本公开提供一种等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件。其中等离子体刻蚀方法包括以电感耦合的方式激励工艺气体产生等离子体，在脉冲波射频电源的作用下所述等离子体对所述硅基体进行刻蚀，其中，所述工艺气体包括CHF3。本公开的刻蚀方法通过使用含CHF...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及反应腔室、半导体加工设备。该反应腔室包括真空密封桶和内嵌于所述真空密封桶的法拉第屏蔽罩，该法拉第屏蔽罩开设有贯穿其厚度的开缝，真空密封桶的内壁在对应于开缝的区域处开设有凹部，该凹部用于容纳来自法拉第...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上...

本发明提供的流体通断机构及半导体加工设备，其包括固定组件、可移动地安装在固定组件中的多个调节针、连接组件和调节螺钉，其中，调节螺钉采用第一连接方式或者第二连接方式将连接组件与固定组件连接在一起，其中，第一连接方式满足：通过旋紧调节螺钉，...

本发明提供的表面波等离子体加工设备，其包括依次连接的微波发生装置、微波传输机构、天线机构和反应腔室，其中，天线机构包括天线腔体、滞波板、缝隙板和介质窗，其中，天线腔体设置在所述反应腔室顶部；滞波板、缝隙板和介质窗由上而下依次内嵌在所述天...

本发明提供一种调平装置和等离子体设备，属于半导体加工技术领域，其可解决现有的托盘调平装置调平效果较差的问题。本发明的调平装置，用于调节托盘的水平度，调平装置包括：支撑体、第一本体、第二本体和调平球，第一本体和第二本体沿不同方向交叉设置，...

本发明提供一种固定结构件、旋转升降装置和半导体处理设备。该固定结构件包括第一环形结构、第二环形结构和连接件，第一环形结构和第二环形结构相贴合形成环形结构件，连接件活动设置于第一环形结构中，第二环形结构能相对第一环形结构转动，以推动连接件...

本发明提供一种混气结构，用于向腔室提供气体，包括多路进气管路和至少一路出气管路，所述多路进气管路一一对应与多个气源相连，所述出气管路和所述腔室的气体入口相连，还包括混合腔，所述混合腔具有气体混合空间，所述混合腔分别与所述进气管路和所述出...

本发明提供一种连接装置及半导体加工设备，所述连接装置通过将上连接件套设在石英管的外周壁上，将支撑部件与石英管底部固定连接，并容置于下连接件内，以支撑上连接件，并将与上连接件固定连接的下连接件与旋转升降机构固定相连，从而实现石英管与旋转升...

本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在...

本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构...

本发明提供了一种机械手系统，用于将所述机械手定位至准确位置，包括机械手和定位辅助基片；在所述定位辅助基片的下表面上设置有凸部；所述机械手上设置有用于承载所述定位辅助基片的承载位，在所述承载位所在区域形成有用于容纳且限制所述凸部的凹部或通...

本实用新型提供的功率馈入机构、旋转基座装置及半导体加工设备，该功率馈入机构用于将功率源的输出功率馈入可旋转部件，包括：导电固定件，其与功率源电连接；导电旋转件，其与可旋转部件电连接，且随可旋转部件同步旋转；导电连接结构，分别与导电固定件...

一种去气腔室以及去气方法。去气腔室的内部设有加热装置、冷却装置和移动支撑装置；加热装置包括加热盘，加热盘中设有加热元件，且从加热盘的中心到加热盘的边缘的方向上，加热元件的排布密度逐渐增加；冷却装置与加热盘间隔一定距离相对设置；移动支撑装...

本发明提供一种晶片托架的调平机构、晶片升降机构及反应腔室，该调平机构包括至少三个调平螺钉和支撑定位件，其中，至少三个调平螺钉围绕支撑定位件对称分布，每个调平螺钉贯穿晶片托架，并与升降轴螺纹连接；支撑定位件与晶片托架固定连接，并且在升降轴...

本发明提供一种静电卡盘和半导体处理设备。该静电卡盘包括与设置在绝缘层中的电极层连接的第一电极连接件以及设置在绝缘层下方的基体，第一电极连接件设置于基体中且与基体之间通过第一绝缘件绝缘，用于为电极层供电，还包括绝缘套筒，绝缘套筒套设在第一...

本发明提供一种介质窗的温控装置及应用其的反应腔室，该介质窗的温控装置包括：腔体，其与介质窗形成封闭空腔，且该腔体包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过进气口输送至封闭空腔内，同时通过出气口抽取封闭空腔内的热交换气体。本发...

本发明提供一种反应腔室，其包括腔体、调整支架、介质窗、上保护环和下保护环，其中，在调整支架的上表面与介质窗的下表面之间具有第一间隙，且在第一间隙中设置有第一密封圈；在调整支架的下表面与腔体的上表面之间具有第二间隙，且在第二间隙中设置有第...

本发明提供一种调节装置和半导体处理设备。该调节装置包括固定机构和调节机构，固定机构用于固定线圈，且固定机构和线圈均容置于封闭的护罩内；调节机构对应线圈的中心设置，调节机构与固定机构固定连接，并与护罩活动连接，调节机构能带动固定机构相对护...

本发明提供的反应腔室的进气机构、反应腔室及外延生长设备，其包括进气腔体和匀流板，进气腔体包括朝向反应腔室的进气端面，匀流板设置在进气腔体的进气端面上；在进气腔体中形成有沿水平方向依次排列的多个进气腔，每个进气腔均延伸至进气端面；在进气腔...