；其中所述凸点由具有10‑4‑109Ω·cm电阻率的无氢非晶碳层构成。本申请还提供了制备这种静电卡盘的方法。采用无氢非晶碳...

本发明提供了一种顶针、下电极装置，属于半导体技术领域。本发明的顶针，包括自上而下叠置固定的第一支撑体和第二支撑体；第一支撑体采用导电的非金属材料制成，第一支撑体用于支撑基片；第二支撑体采用金属材料制成，第二支撑体用于支撑第一支撑体以及与...

本发明提供一种反应腔室，其包括接地的腔体，在腔体内设置有下电极和内衬组件，内衬组件包括衬环，衬环包括筒体和环形部，筒体的上端与腔体连接，并通过腔体接地；环形部水平设置在筒体的下端，且环绕在所述下电极的周围，并且在环形部上设置有沿其周向环...

本发明提供的卡盘装置以及半导体加工设备，其包括基座、基环、聚焦环和热边缘环，基座包括用于承载晶片的承载面；基环环绕设置在基座的侧壁上；聚集环设置在基环上；热边缘环设置在基环与基座之间，且靠近承载面的边缘处；并且，热边缘环包括金属本体，以...

本发明提供了半导体加工设备，包括腔室和光学发射光谱监测装置，在腔室的腔室壁上设置有透明窗，光学发射光谱监测装置包括透镜、不透光的筒体、光电转换器和接收器；透镜和光电转换器设置在筒体内，透镜，与透明窗相对设置，用于将腔室内自透明窗出射的光...

本发明提供一种腔室和等离子体处理装置，通过在匀流腔内设置由多个栅板组成的栅型结构，令栅型结构与匀流腔的顶壁之间的第一间距d1与匀流腔内压力p的乘积、栅型结构与匀流腔的底壁之间的第二间距d2与匀流腔内压力p的乘积、相邻栅板之间的第三间距d...