遮挡压盘组件和半导体加工装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种遮挡压盘组件和半导体加工装置。该遮挡压盘组件包括：遮挡压盘以及移动部件，遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；移动部件用于使遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在第一位置时，边缘部与基座承载的待加工件的边缘区域接触，且遮挡压盘在基座的支撑面上的投影完全覆盖待加工件在基座的支撑面上的投影；在第二位置时，在垂直于基座的支撑面的方向上，遮挡压盘与基座的支撑面不重叠。从而可以使晶片表面全部沉积上薄膜，又可以通入背吹气体对晶片进行有效冷却，提高产能。

【技术实现步骤摘要】
遮挡压盘组件和半导体加工装置
本技术的实施例涉及一种遮挡压盘组件和半导体加工装置。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术是在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在衬底表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜及分子束外延等。目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积装置本身的性能直接影响所沉积的膜层的质量和产率等。随着对于各种器件膜层精度、质量以及产率的要求不断提高，对于物理气相沉积装置本身性能的改进有着持续的推动力。
技术实现思路
根据本技术的一个实施例提供一种遮挡压盘组件，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种遮挡压盘组件，其特征在于，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠。

【技术特征摘要】
1.一种遮挡压盘组件，其特征在于，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠。2.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其特征在于，所述遮挡压盘与所述移动部件活动连接，使得所述遮挡压盘能沿垂直于所述基座的支撑面的方向相对所述移动部件移动。3.根据权利要求2所述的遮挡压盘组件，其特征在于，所述移动部件包括：旋转轴；旋转臂，与所述旋转轴相连，被配置为在所述旋转轴的驱动下围绕所述旋转轴旋转，所述遮挡压盘连接到所述旋转臂面向所述基座的一侧。4.根据权利要求3所述的遮挡压盘组件，其特征在于，所述旋转臂上设有竖直贯通的定位孔，所述遮挡盘背离所述基座的一侧依次设置有连接部和定位部，所述定位部与所述定位孔配合，使所述遮挡压盘可吊挂在所述旋转臂上。5.根据权利要求4所述的遮挡压盘组件，其特征在于，所述定...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬冬，郭浩，赵梦欣，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11