本发明实施例公开了一种用于原子层沉积工艺的进气系统和控制方法，其中的进气系统包括：连通匀流腔与反应腔体的第三管路，用于在吹扫阶段将匀流腔中的第一反应前驱物或第二反应前驱物经由反应腔体输送入前级真空管线。本发明的用于原子层沉积工艺的进气系...

本发明实施例公开了一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，其中，升降针系统包括：聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降，用以...

本发明公开了一种晶片传送装置以及半导体加工设备。该晶片传送装置包括吸气臂和吸盘，吸盘包括吸附侧和连接侧，所述吸盘的连接侧通过柔性件与所述吸气臂连接，所述柔性件被配置为使得所述吸盘能相对所述吸气臂进行姿态调整。通过这种方式，吸盘能够相对于...

本发明提供了一种线圈调节机构，包括旋转件和与旋转件连接的移动转换组件，移动转换组件用于将旋转件的旋转运动转换为沿旋转件的旋转轴线方向的直线运动，移动转换组件包括安装件、移动杆和至少一个定位件，其中，移动杆设置于安装件中，且移动杆的轴线方...

本发明提供一种反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座以及采用绝缘材料制作的转接盘，该转接盘设置在基座的底部，且在转接盘中设置有多条走线通道，多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，多条走线通道的输出端分...

公开了针对等离子产生的阻抗匹配装置和阻抗匹配方法。根据实施例，阻抗匹配装置可以耦接在等离子体产生设备中射频源以及与射频源连接的负载之间，用于匹配阻抗。阻抗匹配装置包括：匹配阻抗网络；电机，用于驱动匹配阻抗网络以提供一定的阻抗；以及控制器...

本发明提供一种线圈组件，其中，所述线圈组件包括多组感应线圈，多组所述感应线圈的输入端电连接，且多组所述感应线圈的输出端沿所述线圈组件周向均匀分布。本发明还提供一种等离子体发生装置和一种等离子体设备。所述感应线圈能够在工艺腔中形成均匀的等...

本实用新型提供一种在线监测系统及半导体加工设备，其包括第一光路、第二光路、采样频率调节单元、光电转换单元和计算单元，第一光路用于传输入射光，并将入射光向晶片表面辐射；第二光路用于接收干涉光，并将其传输至光电转换单元；该第二光路包括第一支...

本发明公开了一种压环组件和一种反应腔室。所述压环组件包括压环，所述压环的下表面用于与待加工件上表面的边缘接触，以将所述待加工件固定在承载台上，所述压环组件还包括刻蚀削弱件，所述刻蚀削弱件设置在所述压环的上表面，且所述刻蚀削弱件在所述待加...

本发明提供一种介质膜层的应力检测方法，其特征在于，所述应力检测方法包括：在至少一片晶片上沉积形成初始参考有机膜；对形成有所述初始参考有机膜的晶片进行预热处理，获得最终参考有机膜；检测所述最终参考有机膜的第一曲率半径；在所述最终参考有机膜...

本发明提供了一种偏压调制方法、偏压调制系统和等离子体处理设备。该偏压调制方法将偏压射频源产生的偏压功率加载于承载待加工工件的基座上，以使放置于基座上的待加工工件的表面产生负偏压，在偏压功率加载期间，偏压射频源产生的电压由初始电压增加至目...

本发明提供一种可调电容，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述铁电介质层提供电场，以通过...

本实用新型提供的托盘旋转机构，其通过采用磁力传动，即，使第一磁芯组与第二磁芯组分别位于密封罩的内外两侧，并通过第二磁芯组旋转时产生的磁场与第一磁芯组产生的磁场相互作用来带动第一磁芯组旋转，从而带动旋转轴及托盘旋转。同时，通过采用磁力传动...

本发明提供一种反应腔室的排气装置及反应腔室，其包括两支排气管，两支排气管的第一端在水平方向上相互间隔，且均与反应腔室的内部连通；两支排气管的第二端位于反应腔室的外部，且汇聚在一起，两支排气管相对于水平方向向上倾斜，且相互对称。本发明提供...

本发明提供一种吹扫方法，包括吹扫步骤：向腔室内通入吹扫气体，按照预设参数开始进行吹扫，在吹扫过程中向静电卡盘的直流电极加载第一电压。本发明提供的吹扫方法，使得静电卡盘及其周围工艺套件上的带电颗粒容易被吹扫掉，从而可以提高产品良率。

本实用新型公开了一种用于喷淋臂调试的定位工装，包括：基台，同心安装在旋转卡盘上并随所述旋转卡盘一起转动，所述基台用于确定至少一个喷淋臂的初始高度；对正圆心部件，安装在所述基台顶面的几何中心，所述对正圆心部件用于确定所述至少一个喷淋臂的喷...

本实用新型提供的喷嘴，包括：本体；中心进气孔，设于所述本体中，且所述中心进气孔的直径满足：能够破坏所述中心进气孔中的等离子体形成条件；边缘进气孔，设于所述本体中，且环绕在所述中心进气孔四周，并且所述边缘进气孔的直径满足：能够破坏所述边缘...

本发明公开了一种提高管路温度一致性的加热带及其设计方法，加热带由位于管路中间的中间加热带、位于管路两端的第一加热带、第二加热带组成，第一、第二加热带加热层的功率密度与中间加热带的加热层的功率密度不同；设计方法包括：根据管路总长、散热及管...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔体，在该腔体内设置有用于承载被加工工件的基座，且在基座的上方设置有工艺套筒，等离子体通过工艺套筒扩散至被加工工件表面。并且，工艺套筒包括多个子挡板，且多个子挡板依次排布形成环体，每个子挡板...

本实用新型提供一种遮挡压盘组件和半导体加工装置。该遮挡压盘组件包括：遮挡压盘以及移动部件，遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；移动部件用于使遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在第一位置时，边缘部与基座承载的待加工件的边缘区域接触...