The chuck device and the semiconductor processing device provided by the invention include a base, a base ring, a focus ring and a hot edge ring. The base comprises a bearing surface for carrying a wafer; the base ring is surrounded by a side wall of the base; the gathering ring is arranged on the base ring; and the hot edge ring is arranged between the base ring and the base and close to the bearing surface. The hot edge ring includes a metal body and an insulating layer covering the outer surface of the metal body. The chuck device provided by the invention can reduce metal pollution and particle pollution of the wafer on the premise of improving the uneven temperature distribution and steep electric field in the wafer edge region.
【技术实现步骤摘要】
卡盘装置以及半导体加工设备
本专利技术涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种卡盘装置以及半导体加工设备。
技术介绍
在半导体制造工艺中，等离子体刻蚀技术是利用高能离子轰击晶圆表面所产生的物理作用，或者利用等离子体中的活性自由基与晶圆表面之间的化学作用，或者二者的复合作用，达到去除晶圆材料的目的的一种技术。在等离子体刻蚀反应腔室中设置有卡盘装置，用于固定、支撑及传送晶圆，并且控制晶圆表面的温度，例如静电卡盘(ElectroStaticChuck，ESC)。现有的静电卡盘包括由上至下依次叠置的绝缘层、加热层、隔热层和基座，其中，在绝缘层内烧结有直流电极层，用以产生静电引力将晶圆固定在绝缘层的上表面。加热层用于实现对晶圆的温度控制。隔热层设置在加热层与基座之间，用以阻挡加热层产生的热量向基座3传导，从而保证静电卡盘具有足够的工艺温度。此外，在静电卡盘的周围还设置有边缘环组件，其主要包括聚焦环、基环及绝缘环。其中，绝缘环固定在安装固定件上，用于支撑基座，并且绝缘环采用Al2O3陶瓷材料制作，用以实现基座与安装固定件电绝缘。聚焦环和基环均环绕在基座的周围，聚焦环用于形成能...
【技术保护点】
1.一种卡盘装置，包括基座、基环和聚焦环，所述基座包括用于承载晶片的承载面；所述基环环绕设置在所述基座的侧壁上；所述聚集环设置在所述基环上；其特征在于，还包括热边缘环，所述热边缘环设置在所述基环与所述基座之间，且靠近所述承载面的边缘处；并且，所述热边缘环包括金属本体，以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种卡盘装置，包括基座、基环和聚焦环，所述基座包括用于承载晶片的承载面；所述基环环绕设置在所述基座的侧壁上；所述聚集环设置在所述基环上；其特征在于，还包括热边缘环，所述热边缘环设置在所述基环与所述基座之间，且靠近所述承载面的边缘处；并且，所述热边缘环包括金属本体，以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层。2.根据权利要求1所述的卡盘装置，其特征在于，所述绝缘层包括氧化层；或者，所述绝缘层包括陶瓷涂层；或者，所述绝缘层包括氧化层和陶瓷涂层，二者由内而外依次设置。3.根据权利要求2所述的卡盘装置，其特征在于，所述氧化层采用阳极氧化处理的方式制成。4.根据权利要求3所述的卡盘装置，其特征在于，所述阳极氧化处理使用的电解质溶液包括硫酸、草酸、铬酸、磷酸、硼酸或者混合酸。5.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李一成，彭宇霖，曹永友，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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