The invention provides an exhaust device and a reaction chamber of a reaction chamber, which comprises two exhaust pipes. The first end of the two exhaust pipes is separated horizontally and connected with the interior of the reaction chamber. The second end of the two exhaust pipes is located outside the reaction chamber and converges together. The two exhaust pipes incline upward relative to the horizontal direction and are symmetrical with each other. The exhaust device of the reaction chamber provided by the invention can reduce the shear stress of the exhaust pipe at the joint, thereby reducing the possibility of producing cracks, thereby avoiding a series of safety accidents such as exhaust gas leakage.
【技术实现步骤摘要】
反应腔室的排气装置及反应腔室
本专利技术涉及半导体制造
，具体地，涉及一种反应腔室的排气装置及反应腔室。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，以下简称CVD)工艺是一种利用不同气体在高温条件下相互反应来制备外延薄膜层的方法，由于在工艺时会使用剧毒或易燃易爆气体，所以对于CVD设备而言，工艺过程中的工艺气体泄漏率是一项极其重要的指标，需要严格的检测和控制。在CVD设备中安装有排气装置。一般来说，排气装置采用金属制作，由于工艺反应时的腔室温度会达到1000℃以上，在此高温下，排气装置因受到持续加热而产生金属膨胀。在完成工艺之后，腔室温度急剧下降至350℃左右，此时排气装置的温度会下降至室温20℃左右，从而会产生金属收缩。如此反复，在排气装置中会产生规律性的内应力，长久使用会导致排气装置管路的焊缝处产生裂缝，进而引发废气泄露等一系列安全事故。图1为现有的一种CVD腔室的剖视图。请参阅图1，CVD腔室包括腔体1，在腔体1内设置有托盘6，用于承载晶片。并且，在该腔体1的相对的两个侧壁上分别设置有进气口2和排气口3，且在进气口2和排气...
【技术保护点】
1.一种反应腔室的排气装置，包括位于所述反应腔室外部的两支排气管，其特征在于，所述两支排气管的第一端在水平方向上相互间隔，且均与所述反应腔室的内部连通，所述两支排气管的第二端汇聚在一起；所述两支排气管自第一端至第二端相对于水平方向向上倾斜延伸，且相互对称。
【技术特征摘要】
1.一种反应腔室的排气装置，包括位于所述反应腔室外部的两支排气管，其特征在于，所述两支排气管的第一端在水平方向上相互间隔，且均与所述反应腔室的内部连通，所述两支排气管的第二端汇聚在一起；所述两支排气管自第一端至第二端相对于水平方向向上倾斜延伸，且相互对称。2.根据权利要求1所述的反应腔室的排气装置，其特征在于，所述两支排气管之间的夹角为85°～95°。3.根据权利要求2所述的反应腔室的排气装置，其特征在于，所述两支排气管之间的夹角为90°。4.根据权利要求1-3任意一项所述的反应腔室的排气装置，其特征在于，所述排气装置还包括基体法兰，所述基体法兰设置在所述反应腔室外部，且在所述基体法兰朝向所述反应腔室的表面上设置有与设置在所述反应腔室的侧壁上的排气口连通的排气腔；每支所述排气管的第一端与所述基体法兰连接，且与所述排气腔相连通。5.根据权利要求4所述的反应腔室的排气装置，其特征在于，在所述基体法兰中设置有连接孔，所述连接孔的第一端与所述排气腔连通，所述连接孔的另一端位于所述基体法兰背离所述反应腔室的表面上；所述排气管的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘皓，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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