可调电容及阻抗匹配装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可调电容，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述铁电介质层提供电场，以通过控制所述电场的电场强度来调整所述铁电介质层的介电常数，从而调节所述第一电极和第二电极之间的容值。本发明专利技术还提供一种阻抗匹配装置及半导体加工设备。该可调电容、阻抗匹配装置及半导体加工设备，能够实现毫秒级甚至更快调节介质可调电容的容值大小，从而可以加快匹配速度，能够实现毫秒级甚至更快的匹配速度。

Adjustable Capacitance and Impedance Matching Device

The invention provides an adjustable capacitor, including a ferroelectric layer and a first and a second electrodes on opposite sides of the ferroelectric layer; the adjustable capacitor also includes a first control electrode and a second control electrode insulated from the first and second electrodes; the first control electrode and the second control electrode are used to provide an electric field to the ferroelectric layer. The dielectric constant of the ferroelectric layer is adjusted by controlling the electric field intensity of the electric field, thereby adjusting the capacitance between the first electrode and the second electrode. The invention also provides an impedance matching device and a semiconductor processing device. The adjustable capacitor, impedance matching device and semiconductor processing equipment can realize millisecond or even faster adjustment of the capacitance of the medium adjustable capacitor, thus speeding up the matching speed and achieving millisecond or even faster matching speed.

【技术实现步骤摘要】
可调电容及阻抗匹配装置
本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种可调电容、阻抗匹配装置。
技术介绍
等离子体技术被广泛地应用于半导体器件的制造
中。在等离子体沉积与刻蚀系统中，采用射频电源向反应腔室加载能量以将腔室内的工艺气体激发形成等离子体；等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔体并曝露在等离子体环境下的基片表面发生各种物理和化学反应，使基片表面发生变化，从而完成刻蚀、沉积等工艺。在应用中，射频电源的输出阻抗一般为50Ω，为了使反应腔室从射频电源处获得最大的功率以及降低反应腔室的反射功率，一般在射频电源与反应腔室之间设置有阻抗匹配装置，用于使射频电源的输出阻抗和负载阻抗相匹配，负载阻抗等于阻抗匹配装置的阻抗与反应腔室的阻抗之和。图1为应用现有的阻抗匹配装置的半导体加工设备的原理框图。请参阅图1，阻抗匹配装置串接在射频电源10和反应腔室20之间，其包括采集单元1、控制单元2、执行单元3和匹配网络4，其中，采集单元1串接在射频电源10和匹配网络4之间，采集单元1用于采集其所在传输线上的电信号(电压V和电流I)并发送至控制单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调电容，其特征在于，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述铁电介质层提供电场，以通过控制所述电场的电场强度来调整所述铁电介质层的介电常数，从而调节所述第一电极和第二电极之间的容值。

【技术特征摘要】
1.一种可调电容，其特征在于，包括铁电介质层和位于所述铁电介质层相对两侧的第一电极和第二电极；所述可调电容还包括与第一电极和第二电极绝缘设置的第一控制电极和第二控制电极；所述第一控制电极和所述第二控制电极，用于向所述铁电介质层提供电场，以通过控制所述电场的电场强度来调整所述铁电介质层的介电常数，从而调节所述第一电极和第二电极之间的容值。2.根据权利要求1所述的可调电容，其特征在于，至少部分所述铁电介质层同时位于所述第一控制电极和所述第二控制电极之间的电场以及所述第一电极和所述第二电极之间的电场中。3.根据权利要求2所述的可调电容，其特征在于，所述第一电极和所述第一控制电极均设置于所述铁电介质层上侧，且所述第一电极位于左侧，第一控制电极位于右侧；所述第二电极和所述第二控制电极均设置在所述铁电介质层的下侧且所述第二电极位于右侧，第二控制电极位于左侧；所述第一控制电极与所述第二控制电极在所述铁电介质层上的正投影不重叠。4.根据权利要求3所述的可调电容，其特征在于，所述第二控制电极的数量为两个，所述第二电极位于所述两个所述第二控制电极之间；所述第一电极的数量为两个，所述第一控制电极位于所述两个所述第一电极之间。5.根据权利要求3或4所述的可调电容，其特征在于，所述第二控制电极与所述第一电极一一对应相对设置；所述第一控制电极与所述第二电极一一对应相对设置。6.根据权利要求5所述的可调电容，其特征在于，相对设置的所述第二控制电极和所述第一电极在所述铁电介质层上的正投影完全重...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦刚，成晓阳，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11