本发明公开了一种电感耦合线圈和工艺腔室。所述电感耦合线圈用于将射频能量通过介质窗耦合到工艺腔室内，所述线圈包括至少一个线圈绕组，所述线圈绕组包括至少两个线圈分支，所述至少两个线圈分支分别位于具有预设高度差的不同的水平面内，且通过线圈过渡...

本发明提供了一种物料优化调度的方法，包括：获取系统所需运行的物料列表和工艺顺序，所述物料包括晶片和晶片传送盒；对物料列表中的每个物料进行查询，以确定各个物料的当前状态；根据各个物料的当前状态和工艺顺序，模拟计算各条物料运行路径；所述运行...

本发明公开了一种固态源的检测装置及其检测方法，用于检测源瓶内固态源的实时余量，检测装置包括一至多个超声波传感器，设于源瓶顶部，用于向源瓶内部下方发射超声波，并接收反射的超声波；计算单元，用于根据超声波开始发射与开始接收之间的时间差以及源...

本发明公开了一种进气机构，用于向腔室内通入反应气体，进气机构包括源进气块，源进气块设于腔室侧壁上的凹槽内，源进气块和腔室侧壁的上表面的至少部分覆盖有上盖，源进气块包括通过楔形面相配合的上楔形块和下楔形块，通过驱动下楔形块平移进出凹槽，使...

本发明公开了一种成膜设备，包括排气模块、反应腔室、主进气单元、副进气单元、成膜控制模块和清洗控制模块，成膜设备进行原位清洗时，保持反应腔室处于清洗温度，含有水汽的氮气先进入反应腔室，并且水汽吸附在待清洗的颗粒物上，含有清洗气体的氮气再进...

本发明实施例公开了一种非接触式衬底操作设备，设备包括：抓取臂（222）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有呈中心对称布置的多个吸片单元（102，103）；吸片单元（102，103）设置有腔体以及与腔体相通的切向孔（102‑1，103‑...

本发明实施例公开了一种反应腔室以及等离子体设备，反应腔室包括：腔室本体、内衬、支撑组件和升降驱动装置；内衬包括：第一内衬和第二内衬；第二内衬同轴外套或内套于第一内衬上，在第一内衬与第二内衬之间具有间隙，升降驱动装置用于驱动第二内衬上升或...

本发明提供一种用于处理工件的等离子体反应装置，其包括电子束产生腔、过滤装置和工艺腔，其中，电子束产生腔位于工艺腔的外部，且通过过滤装置与工艺腔相连通，并且电子束产生腔包括电感耦合等离子体源，该电感耦合等离子体源用于产生第一等离子体；过滤...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种腔室的内衬和腔室。该腔室的内衬包括抽气内衬和均流内衬，所述均流内衬环绕设置于所述抽气内衬的内侧，所述均流内衬至少包括本体和隔离部，所述隔离部上开设有至少两个孔洞，以将所述均流内衬与所述抽气内衬之...

本发明提供一种磁控管旋转结构，第一旋转臂，其上设置有第一旋转轴和第二旋转轴；所述第一旋转轴，与驱动源相连，用以在驱动源的驱动下旋转并带动所述第一旋转臂旋转；所述第一旋转轴通过传动组件与所述第二旋转轴相连，所述传动组件用以在所述第一旋转轴...

本发明提供了承载基座及预清洗装置。该承载基座用于承载待加工工件，承载基座上形成有第一凹部，待加工工件容纳于第一凹部中；第一凹部的底壁上设有第二凹部，第二凹部用于降低待加工工件中心区域的刻蚀速率。本发明的承载基座的一个用途在于用于预清洗装置。

本发明提供一种传片监测系统，用于监测机械手上的晶片是否发生偏移，包括对射传感器和移动装置，对射传感器包括：发射极和接收极；移动装置用于驱动发射极和接收极至少一个移动，且在移动过程中发射极和接收极之间可进行信号的发送和接收；当晶片静止待检...

本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种加热装置和工艺腔室。该加热装置包括加热盘和固定组件，所述加热盘用于承载并加热待加工工件，所述固定组件用于将所述加热盘固定于腔室中，其中，所述加热装置还包括隔热盘，所述隔热盘设置于所述加热盘与所述...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种刻蚀方法，用于对GaN衬底进行刻蚀，其中，所述刻蚀方法包括：在GaN衬底上形成掩膜图形；开启上、下电极，利用刻蚀气体对形成有掩膜图形的GaN衬底进行刻蚀，通过设定上、下电极的功率以及工艺压强，降...

本发明提供了一种工艺腔室及半导体处理设备。本发明的工艺腔室用于对晶片进行去气和预清洗，包括：腔体、电极板、设置于腔体内顶部的热源、设置于腔体内底部的基座；其中，基座和热源相对设置，电极板可旋转；电极板中设置有输气通道；当电极板旋转至基座...

一种磁控溅射腔室以及通过该磁控溅射腔室实现的托盘位置误差检测方法。磁控溅射腔室、设置于腔体内的基座、旋转轴、传输臂、托盘和检测传感器，以基座所在平面为投影面，预设旋转轴和基座的中心在投影面上的连线为lo，预设传输臂与lo重合时的位置为第...

本发明实施例公开了一种用于操作衬底的设备，包括：抽气管（181）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有沿圆周方向均匀设置的多个第一抽气孔（38，39），多个第一抽气孔与抽气管（181）连通；多个第一抽气孔（38，39）分布在抓取盘装置底...

本发明提供一种表面波等离子体加工设备，其包括微波源和传输匹配机构，该传输匹配机构包括一体式结构的基片集成波导，该基片集成波导沿微波的传输方向依次分为多个功能区域，且在不同的功能区域中形成不同的波导结构，以实现不同的功能。本发明提供的表面...

一种进气装置和包括该进气装置的腔室，该进气装置包括：喷嘴，喷嘴为中空柱状，喷嘴的第一端的外周壁上设有凸出的第一轴肩，第二端的外周壁上设有凸出的第二轴肩；固定件，固定件为中空结构，在内壁上设有台阶，当喷嘴套置于固定件内时，台阶的台阶面与第...

本发明提供一种解决静电卡盘粘片的工艺方法，静电卡盘包括1个或者多个直流电极，该方法包括以下步骤：固定第n个晶片的步骤：向所述静电卡盘的每个直流电极加载各自对应的第一预设电压；释放第n个晶片的步骤；固定第n+1个晶片的步骤：对至少一个所述...