【技术实现步骤摘要】
托盘旋转机构及反应腔室
本技术属于半导体制造
,具体涉及一种托盘旋转机构及反应腔室。
技术介绍
CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)方法,是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法,以在单晶衬底(基片)上生长一层达到一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层。CVD设备是进行外延生长的设备,反应腔室是CVD设备的核心组件,反应腔室的设计对于外延层质量和设备产率具有决定性的影响。反应腔室包括用于承载晶片的托盘,并通过旋转升降装置在工艺过程中驱动托盘匀速旋转,以保证晶片的加热效率及温度场的均匀性。或者,通过旋转升降装置在机械手取放片时,驱动托盘升降。图1为现有的一种旋转升降装置的结构图。如图1所示,基座支撑座1与旋转轴筒夹6通过螺钉固定在磁隔离罩2中,旋转轴筒夹6套设在旋转轴4上并与旋转轴4过渡配合。轴承筒3与腔室固定连接,且在轴承筒3与磁隔离罩2之间设置有密封圈5,以对二者之间的间隙进行密封。伺服电机向磁隔离罩2输出的扭矩通过基座支撑座1、旋转轴筒夹6传递到旋转轴4,进而带动托盘旋转。但是,当托盘旋转时,磁隔离罩2与轴承 ...
【技术保护点】
1.一种托盘旋转机构,用于驱动腔室内的托盘旋转,且所述托盘旋转机构包括旋转轴、传动组件和驱动源,所述旋转轴的上端与所述托盘连接,所述旋转轴的下端竖直向下经由所述腔室底部的开口延伸至所述腔室的外部,并通过所述传动组件与所述驱动源连接,其特征在于,所述传动组件包括密封罩、第一磁芯组与第二磁芯组,其中,所述密封罩用于密封所述腔室底部的开口,且所述第一磁芯组位于所述密封罩中;所述第一磁芯组与所述旋转轴连接;所述第二磁芯组位于所述密封罩的外部,且环绕在所述第一磁芯组的周围;所述驱动源用于驱动所述第二磁芯组旋转,且所述第二磁芯组在旋转时产生的磁场与所述第一磁芯组产生的磁场相互作用,以带 ...
【技术特征摘要】
1.一种托盘旋转机构,用于驱动腔室内的托盘旋转,且所述托盘旋转机构包括旋转轴、传动组件和驱动源,所述旋转轴的上端与所述托盘连接,所述旋转轴的下端竖直向下经由所述腔室底部的开口延伸至所述腔室的外部,并通过所述传动组件与所述驱动源连接,其特征在于,所述传动组件包括密封罩、第一磁芯组与第二磁芯组,其中,所述密封罩用于密封所述腔室底部的开口,且所述第一磁芯组位于所述密封罩中;所述第一磁芯组与所述旋转轴连接;所述第二磁芯组位于所述密封罩的外部,且环绕在所述第一磁芯组的周围;所述驱动源用于驱动所述第二磁芯组旋转,且所述第二磁芯组在旋转时产生的磁场与所述第一磁芯组产生的磁场相互作用,以带动所述第一磁芯组旋转。2.根据权利要求1所述的托盘旋转机构,其特征在于,所述第一磁芯组包括沿所述旋转轴的周向均匀间隔设置的多个第一磁体,所述第二磁芯组包括沿所述旋转轴的周向均匀间隔设置的多个第二磁体,所述第一磁体的数量与所述第二磁体的数量相同,且一一对应地设置,并且每个所述第一磁体的磁极方向和与之相对应的所述第二磁体的磁极方向相同。3.根据权利要求1所述的托盘旋转机构,其特征在于,所述第一磁芯组包括第一磁体,所述第二磁芯组包括第二磁体,所述第一磁体与所述第二磁体均为环形磁体且数量均为一个,并且所述第一磁体的磁极方向...
【专利技术属性】
技术研发人员:周志文,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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